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    基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半导体
    2.
    发明公开
    基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半导体 无效

    公开(公告)号：CN103140493A

    公开(公告)日：2013-06-05

    申请号：CN201180035592.5

    申请日：2011-07-19

    申请人： 赫劳斯贵金属有限两和公司

    发明人： T·梅耶尔-弗里德里奇森 ,  K·路透 ,  A·埃尔施纳 ,  M·哈里克

    IPC分类号： C07D495/04 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/0074 ,  C07D495/04 ,  C07F9/655354 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及通式(I)的化合物：其中Z为：-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR1)2(其中基团R1可相同或不同且为氢原子或C1-C12烷基)、磺酸基团-SO3H、卤代甲硅烷基-SiHalnR23-n(R2=C1-C18烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR3)3(R3=C1-C18烷基)取代的C1-C22烷基；-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR1)2(其中基团R1可相同或不同且为氢原子或C1-C12烷基)、磺酸基团-SO3H、卤代甲硅烷基-SiHalnR23-n(R2=C1-C18烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR3)3(R3=C1-C18烷基)取代的C5-C12环烷基；-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR1)2(其中基团R1可相同或不同且为氢原子或C1-C12烷基)、磺酸基团-SO3H、卤代甲硅烷基-SiHalnR23-n(R2=C1-C18烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR3)3(R3=C1-C18烷基)取代的C6-C14芳基或选自噻吩基、吡咯基、呋喃基或吡啶基的杂芳基；-任选被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR1)2(其中基团R1可相同或不同且为氢原子或C1-C12烷基)、磺酸基团-SO3H、卤代甲硅烷基-SiHalnR23-n(R2=C1-C18烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR3)3(R3=C1-C18烷基)取代的C7-C30芳烷基；或者-三烷基甲硅烷基R5R6R7Si，其中R5、R6、R7彼此独立地为相同或不同的C1-C18烷基。本发明还涉及一种半导体层、一种电子组件、一种制备电子组件的方法、可通过该方法获得的电子组件以及通式(I)化合物的用途。