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公开(公告)号：CN116322074A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310064761.2
申请日：2023-01-12
摘要： 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件及其制备方法。该含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及背电极；所述电子传输层材质为体相掺杂有磷元素的电子传输材料。本发明采用含磷物质体相修饰电子传输层制备钙钛矿光电器件，通过含磷物质体相修饰电子传输层设计，可以有效地减少钙钛矿光电器件中电子传输层体相、界面中的缺陷，从而可以有效地降低钙钛矿光电器件的非辐射复合，提高器件的光电性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN116056535A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310063788.X
申请日：2023-01-12
摘要： 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种电子传输层、红外热处理制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该红外热处理制备电子传输层的方法包括以下制备步骤：将电子传输材料前驱液涂覆到基底上形成涂层，而后采用近红外辐射涂层以完成加热退火处理，制得电子传输层。本发明采用近红外辐射加热退火方式，不会出现传统热板退火容易出现的随着模组面积增大导致电子传输层受热不均，从而影响电子传输层质量的情况；制得的电子传输层结构致密无孔洞，厚度均匀可控，增强了钙钛矿吸光层结晶性和钙钛矿晶粒尺寸分布均匀性，从而提高了钛矿光电器件的光电性能和稳定性，具有低生产成本、高效率、工艺简便、可控性和可重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN116332798B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202310297960.8
申请日：2023-03-24
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： C07C257/12 , C07D207/267 , C07C231/12 , C07C233/05 , C07C315/04 , C07C317/04 , C07D239/10 , H10K85/60 , H10K30/00 , H10K85/50
摘要： 本申请涉及制备钙钛矿材料的方法以及中间体材料。该中间体材料根据键合分子的不同具有两种类型，其一包括BX2和键合分子，其中，B为二价无机阳离子，X为卤素阴离子，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值大于β值；其二包括ABX3和键合分子，其中，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值小于或等于β值。使用该中间体材料来制备钙钛矿材料时，能够消除AX和BX2之间的计量比误差，同时也消除了ABX3与添加剂之间的计量比误差，稳固了前驱体的组分比例，提高了钙钛矿材料的纯度，有助于提高薄膜的质量以
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公开(公告)号：CN116332798A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310297960.8
申请日：2023-03-24
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： C07C257/12 , C07D207/267 , C07C231/12 , C07C233/05 , C07C315/04 , C07C317/04 , C07D239/10 , H10K85/60 , H10K30/00
摘要： 本申请涉及制备钙钛矿材料的方法以及中间体材料。该中间体材料根据键合分子的不同具有两种类型，其一包括BX2和键合分子，其中，B为二价无机阳离子，X为卤素阴离子，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值大于β值；其二包括ABX3和键合分子，其中，所述键合分子为具有氧代基团的化合物，所述键合分子的DN*值小于或等于β值。使用该中间体材料来制备钙钛矿材料时，能够消除AX和BX2之间的计量比误差，同时也消除了ABX3与添加剂之间的计量比误差，稳固了前驱体的组分比例，提高了钙钛矿材料的纯度，有助于提高薄膜的质量以及薄膜、钙钛矿器件制备过程中的重复性。
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公开(公告)号：CN116130375A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211683325.5
申请日：2022-12-27
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及一种半导体薄膜质量分析方法、系统，方法包含以下步骤：S10：获取待测半导体薄膜的图像，选取所述待测半导体薄膜的图像的有效区域；S20：选择所述有效区域中的若干分析点，获取所述分析点的颜色模型，提取所述分析点的颜色模型的像素属性值；S30：计算所述分析点的像素属性值的标准偏差，若所述分析点的像素属性值的标准偏差满足第一预设值区间，则判定所述待测半导体薄膜的均匀性合格；和/或统计所述有效区域中所有大于第二预设值的分析点数量占比，若分析点数量占比小于第三预设值，则判定所述待测半导体薄膜的穿孔量合格。
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公开(公告)号：CN115988945A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211613815.8
申请日：2022-12-15
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明提供了一种中间体材料及其应用、钙钛矿层的制备方法，涉及材料技术领域。中间体材料包括钙钛矿和亲油性金属氧化物，亲油性金属氧化物的表面连接有配体，配体为主链具有8～30个碳原子的长碳链配体。本发明提供的中间体材料能够改善钙钛矿B位和X位的缺陷所带来的器件稳定性低的问题。
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公开(公告)号：CN218069899U
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202220949066.5
申请日：2022-04-22
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本实用新型涉及一种近红外退火结晶设备，包括：壳体，所述壳体设置有相应的退火仓；若干近红外灯管，所述若干近红外灯管阵列排布于所述退火仓的顶端；反射面罩，设置于所述退火仓的上端面和若干所述近红外灯管之间，所述反射面罩朝向所述近红外灯管的一面设置为镜面；退火台板，设置于所述退火仓的下端面。本实用新型通过在退火仓内设置近红外灯管，利用近红外灯管发生的近红外线照射放置于退火台板上的半导体湿膜，从而能够使半导体湿膜吸收近红外线中的能量并迅速升温从而蒸发半导体湿膜内的水分从而结晶，达到制膜的目的，并大大缩短了退火结晶所需的时间并保证退火结晶后半导体薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN220475735U
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202321704246.8
申请日：2023-06-30
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本实用新型涉及一种多通道太阳能电池测试装置，包括：电池平台、寻光转台、追光传感器、光强传感器、电流电压采集单元和通讯单元，其中电池平台分布设置有若干电池测试工位，其中至少一个电池测试工位设置有标准电池，其余用于设置待测电池；寻光转台连接至电池平台，用于驱动电池平台转动和/或控制电池平台的朝向；寻光转台连接至电池平台，用于驱动电池平台转动和/或控制电池平台的朝向；追光传感器和光强传感器设置于和电池平台齐平的位置并跟随电池平台运动；电流电压采集单元分别连接至标准电池或待测电池，用于获取电池的电流和电压；通讯单元用于接收电流电压采集单元、追光传感器和光强传感器产生的数据并发送至相应的云服务器。
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公开(公告)号：CN215995627U
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202122434349.4
申请日：2021-10-08
申请人： 嘉庚创新实验室
IPC分类号： B01D1/00
摘要： 本实用新型涉及一种半导体薄膜制备用闪蒸装置及其生产线，包含：抽真空腔体，连接有抽真空泵，所述抽真空腔体的上表面设置有若干连通孔，所述连通孔连通至所述抽真空泵的内部；放置台，设置于所述抽真空腔体的上端面，用于放置相应的半导体薄膜；密封盖板，所述密封盖板与所述放置台的形状相配合，所述密封盖板覆盖所述放置台并且所述密封盖板盖设于所述抽真空腔体的上端面时，所述密封盖板与所述抽真空腔体的上端面组成密封空间。
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公开(公告)号：CN217491497U
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202220951745.6
申请日：2022-04-24
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本实用新型涉及一种半导体薄膜制备用刮涂设备，包含：出液系统，用于输出相应的液体材料；刮涂系统，所述刮涂系统包括工作台板、活动刮刀，所述工作台板的上端面铺设有导液板，所述活动刮刀通过相应的第一驱动机构驱动设置于所述导液板的上端面；出液头移动系统，包含靠近并朝向所述活动刮刀下端部设置的出液头，所述出液头连通连接至所述出液系统，所述出液头通过相应的第二驱动机构驱动设置于所述活动刮刀的长度方向。本申请可以精确地输出合适数量的原料，以足够提供活动刮刀进行刮涂并且减少后续的尾部积液。
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