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公开(公告)号：CN111613688A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910635917.1
申请日：2019-07-15
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，电池前表面采用FFE浮动结结构在有效降低表面载流子复合的同时可提供背表面场的宽度比例，降低工艺难度；可有效降低电池正反面的少子复合率，进而提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN110289322A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910486175.0
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/0224 , B41F15/36
摘要： 本发明的目的在于公开一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层，DP3图形层叠印在DP1图形层和DP2图形层上；与现有技术相比，DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线，有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积，从而降低金属电极的金属复合，制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料，有效地降低了接触电阻；DP3图形层采用直通式副栅线，制备电极时采用导电性好的非接触型浆料，既防止金属电极与硅基体接触，极大地降低电极的金属复合，又将圆点式副栅线连通，有效地收集、传输电池产生的电流，有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110459638A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910486634.5
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面P+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置有二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的背面分别设置有N型多晶硅掺杂层和P型多晶硅掺杂层，所述N型多晶硅掺杂层背面连接有负电极，所述P型多晶硅掺杂层背面连接有正电极；与现有技术相比，通过在前表面采用浮动结(FFE)结构，在前表面形成少子的横向传输通道，降低电池表面少子的复合率，降低了实际制备工艺的难度；在背面采用超薄二氧化硅层和掺杂多晶硅层形成Topcon钝化结构，可降低电池背面少子复合率，提升开路电压，进而提升电池转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN115117181A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110301451.9
申请日：2021-03-22
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种低成本单面钝化接触I BC电池的制作方法，包括如下步骤：(1)清洗制绒；(2)隧穿氧化层及多晶硅层制备；(3)正面Si Nx保护层制备；(4)多晶硅绕镀去除；(5)发射极制备；(6)钝化层制备；(7)掩膜制备；(8)背面N+区制备；(9)Si Nx减反层制备；及(10)金属化；与现有技术相比，可减少传统钝化接触I BC电池工艺步骤，有效地提升电池效率的同时，降低电池生产成本，使钝化接触I BC电池获得较高的性价比，有利于该类型电池的大规模生产，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN112054066A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910490815.5
申请日：2019-06-06
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种发射极局部高掺杂的IBC电池，其特征在于，包括N型单晶硅基体(1)，前表面N+掺杂层(2)，减反射层(3)，背表面N+掺杂层(4)，背表面钝化层(5)，背表面P+掺杂层(6)，P++掺杂区(7)，背表面钝化层(8)，正电极(9)，负电极(10)，所述P++掺杂区(7)位于所述背表面钝化层(8)中靠近所述正电极(9)的区域，所述背表面P+掺杂层(6)与所述背表面钝化层(8)呈叉指状排列，所述正电极(9)与所述背表面钝化层(8)连接，所述负电极(10)与所述背表面钝化层(5)连接。本发明涉及IBC电池发射极区域两次分步扩散，第一步低掺杂，降低暗饱和电流和少子复合率，第二步高掺杂，降低被正电极收集路径中的串联电阻，进一步提升IBC电池效率。
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公开(公告)号：CN115117180A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110295144.4
申请日：2021-03-19
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种钝化接触I BC电池的制作方法，包括如下步骤：(1)去损伤层；(2)P区隧穿氧化层及多晶硅层制备；(3)背面硼沉积；(4)激光掺杂；(5)清洗BSG；(6)第一次退火；(7)碱制绒；(8)N区隧穿氧化层及多晶硅层制备；(9)磷沉积；(10)激光掺杂；(11)清洗PSG；(12)第二次退火；(13)背面S i Nx膜制备；(14)清洗绕镀；(15)正面Si Nx膜制备；以及(16)金属化；与现有技术相比，可减少传统钝化接触I BC电池工艺步骤，尤其是解决了I BC电池P+区的接触钝化工艺问题，在提升电池效率的同时，降低电池生产成本，使钝化接触I BC电池获得较高的性价比，有利于该类型电池的大规模生产，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN112071947A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910497148.3
申请日：2019-06-10
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本专利提供了一种P型叉指背接触太阳电池制备方法，选择P型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理；对电池正面进行沉积三氧化二铝(AL2O3)做钝化层；对电池背面进行离子注入磷；在硅片正面沉积氮化硅减反射膜；使用激光开槽设备对硅片背表面P区进行开槽；进行RCA清洗；对电池背面P区使用高温扩散炉对硅片进行背面硼扩散；对电池背面P区沉积三氧化二铝(AL2O3)钝化层；进行丝网印刷银浆和铝浆形成正负电极；放入烧结炉进行烧结，最终得到IBC电池。通过在电池背面先进行离子注入磷，再通过掩膜工艺使用激光开槽设备对P+区进行激光开槽，然后对P+区进行硼扩散，控制了N+层和P+层的结深与方阻，该制备方法有效提升了电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN114725236A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110010058.4
申请日：2021-01-05
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，具体地说是一种钝化接触的IBC太阳电池的结构及制备方法，主要在IBC电池背面生长超薄二氧化硅层和多晶硅层形成隧穿氧化钝化接触结构，并去除发射极上方的氮化硅和掺杂poly层，避免造成漏电，最终在IBC电池背表面场形成高掺杂的n‑poly钝化结构。本发明同现有技术相比，在IBC电池背表面场叠加了隧穿氧化钝化接触技术，使IBC电池背表面场形成高掺杂多晶硅结构，同时实现钝化性能的提升和良好的欧姆接触，大幅提升IBC电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN112054085A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910492037.3
申请日：2019-06-06
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种高效IBC电池结构及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面N+掺杂层和减反射层，在N型单晶硅基体的背面设置有背表面N+掺杂层和背表面P+掺杂层，背表面N+掺杂层和背表面P+掺杂层的背面分别设置有第一背表面钝化层和第二背表面钝化层，第一背表面钝化层背面连接有负电极，第二背表面钝化层背面连接有正电极，在背表面P+掺杂层中设置有P++掺杂区；与现有技术相比，通过在正电极接触的正上方P型区表面离子注入硼，其余P型区域低掺杂硼，形成选择性发射极，可以有效降低P型发射极区域中的少子复合率，同时降低靠近正电极的发射极区域中的串联电阻，从而提升电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN111509054A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201911006851.6
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种TOPCON钝化结构及其制备方法，包括N型或P型的硅片基体，在所述硅片基体的表面由内至外依次设置有隧穿二氧化硅层、TOPCon结构的掺杂多晶硅层/非晶硅层、含磷的氧化硅层SiOx：P或含硼的氧化硅层SiOx：B及SiNx顶盖层；与现有技术相比，通过退火过程生长的含磷氧化硅层SiOx：P或者含硼氧化硅层SiOx：B作为太阳能电池TOPCon结构的表面钝化层，不需要额外的工序来实现掺杂层表面钝化层生长，简化太阳能电池制备工艺流程，提高了TOPCon结构对硅片基体掺杂层的钝化质量，实现本发明的目的。
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