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公开(公告)号：CN112133784A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910490821.0
申请日：2019-06-06
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： 本专利提供了一种基于光刻掩膜法制备N型FSF结构的IBC太阳能电池的方法，硅片依次经过去损伤层步骤、制作选择性发射极步骤、制绒步骤、制作表面场步骤、镀减反射膜步骤、丝网印刷步骤和烧结步骤；在制作交叉型的P+发射极及N+背场过程中采用光刻掩膜技术避免在开窗区附近的硅片引入晶格损伤，从而降低载流子复合速率。同时，电池前表面的FSF结构与N型硅衬底形成高低结，促使少子空穴向电池背面运输，其中P+发射极以上区域的空穴直接被收集，N+背场以上的空穴平行运动至P+发射极被收集。
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公开(公告)号：CN112071947A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910497148.3
申请日：2019-06-10
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本专利提供了一种P型叉指背接触太阳电池制备方法，选择P型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理；对电池正面进行沉积三氧化二铝(AL2O3)做钝化层；对电池背面进行离子注入磷；在硅片正面沉积氮化硅减反射膜；使用激光开槽设备对硅片背表面P区进行开槽；进行RCA清洗；对电池背面P区使用高温扩散炉对硅片进行背面硼扩散；对电池背面P区沉积三氧化二铝(AL2O3)钝化层；进行丝网印刷银浆和铝浆形成正负电极；放入烧结炉进行烧结，最终得到IBC电池。通过在电池背面先进行离子注入磷，再通过掩膜工艺使用激光开槽设备对P+区进行激光开槽，然后对P+区进行硼扩散，控制了N+层和P+层的结深与方阻，该制备方法有效提升了电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN208656721U
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201821446966.8
申请日：2018-09-04
申请人： 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 , 国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC分类号： H02S50/10
摘要： 本实用新型提供了一种太阳能电池片测试装置，包括：正面探针结构与背面探针结构，所述正面探针结构包括正面固定基座，以及设于所述正面固定基座上的正面探针，所述背面探针结构包括背面固定基座，以及设于所述背面固定基座上的背面探针；所述背面固定基座与所述背面探针在测试时位于电池片的背面一侧，所述正面固定基座与所述正面探针在测试时位于所述电池片的正面一侧，所述电池片在测试时被所述正面探针与所述背面探针夹持；所述正面探针在所述正面固定基座的分布方式与所述背面探针在所述背面固定基座的分布方式相同。本实用新型实现方式较为简单，成本相对较低。
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公开(公告)号：CN210403753U
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201921108975.0
申请日：2019-07-15
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种叉指型背接触太阳电池结构，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，电池前表面采用FFE浮动结结构在有效降低表面载流子复合的同时可提供背表面场的宽度比例，降低工艺难度；可有效降低电池正反面的少子复合率，进而提升电池转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208744025U
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201821446828.X
申请日：2018-09-04
IPC分类号： B23K37/04 , B23K31/00 , B23K101/38
摘要： 本实用新型提供了一种IBC电池片的焊接辅助装置，包括：用于在焊接电池片时承载所述电池片的承载台，以及设于所述承载台中的吸附结构，所述承载台的上侧具有用于连接所述电池片的吸附表面，所述吸附表面为圆弧面，所述吸附结构包括吸附通道，以及吸附源，所述吸附通道具有第一通口和至少一个第二通口，所述至少一个第二通口设置于所述吸附表面，所述第一通口分别连通所述吸附源与所述至少一个第二通口。本实用新型可保障电池片的平整度。
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公开(公告)号：CN207572374U
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201721448104.4
申请日：2017-11-02
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： 本实用新型公开了一种IBC电池的电极结构，其中IBC电池的背面制备有P区及N区，所述P区上制备有正极细栅线以及正极主栅段，所述N区上制备有负极细栅线以及负极主栅段；所述正极细栅线、正极主栅段、负极细栅线以及负极主栅段均为电镀电极；所述正极主栅段与所述负极主栅段均位于IBC电池片的内部，且所述正极主栅段仅与所述正极细栅线相互垂直电性连接，所述负极主栅段仅与所述负极细栅线相互垂直电性连接。由于正极主栅段与负极细栅线之间以及负极主栅段与正极细栅线之间自然绝缘，故取消了绝缘胶和银浆的应用，降低了电池制备成本。
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公开(公告)号：CN209312778U
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201821980205.0
申请日：2018-11-28
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本实用新型提供了一种IBC电池结构，包括：基体、设于所述基体背面的隧穿氧化层、第一掺杂层与第二掺杂层，所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧，所述第二掺杂层位于所述基体的背面，且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽；所述第一掺杂层上设有第一背面钝化层，所述第二掺杂层上设有第二背面钝化层。本实用新型涉及的IBC电池结构可具有更高的开路电压，进而可有利于实现较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN106653923B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610935414.2
申请日：2016-11-01
申请人： 国家电投集团西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构，包括硅片基体；硅片基体的正面形成有n+轻掺杂层及局部n++重掺杂区，在n+轻掺杂层上形成有通过一个工艺步骤得到的第一钝化减反层，在n++重掺杂区引出负电极。基体的背面形成有p+掺杂层及通过一个工艺步骤得到的第二钝化减反层，在p+掺杂层上引出正电极。通过将n+掺杂层转移到电池正面，可以降低金属栅线遮光面积，减少电极接触复合；且形成的n++局部重掺杂区极大地提高电池开路电压和短路电流，同时可以使n+掺杂层的方阻提升的更高，这样有利于提表面钝化效果；第一钝化减反层和第二钝化减反层均通过一个工艺步骤即可制备得到，因而在工艺制作流程上极大进行了优化，提高生产效率，减低了生产成本。
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公开(公告)号：CN107863397A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711063246.3
申请日：2017-11-02
申请人： 国家电投集团西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022441
摘要： 本发明公开了一种IBC电池的电极制备方法，其通过对IBC电池背面的P区及N区进行激光划线的方式形成正极细栅线线槽、负极细栅线线槽、正极主栅段槽与负极主栅段槽；之后对这些槽同时进行电镀，对应形成正极细栅线、负极细栅线、正极主栅段与负极主栅段，通过控制正极主栅段槽仅与正极细栅线线槽相互垂直连接，负极主栅段槽仅与负极细栅线线槽相互垂直连接，使得电镀后形成的正极主栅段仅与正极细栅线相互垂直电性连接，负极主栅段仅与负极细栅线相互垂直电性连接。相比印刷制备电极较大程度上简化了工艺，同时由于正极主栅段与负极细栅线之间以及负极主栅段与正极细栅线之间自然绝缘，故取消了绝缘胶和银浆的应用，降低电池制备成本。
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公开(公告)号：CN207183286U
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201721165582.4
申请日：2017-09-12
申请人： 国家电投集团西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了一种背接触晶硅电池电极网版结构，设置在晶硅电池的背表面，晶硅电池的背表面上设置有P型掺杂区和N型掺杂区，该电极网版结构包括正极细栅线、负极细栅线、正极主栅线以及负极主栅线；所述正极细栅线与所述负极细栅线呈叉指状依次横向交叉排布在晶硅电池的背表面，分别用于收集P型掺杂区和N型掺杂区的电流；所述正极主栅线与所述负极主栅线相互平行地纵向排布在晶硅电池的背表面；所述正极主栅线仅与所述正极细栅线电性连通，所述负极主栅线仅与所述负极细栅线电性连通。该结构可有效避免因未识别印刷方向或测试方向造成的报废或复测问题，极大程度简化了生产过程的印刷和测试识别方向的问题，提高了生产效率。
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