-
公开(公告)号:CN107731679B
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN201710947326.9
申请日:2017-10-12
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号: H01L21/311 , H01L27/12
摘要: 本发明公开了一种显示面板的制造方法、显示面板和显示装置,属于显示技术领域。所述方法包括:在衬底基板上依次形成第二膜层和第一膜层,第一膜层上形成有第一过孔;在形成有第一膜层的衬底基板上形成光刻胶图案;以高于光刻胶图案的耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化处理;通过刻蚀工艺刻蚀第二膜层,以在第二膜层上形成第二过孔。本发明通过以高于光刻胶图案耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化,使光刻胶图案在热固化过程中均匀附着在过孔侧壁上。解决了相关技术中,光刻胶难以保护过孔侧壁,导致过孔侧壁与衬底基板的夹角较大,使后续形成于过孔中的结构可能在该过孔处断裂,造成显示面板不良的问题,达到了提高显示面板良率的效果。
-
公开(公告)号:CN107195659B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201710392393.9
申请日:2017-05-27
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号: H01L27/32 , H01L21/822
摘要: 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制作方法包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成半导体层;在半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料;在刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案;以掩模图案为掩模对刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层;以掩模图案为掩模对半导体层采用干法刻蚀以形成有源层,其中,有源层包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域,刻蚀阻挡层在衬底基板上的正投影与有源层的第一区域在衬底基板上的正投影完全重合。采用该制作方法,既可以增大开态电流和电子迁移率,也可以避免数据线与栅线或者公共电极线之间发生短路,从而提升产品的良率。
-
公开(公告)号:CN107425014A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710344384.2
申请日:2017-05-16
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
CPC分类号: H01L27/124 , H01L27/1281 , H01L27/1285
摘要: 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,在激光对非晶硅层照射获取多晶硅半导体时,根据传统的制作工艺得到的阵列基板中的栅电极和栅线为联通状态,将导致激光能量沿着栅线进行扩散的问题,本发明通过间隔设置栅电极和栅线,使得在制备多晶硅半导体层时,栅电极与栅线为未连通状态,从而避免了激光能量的扩散问题,激光能量能够集中对非晶硅层照射,短时间内提升栅电极的温度,提升多晶硅的转换效率以及激光能量的利用效率,实现使用较少的激光资源制备晶粒更大,迁移率更高的多晶硅半导体的效果。
-
公开(公告)号:CN104808377B
公开(公告)日:2017-07-11
申请号:CN201510243709.9
申请日:2015-05-13
申请人: 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02F1/1333 , G02F1/136
CPC分类号: H01L23/544 , H01L27/1218 , H01L27/1262 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486
摘要: 本发明公开了一种显示对位标记位置的方法,阵列基板及其制备方法。显示对位标记位置的方法包括如下步骤:在衬底基板的第一板面形成对位标记;形成覆盖所述对位标记的第一隔离层;在所述第一隔离层形成过孔,露出所述对位标记;在所述过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;在所述第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性材料,形成第二极性涂料膜层。阵列基板的制造方法,其包括显示对位标记位置的方法。阵列基板的制造方法制造出的阵列基板。上述与现有技术相比,本发明解决了不能显示出对位标记的位置的技术问题。
-
公开(公告)号:CN104730775B
公开(公告)日:2017-07-04
申请号:CN201510163692.6
申请日:2015-04-08
申请人: 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02F1/1339 , G02F1/1333
摘要: 本发明公开了一种显示面板及其制作方法、以及显示装置,由于所述显示面板的任两对边的封框胶的张力是沿封框胶的涂覆的延伸方向,由中间向两端逐渐减小或增加的,因此可使得所述显示面板具有弯曲度,相较于现有技术中采用树脂衬底或是采用贴服薄膜等方式制作的具有弯曲度的显示面板来说,本发明实施例所述显示面板的工艺流程较为简便、降低了制作成本。
-
公开(公告)号:CN106711155A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201710032611.8
申请日:2017-01-16
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号: H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362
摘要: 本申请提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置,用以提高阵列基板半导体层的电子迁移率,从而提高阵列基板的导电能力、提高阵列基板的开口率,进而提高显示装置的分辨率,提升产品性能。本申请实施例提供的一种阵列基板,包括半导体层,所述半导体层包括用于提高所述半导体层的电子迁移率的结构。
-
公开(公告)号:CN105047609A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510537061.6
申请日:2015-08-27
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
CPC分类号: G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/044 , G06F2203/04111 , G09G3/3225 , H01L21/77 , H01L27/124 , H01L27/323 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L51/5209 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L27/3244
摘要: 本发明涉及一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置,该阵列基板包括:第一金属层图案、透明导电层图案和绝缘层图案,第一金属层图案包括金属桥线,透明导电层图案包括阳极、多个沿第一方向延伸的第一电极和多个沿第二方向延伸的第二电极,每个第一电极包括多个第一子电极,每个第一电极中的每个所述第一子电极与对应的一条所述金属桥线电连接。该阵列基板通过将第一电极和第二电极与有机发光二极管的阳极形成在同一层,通过金属桥线将多个第一子电极电连接形成第一电极,由第一电极构成的触控感应线和第二电极构成的触控驱动线,实现了触控传感器的功能,可以应用于不同封装工艺的AMOLED显示器中。
-
公开(公告)号:CN104992925A
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201510415374.4
申请日:2015-07-13
申请人: 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号: H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G02F2001/136222 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/76802 , H01L21/77 , H01L27/1259 , H01L27/1262 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L27/1244
摘要: 一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法,所述阵列基板的制作方法包括:形成包括第一金属结构的第一金属层;在所述第一金属层上形成非金属层薄膜,使所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分;在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜,对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成对应所述第一部分的第一有机绝缘层过孔;对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层;以及在形成所述有机绝缘层之后,去除所述非金属层薄膜的所述第一部分,以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面。该方法可以在低成本的前提下尽量避免金属结构在形成有机绝缘层之后被严重氧化。
-
公开(公告)号:CN104679340A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201510125435.3
申请日:2015-03-20
申请人: 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G06F3/041
CPC分类号: G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111
摘要: 本发明提供一种触控基板和显示装置,属于触控技术领域,其可解决现有的触控基板消影效果不好的问题。本发明的触控基板包括多个用于触控的、由透明导电材料构成的触控电极,各触控电极同层设置,相邻触控电极间有间隔,且所述触控基板还包括:仅设于相邻触控电极间隔处以及各触控电极边缘部的消影层,所述消影层由透明绝缘材料构成。
-
公开(公告)号:CN104576760A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201510054532.8
申请日:2015-02-02
申请人: 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/34 , H01L21/44 , H01L27/02
CPC分类号: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/383 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L27/1214 , H01L29/0684 , H01L29/66742
摘要: 本发明的实施例涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置,该薄膜晶体管,包括源极、漏极和有源层,其中,所述源极、漏极和有源层同层设置,所述源极和漏极分别通过其侧面与所述有源层相接,所述源极和漏极的材料为金属,所述有源层的材料为与所述源极和漏极材料相对应的金属氧化物半导体。该薄膜晶体管可减少工序,降低成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-