公开(公告)号：CN109641876A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780042021.1

申请日：2017-07-05

申请人： 东洋纺株式会社 ,  国立大学法人九州大学

发明人： 横山正幸 ,  萩谷一刚 ,  安达千波矢

IPC分类号： C07D403/04 ,  C07D403/14 ,  H01L51/50

CPC分类号： C07D403/04 ,  C07D403/14 ,  H01L51/50

摘要： 本发明的通式：(Cz)n-Ar所表示的化合物是作为空穴阻挡材料优异的化合物。Cz表示至少2个部位被选自由氟代烷基及氰基组成的组中的取代基取代的9-咔唑基，Ar表示三嗪环、哒嗪环、嘧啶环或吡嗪环，这些环也可具有除所述9-咔唑基以外的取代基。n为1或者2。

公开(公告)号：CN105531271B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201480043477.6

申请日：2014-07-29

申请人： 国立大学法人九州大学 ,  日铁化学材料株式会社

发明人： 詹姆士·麦当劳 ,  梅莉莎·史基摩 ,  上野和则 ,  宫崎浩 ,  安达千波矢

IPC分类号： C07D401/08 ,  C07D409/14 ,  C07D413/08 ,  C07D417/08 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

摘要： 本发明涉及一种化合物、发光材料及有机发光元件。通式(1)所表示的化合物作为发光材料而有用。通式(1)的Ar1～Ar3表示芳基，Ar2与Ar3相同，且Ar1～Ar3中的至少一个表示经通式(2)所表示的基团取代的芳基。通式(2)的R1～R8表示氢原子或取代基，Z表示O、S、R9‑N、(R10)(R11)C或(R12)(R13)Si，R9～R13各自独立地表示氢原子或取代基。

公开(公告)号：CN107710442A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680038144.3

申请日：2016-06-30

申请人： 国立大学法人九州大学

发明人： 曾秉权 ,  安达千波矢

IPC分类号： H01L51/50

摘要： 本发明是一种有机电致发光元件，其具有至少依序积层了阳极(2)、发光层(3)、电子传输层(5)、及阴极(6)的构造，且在发光层(3)与电子传输层(5)的界面设置电荷陷阱浓度减小层(4)。由此，能够抑制驱动时的经时性的性能劣化而实现长寿命化。

公开(公告)号：CN104137284B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380011933.4

申请日：2013-02-19

申请人： 国立大学法人九州大学 ,  琳得科株式会社

发明人： 加藤邦久 ,  安达千波矢 ,  宫崎康次 ,  早川晃镜

IPC分类号： H01L35/32 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

CPC分类号： H01L35/30 ,  H01L35/16 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

摘要： 本发明提供导热系数低、热电性能指数提高了的热电转换材料及其制造方法；本发明的热电转换材料在基板上形成有热电半导体层，所述基板具有纳米结构，所述纳米结构是纳米级的微细孔状，所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的，其中，所述基板是由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物基板，所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成，所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋；以及，本发明的热电转换材料的制造方法包括：基板制作工序，制作具有所述纳米结构的嵌段共聚物基板；和成膜工序，将p型碲化铋或n型碲化铋成膜而形成热电半导体层。

公开(公告)号：CN106103441A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013232.3

申请日：2015-03-02

申请人： 保土谷化学工业株式会社 ,  国立大学法人九州大学

发明人： 安达千波矢 ,  安田琢麿 ,  中川哲也 ,  志津功将 ,  大熊宽史

IPC分类号： C07D471/20 ,  C07D471/10 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/0072 ,  C07D403/12 ,  C07D403/14 ,  C07D413/14 ,  C07D471/10 ,  C07D471/20 ,  C07D487/04 ,  C07F9/6584 ,  C07F9/65846 ,  C07F11/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1033 ,  C09K2211/1037 ,  C09K2211/104 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5096

摘要： [课题]作为高效率的有机电致发光器件用的材料，提供发射荧光和迟滞荧光的化合物，进而使用该化合物，提供有机光致发光器件、高效率、高亮度的有机电致发光器件。[解决手段]一种通式(1)所示的具有氮杂芴环结构的螺环化合物；一种有机电致发光器件，其为具有一对电极和夹在其间的至少一层有机层的有机电致发光器件，其特征在于，使用该化合物作为至少1个有机层的构成材料。

