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公开(公告)号：CN117157767A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280000584.5
申请日：2022-03-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H10K59/121
摘要： 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，该薄膜晶体管，包括：基底以及在基底上叠设的遮挡层、缓冲层、有源层、栅绝缘层和导电层；其中，导电层包括：栅电极、源电极和漏电极；有源层包括：沟道区域、位于沟道区域两侧的源过渡区域和漏过渡区域、位于源过渡区域的远离沟道区域一侧的源连接区域、以及位于漏过渡区域的远离沟道区域一侧的漏连接区域；源过渡区域和漏过渡区域均包括：依次连接的第一子区、第二子区和第三子区，第一子区位于第二子区的远离沟道区域的一侧，第三子区位于第二子区的靠近沟道区域的一侧，第二子区的厚度为沟道区域的厚度的k倍，k为0.8至1.5。
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公开(公告)号：CN113707831B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202111005610.7
申请日：2021-08-30
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/856 , H10K50/844 , H10K50/805 , H10K59/124 , H10K71/00
摘要： 公开一种显示基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域，用于避免显示面板出现的暗点不良的现象。该显示基板包括衬底和多个子像素。多个子像素位于衬底的一侧；一个子像素包括：像素驱动电路、应力释放层和反射电极。应力释放层位于像素驱动电路远离衬底的一侧，应力释放层远离衬底的一侧表面上具有凹陷结构。反射电极位于应力释放层远离衬底的一侧，且与像素驱动电路连接；反射电极包括反射金属层，反射金属层覆盖凹陷结构的至少部分。本公开提供的显示基板，可以应用于显示面板，能够提升显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN111244035B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202010067903.7
申请日：2020-01-20
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , H01L21/311
摘要： 本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可确保刻蚀后的无机绝缘层的形貌为预先设计的尺寸。一种显示基板的制备方法，包括：在衬底上形成无机绝缘薄膜；利用刻蚀液对所述无机绝缘薄膜进行刻蚀，以得到无机绝缘层；其中，所述刻蚀液包括氢氟酸。
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公开(公告)号：CN111244115B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202010159284.4
申请日：2020-03-09
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
摘要： 本发明实施例提供一种显示用基板及其制备方法、显示装置，能够避免第一导电层和第二导电层在交叠区域产生短路。包括衬底基板；设置在衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层和第二导电层。第一导电层包括至少一条第一走线，第一走线包括多个走线段和位于相邻两个走线段之间的间断部，第二导电层包括至少一条第二走线，第二走线在衬底基板上的正投影与第一走线在衬底基板上的正投影相交叉，交叉的区域位于间断部在衬底基板上的正投影内；设置于第一导电层远离第二导电层的一侧的第三导电层，以及设置于第三导电层与第一导电层之间的第二绝缘层，第三导电层包括多个连接图案，一个连接图案将一个间断部两侧的两个走线段通过第二绝缘层上的过孔电连接。
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公开(公告)号：CN111223907B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202010046080.X
申请日：2020-01-16
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为提升像素驱动电路中存储电容的电容值。所述阵列基板中电容结构包括：沿远离基底的方向依次层叠设置的第一极板、介质层和第二极板；遮光图形复用为对应的像素驱动电路中的第一极板，缓冲层复用为介质层；阵列基板还包括：设置于各遮光图形周边的段差补偿图形，在垂直于基底的方向上，段差补偿图形背向基底的表面的高度与遮光图形背向基底的表面的高度之间的差值小于第一阈值；缓冲层在基底上的正投影分别与遮光图形在基底上的正投影，以及段差补偿图形在基底上的正投影交叠，在垂直于基底的方向上，缓冲层的厚度小于第二阈值。本发明提供的阵列基板用于驱动发光单元显示。
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公开(公告)号：CN110010698B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201910281442.0
申请日：2019-04-09
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/08 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。本发明的一种薄膜晶体管，包括设置在基底上的有源层，所述有源层包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源极接触区、漏极接触区；所述有源层的所述源极接触区和所述漏极接触区的靠近所述沟道区的部分为波浪结构。
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公开(公告)号：CN109742031B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910024065.2
申请日：2019-01-10
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/34 , H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的导体化处理会导致有源层失去半导体性能或者TFT沟道长度在基板上分布均一性差的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法包括在导体化区域的邻接半导体区域的一侧形成过孔的步骤，该过孔可以防止导体化区域向半导体区域扩散，可以避免有源层的中部被扩散形成导体。
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公开(公告)号：CN111179793B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010009304.X
申请日：2020-01-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/00
摘要： 本发明提供一种显示基板的检测方法及装置，属于显示技术领域，其可解决现有的显示基板靶材区和非靶材区显示不均不良的检测准确度较低的问题。本发明的显示基板的检测方法包括：对显示基板中的像素驱动电路中驱动晶体管的阈值电压进行激发；向显示基板中的像素驱动电路输入检测信号；采集像素驱动电路输出的电压；将采集的像素驱动电路输出的电压输入检测设备中，并生成检测图像；根据检测图像，判断显示基板是否正常。
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公开(公告)号：CN110514652B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201910803782.5
申请日：2019-08-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G01N21/76 , H01L27/144
摘要： 本发明涉及检测设备技术领域，公开了一种PH传感器及其制备方法，该PH传感器包括：衬底基板，依次形成于衬底基板一侧的有机磷光材料层、遮光金属层、缓冲层、薄膜晶体管器件层、钝化层、平坦层、阳极、发光层、阴极和封装层，其中，与有机磷光材料层相对的部位的薄膜晶体管器件层为光敏薄膜晶体管器件层，衬底基板与光敏薄膜晶体管器件层相对的部位形成有多个气体进入通道；衬底基板背离有机磷光材料层的一侧设置有用于激发有机磷光材料层的光源。该PH传感器实现了对环境空气的PH值的可视化检测，且该PH传感器检测方便，操作简单。
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公开(公告)号：CN110728937B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201911063446.8
申请日：2019-10-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/00 , G09G3/3266
摘要： 本申请实施例提供了一种阵列基板潜在故障激发及检测方法、显示面板及显示装置。阵列基板包括栅极驱动区域，栅极驱动区域设置有栅极驱动电路，栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存单元，移位寄存单元包括第一检测点、第二检测点以及连接在第一检测点和第二检测点之间的子电路。本实施例的故障激发方法包括：在预设时长内，将第一检测点与第二检测点之间的压差设置为预定压差，若子电路不存在潜在故障，则子电路不导通，若子电路存在潜在故障，则潜在故障在预定压差的作用下被激发为实际故障。本实施例能够避免存在潜在故障的阵列基板进入后续制程，以降低生产成本并提高良品率；并能够避免施加在两个检测点之间的电压对阵列基板产生破坏。
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