公开(公告)号：CN114284458B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202111640741.2

申请日：2021-12-29

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 胡迎宾 ,  赵策 ,  宋嘉文 ,  丁瑞 ,  徐浩 ,  夏杨 ,  桂学海 ,  闫梁臣

IPC分类号： H10K50/822 ,  H10K50/824 ,  H10K59/131 ,  H10K71/00

摘要： 公开一种显示基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域，用于降低或消除阴极层中IR Drop的问题。其中，显示基板包括衬底、辅助电极、绝缘层和阴极层。辅助电极位于衬底一侧，辅助电极远离衬底的表面上设置有凹陷结构。绝缘层位于辅助电极远离衬底一侧，绝缘层开设有第一通孔，第一通孔的边缘在衬底上的正投影位于凹陷结构在衬底上的正投影内，且第一通孔的径向尺寸小于凹陷结构的径向尺寸。阴极层覆盖绝缘层，并穿过第一通孔与辅助电极电连接。本公开提供的显示基板，可以应用于显示面板，降低阴极层的整体阻抗，减轻或消除阴极层中IR Drop的现象，从提高显示面板的显示效果。

公开(公告)号：CN109509707B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201811509593.9

申请日：2018-12-11

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 苏同上 ,  王东方 ,  王庆贺 ,  宋嘉文 ,  罗志文 ,  闫梁臣

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 本公开是关于一种薄膜晶体管的制方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该制造方法包括：在衬底上形成遮光层和覆盖遮光层的缓冲层，以及依次堆叠设置缓冲层上的有源层、栅绝缘材料层和栅极材料层，有源层在衬底上的正投影覆盖部分遮光层在衬底上的正投影；形成由栅极材料层延伸至缓冲层内的凹槽，且凹槽与遮光层未被有源层覆盖的区域相对；对栅极材料层进行图案化，以形成栅极；对栅绝缘材料层进行图案化，以形成栅极绝缘层；去除凹槽底部的缓冲层，使遮光层露出；在缓冲层远离衬底的表面形成源极和漏极；形成覆盖栅极和缓冲层的介电层；在介电层与凹槽对应的位置形成露出遮光层的第一过孔，以及形成露出漏极的第二过孔。

公开(公告)号：CN111223907B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202010046080.X

申请日：2020-01-16

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 宋威 ,  赵策 ,  刘宁 ,  黄勇潮 ,  丁录科 ,  王庆贺 ,  胡迎宾 ,  倪柳松 ,  宋嘉文

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为提升像素驱动电路中存储电容的电容值。所述阵列基板中电容结构包括：沿远离基底的方向依次层叠设置的第一极板、介质层和第二极板；遮光图形复用为对应的像素驱动电路中的第一极板，缓冲层复用为介质层；阵列基板还包括：设置于各遮光图形周边的段差补偿图形，在垂直于基底的方向上，段差补偿图形背向基底的表面的高度与遮光图形背向基底的表面的高度之间的差值小于第一阈值；缓冲层在基底上的正投影分别与遮光图形在基底上的正投影，以及段差补偿图形在基底上的正投影交叠，在垂直于基底的方向上，缓冲层的厚度小于第二阈值。本发明提供的阵列基板用于驱动发光单元显示。

公开(公告)号：CN114284458A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111640741.2

申请日：2021-12-29

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 胡迎宾 ,  赵策 ,  宋嘉文 ,  丁瑞 ,  徐浩 ,  夏杨 ,  桂学海 ,  闫梁臣

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

摘要： 公开一种显示基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域，用于降低或消除阴极层中IR Drop的问题。其中，显示基板包括衬底、辅助电极、绝缘层和阴极层。辅助电极位于衬底一侧，辅助电极远离衬底的表面上设置有凹陷结构。绝缘层位于辅助电极远离衬底一侧，绝缘层开设有第一通孔，第一通孔的边缘在衬底上的正投影位于凹陷结构在衬底上的正投影内，且第一通孔的径向尺寸小于凹陷结构的径向尺寸。阴极层覆盖绝缘层，并穿过第一通孔与辅助电极电连接。本公开提供的显示基板，可以应用于显示面板，降低阴极层的整体阻抗，减轻或消除阴极层中IR Drop的现象，从提高显示面板的显示效果。

公开(公告)号：CN111312724A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010113079.4

申请日：2020-02-24

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 胡迎宾 ,  赵策 ,  丁远奎 ,  王庆贺 ,  刘宁 ,  宋嘉文 ,  宋威 ,  闫梁臣

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

摘要： 本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，包括位于衬底基板上的栅绝缘层、栅线和开关晶体管；栅绝缘层包括：覆盖栅线的第一分部，以及覆盖开关晶体管的栅极的第二分部；第一分部的边缘与栅线的边缘之间的第一间距，大于第二分部的边缘与开关晶体管的栅极边缘之间的第二间距，相当于栅绝缘层在开关晶体管区的GI tail不变，在栅线区的GI tail增大，后续层间介质层连续完成两次爬坡的过程中，因栅绝缘层的边缘与栅线的边缘距离较大，致使层间介质层不易出现褶皱现象，后续源漏金属层就不会因褶皱的存在而变薄或出现尖端，从而能够很好的改善DGS不良，同时开关晶体管结构无改变，确保了无新增不良，提高了产品良率。