公开(公告)号：CN105453294A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043716.8

申请日：2014-08-13

申请人： 国立大学法人九州大学

发明人： 中野谷一 ,  安达千波矢 ,  樋口贵史 ,  古川太郎

IPC分类号： H01L51/50

CPC分类号： H01L51/0072 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1033 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1074 ,  C09K2211/1077 ,  C09K2211/186 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5028 ,  H01L2251/552

摘要： 本发明提供一种有机电致发光元件，其具有阳极、阴极、及阳极与阴极之间的发光层，并且发光层至少含有满足以下的式(A)的第1有机化合物、第2有机化合物及第3有机化合物，第2有机化合物为延迟萤光体，第3有机化合物为发光体，且有机电致发光元件的发光效率较高。式(A)ES1(A)＞ES1(B)＞ES1(C)(ES1(A)、ES1(B)、ES1(C)分别表示第1有机化合物、第2有机化合物、第3有机化合物的最低激发单重态能阶)。

公开(公告)号：CN103959502A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280059390.9

申请日：2012-11-30

申请人： 国立大学法人九州大学

发明人： 安达千波矢 ,  安田琢磨 ,  李世渊 ,  野村洸子 ,  中川哲也

IPC分类号： H01L51/50 ,  C07D403/14 ,  C09K11/06

CPC分类号： H01L51/0067 ,  C07D403/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1059 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5012 ,  C07D401/14

摘要： 在发光层中具有下述通式所示的化合物的机发光元件的发光效率高[包含Y1～Y3的环表示三嗪环或者嘧啶环，Z1、Z2及R1～R8表示氢原子或者取代基，R1～R8中的至少1个表示二芳基氨基、或者咔唑基。通式(1)所示的化合物在分子中至少包含2个咔唑结构]。

公开(公告)号：CN103619858A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280031270.8

申请日：2012-06-22

申请人： 国立大学法人九州大学

发明人： 张其胜 ,  安达千波矢 ,  松波成行 ,  坂上惠

IPC分类号： C07F9/53 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/005 ,  C07F9/5045 ,  C07F9/5325 ,  C07F9/5329 ,  C07F9/5728 ,  C07F9/58 ,  C07F9/65517 ,  C07F9/655354 ,  C07F15/0033 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1014 ,  H01L51/008 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/009 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5072 ,  H05B33/14

摘要： 下述通式所示的化合物作为电荷输送材料具有优异的特性[式中，R1～R3表示取代基，n1和n2表示0～5的整数，n3表示0～4的整数，X表示由-O-、-S-、-SO2-、-CS-、-R4-、-C(R5)(R6)-、-PO(R7)-、-Si(R8)(R9)-、>PO-、>Si(R10)-或者>Si

公开(公告)号：CN110494531B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201780079513.8

申请日：2017-12-21

申请人： 国立大学法人九州大学 ,  九州有机光材股份有限公司

发明人： 耿琰 ,  安达千波矢 ,  中野谷一 ,  能塚直人 ,  那须圭朗

IPC分类号： C09K11/06 ,  H10K50/11 ,  C07D251/16 ,  C07D401/10 ,  C07D403/10

摘要： 本发明的由下述通式表示的化合物的发光特性优异。R1及R2表示氟化烷基，D表示哈米特的σp值为负的取代基，A表示哈米特的σp值为正的取代基。

公开(公告)号：CN115485939A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180014309.4

申请日：2021-02-09

申请人： 株式会社考拉科技 ,  国家科研中心 ,  索邦大学 ,  延世大学校产学协力团 ,  国立大学法人九州大学

发明人： A·德阿莱奥 ,  J·C·M·里比耶勒 ,  F·本切克 ,  V·S·F·普拉西德 ,  侭田正史 ,  安达千波矢

IPC分类号： H01S3/16 ,  H01S5/36

摘要： 由通式(1)表示的化合物具有优异的激光发射特性。G1和G2为H或取代基；FL1和FL2由通式(2)表示；BT由通式(4)表示；且n1、n2及m为1至5。通式(1)