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公开(公告)号：CN109712933A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910122256.2
申请日：2019-02-19
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种显示基板的制作方法，所述制作方法包括：提供初始基板；形成半导体初始图形，其中，所述半导体初始图形包括形成在所述初始基板上的非晶硅图形和形成在所述非晶硅图形背离所述初始基板的表面上的金属图形；利用电磁感应的方式对所述金属图形加热，以使得所述非晶硅图形再结晶形成为多晶硅图形。本发明还提供一种利用该方法制得的显示基板以及包括所述显示基板的显示面板，所述制作方法可以避免显示基板在退火工艺中受热变形。
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公开(公告)号：CN105629655B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610016716.X
申请日：2016-01-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了种掩膜板,属于显示技术领域。该掩膜板包括:透明基板;所述透明基板上形成有至少两层电致变色薄膜图形,每层所述电致变色薄膜图形的上下两侧形成有透明电极;所述至少两层电致变色薄膜图形能够在所述透明电极的作用下在显示基板上形成至少两种不同的掩膜图形。本发明提供的掩膜板能够在显示基板上形成至少两种不同的掩膜图形,解决了相关技术中显示基板制造成本较高的问题,降低了显示基板制造过程中所需要使用的掩膜板的数量,从而简化了TFT‑LCD的制造工艺,降低了TFT‑LCD的制造成本。本发明用于制造显示基板。
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公开(公告)号：CN107425014A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710344384.2
申请日：2017-05-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1281 , H01L27/1285
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，在激光对非晶硅层照射获取多晶硅半导体时，根据传统的制作工艺得到的阵列基板中的栅电极和栅线为联通状态，将导致激光能量沿着栅线进行扩散的问题，本发明通过间隔设置栅电极和栅线，使得在制备多晶硅半导体层时，栅电极与栅线为未连通状态，从而避免了激光能量的扩散问题，激光能量能够集中对非晶硅层照射，短时间内提升栅电极的温度，提升多晶硅的转换效率以及激光能量的利用效率，实现使用较少的激光资源制备晶粒更大，迁移率更高的多晶硅半导体的效果。
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公开(公告)号：CN104808377B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510243709.9
申请日：2015-05-13
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/136
CPC分类号： H01L23/544 , H01L27/1218 , H01L27/1262 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486
摘要： 本发明公开了一种显示对位标记位置的方法，阵列基板及其制备方法。显示对位标记位置的方法包括如下步骤：在衬底基板的第一板面形成对位标记；形成覆盖所述对位标记的第一隔离层；在所述第一隔离层形成过孔，露出所述对位标记；在所述过孔处涂覆第一极性涂料，形成第一极性涂料图形；在所述第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性材料，形成第二极性涂料膜层。阵列基板的制造方法，其包括显示对位标记位置的方法。阵列基板的制造方法制造出的阵列基板。上述与现有技术相比，本发明解决了不能显示出对位标记的位置的技术问题。
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公开(公告)号：CN104730775B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510163692.6
申请日：2015-04-08
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1333
摘要： 本发明公开了一种显示面板及其制作方法、以及显示装置，由于所述显示面板的任两对边的封框胶的张力是沿封框胶的涂覆的延伸方向，由中间向两端逐渐减小或增加的，因此可使得所述显示面板具有弯曲度，相较于现有技术中采用树脂衬底或是采用贴服薄膜等方式制作的具有弯曲度的显示面板来说，本发明实施例所述显示面板的工艺流程较为简便、降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN106711155A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710032611.8
申请日：2017-01-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
摘要： 本申请提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以提高阵列基板半导体层的电子迁移率，从而提高阵列基板的导电能力、提高阵列基板的开口率，进而提高显示装置的分辨率，提升产品性能。本申请实施例提供的一种阵列基板，包括半导体层，所述半导体层包括用于提高所述半导体层的电子迁移率的结构。
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公开(公告)号：CN105138200A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510553080.8
申请日：2015-09-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G06F3/044
摘要： 本申请公开了一种触摸屏基板及其制作方法、触控面板和显示装置，包括基板、白色光阻、触控电极和触控电极引线，其中，所述触控电极和触控电极引线设于所述基板的第一表面，所述白色光阻设置于所述基板的第二表面的四周边缘，用于形成阻隔光线的白色边框。由于白色光阻和触控电极引线设置在基板的不同表面，可以避免触控电极引线在边缘区爬坡时出现断线情况，有效提高触控产品的良品率和产品性能。
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公开(公告)号：CN104979380A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510273988.3
申请日：2015-05-26
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/08 , H01L29/66 , H01L29/786
摘要： 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法，涉及显示技术领域，能够减少源漏极至极性反转区的纵向电阻，从而提高源漏极至极性反转区的电流，提升TFT的性能。其中，TFT的有源层上存在未刻穿的第一凹槽和第二凹槽，TFT的源极和漏极分别至少部分形成于第一凹槽和第二凹槽内，源极和漏极分别通过第一凹槽和第二凹槽与有源层接触。本发明实施例用于TFT的制造。
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公开(公告)号：CN110488548B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910865107.5
申请日：2019-09-12
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种阵列基板和车载显示装置，以解决现有技术中Dual Gate显示产品存在同一数据线两侧的子像素有一侧的像素发生闪烁的问题。所述阵列基板的所述第一晶体管包括：配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极，所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第一交叠区；所述第二晶体管包括：配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极，所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第二交叠区；所述第一交叠区和所述第二交叠区的面积相等。
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公开(公告)号：CN114220823A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111552675.3
申请日：2021-12-17
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请实施例提出了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，显示装置包括衬底基板及位于衬底基板一侧且呈矩阵分布的多个像素单元，像素单元包括驱动电路，驱动电路包括有源层和第一金属层。有源层位于衬底基板的一侧且包括沿远离衬底基板方向依次设置的第一半导体层及第二半导体层；第一金属层包括源极和漏极且位于第二半导体层远离衬底基板的一侧。衬底基板包括第一遮光区及与第一遮光区紧邻设置的第一透光区，源极和漏极在衬底基板上的正投影覆盖第一遮光区，且第一透光区位于源极和/或漏极在衬底基板上的投影的两侧，第一透光区不具有第二半导体层。本实施例能够提高显示装置的显示性能。
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