公开(公告)号：CN111244326A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010075105.9

申请日：2020-01-22

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张扬 ,  周斌 ,  丁远奎 ,  宋嘉文 ,  罗志文 ,  王庆贺

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。OLED显示基板，包括位于衬底基板上的驱动薄膜晶体管、阳极、发光层和阴极，所述阳极与所述驱动薄膜晶体管之间间隔有绝缘层，所述阳极通过贯穿所述绝缘层的阳极过孔与所述驱动薄膜晶体管的输出电极连接，所述阳极远离所述衬底基板一侧的表面的段差小于阈值。本发明的技术方案能够提高OLED显示产品的像素开口率。

公开(公告)号：CN111244168B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010074944.9

申请日：2020-01-22

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 胡迎宾 ,  赵策 ,  丁远奎 ,  王明 ,  宋威 ,  宋嘉文 ,  苏同上 ,  闫梁臣

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H10K59/121 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

摘要： 本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可改善因光照影响薄膜晶体管的特性的问题。一种显示基板，包括衬底、依次设置于衬底上的缓冲层和薄膜晶体管；薄膜晶体管包括依次层叠设置于衬底上的有源层、栅绝缘层、以及栅极；其中，有源层沿第一方向延伸；有源层包括沟道区，栅极在衬底上的正投影为栅极区；沿与第一方向垂直的第二方向，栅极区的边沿超出沟道区的边沿；第一方向和第二方向与衬底的厚度方向垂直；在栅极区超出沟道区的区域，缓冲层背离衬底的表面具有第一凹槽。

公开(公告)号：CN112186025A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202011090160.1

申请日：2020-10-13

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 黄勇潮 ,  袁粲 ,  倪柳松 ,  王超 ,  宋嘉文 ,  罗志文 ,  刘军 ,  程磊磊 ,  王庆贺 ,  孙涛

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 本发明提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域。本发明通过在像素间隔区域的衬底上设置降阻走线，并在衬底上设置层间介质层，该层间介质层具有暴露出降阻走线的开口，在开口内设置信号线，信号线与降阻走线连接，且在沿着显示面板的行方向，开口的宽度大于或等于信号线的宽度。通过在层间介质层的开口内形成信号线，并且开口的宽度大于或等于信号线的宽度，即信号线仅位于开口内，而不会超出层间介质层的表面设置，则降低了位于像素间隔区域的显示面板的段差，使得后续形成的各个区域处的平坦层的厚度较为均匀，平坦化效果较好，因此，降低了因像素间隔区域存在段差导致平坦层剥落的风险，提高产品的信赖性。

公开(公告)号：CN111341819A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010169987.5

申请日：2020-03-12

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王庆贺 ,  成军 ,  苏同上 ,  黄勇潮 ,  李广耀 ,  王海涛 ,  汪军 ,  张扬 ,  刘宁 ,  张银忠 ,  宋嘉文 ,  罗志文 ,  闫梁臣

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L27/12

摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开一种发光器件、显示装置及其制作方法，包括：有机发光二极管结构层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，有机发光二极管结构层与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管层叠设置；第一薄膜晶体管和/或第二薄膜晶体管的半导体层具有光敏特性；第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的漏极通过热相转变材料连接，且第二薄膜晶体管的漏极与有机发光二极管结构层的阳极通过热相转变材料连接，热相转变材料的温度低于预设温度阈值时绝缘，热相转变材料的温度高于预设温度阈值时能够导电。本发明可在超低电压下实现超高亮度的OLED显示效果，实现节能、热能再利用以及延长器件寿命的效果。

公开(公告)号：CN109509707A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811509593.9

申请日：2018-12-11

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 苏同上 ,  王东方 ,  王庆贺 ,  宋嘉文 ,  罗志文 ,  闫梁臣

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 本公开是关于一种薄膜晶体管的制方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该制造方法包括：在衬底上形成遮光层和覆盖遮光层的缓冲层，以及依次堆叠设置缓冲层上的有源层、栅绝缘材料层和栅极材料层，有源层在衬底上的正投影覆盖部分遮光层在衬底上的正投影；形成由栅极材料层延伸至缓冲层内的凹槽，且凹槽与遮光层未被有源层覆盖的区域相对；对栅极材料层进行图案化，以形成栅极；对栅绝缘材料层进行图案化，以形成栅极绝缘层；去除凹槽底部的缓冲层，使遮光层露出；在缓冲层远离衬底的表面形成源极和漏极；形成覆盖栅极和缓冲层的介电层；在介电层与凹槽对应的位置形成露出遮光层的第一过孔，以及形成露出漏极的第二过孔。