一种活性污泥反硝化速率在线检测装置及检测方法

    公开(公告)号:CN105548039B

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201510888650.9

    申请日:2015-12-07

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01N21/31

    摘要: 本发明公开了一种活性污泥反硝化速率在线检测装置及检测方法。该装置包括反应系统、硝氮检测系统、流程控制系统和数据采集与处理系统;反应系统包括生物反应罐;生物反应罐内部设有膜组件,膜组件的出水口通过设有产水抽吸泵的管路与硝氮测量室入口连接;硝氮检测系统包括封装在硝氮测量室中的硝氮传感器;硝氮测量出口与生物反应罐连接;流程控制系统包括可编程逻辑控制器和中间继电器组,可编程逻辑控制器分别与硝氮传感器和中间继电器组连接,每个中间继电器分别与进水蠕动泵、进水电磁阀、循环电磁阀、排空电磁阀和产水抽吸泵连接。利用本发明装置可对活性污泥反硝化速率实现自动、连续、在线检测,同时还可调整外部碳源的投加量,评估反硝化活性。

    一种水质检测方法及其专用微流控芯片

    公开(公告)号:CN105115911B

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201510599468.1

    申请日:2015-09-18

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01N21/25

    摘要: 本发明公开了一种水质检测方法及其专用微流控芯片。该微流控芯片,它包括依次叠加且密封配合的上层盖片(1)、中间层(2)和下层垫片(3);上层盖片(1)上设有一进样孔(4);中间层包括进样池(5)、反应腔室(6)和残液腔室(7);进样池(5)与进样孔(1)连通,且位置对应;进样池(5)与残液腔室(7)之间由一主微流道(8)连通;主微流道(8)向外延伸出若干对支微流道(10),每个支微流道的端部连通反应腔室(6);下层垫片(3)是由透明的材料制作的。本发明微流控芯片方便大众使用,易于“互联网+”推广;显色芯片与检测器件分离,易与移动设备和物联网集成;可实现多指标检测。

    一种水平轴表面曝气设备充氧效率的在线测试方法与装置

    公开(公告)号:CN103776570B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410058176.2

    申请日:2014-02-20

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01L3/26

    摘要: 本发明涉及一种水平轴表面曝气设备充氧效率的在线测试方法与装置,其包括以下步骤:1)测量水平轴表面曝气设备的轴功率N;2)在水平轴表面曝气设备前选取测点一,在水平轴表面曝气设备后间隔选取测点二和测点三,并测量测点一到测点三的以下参数:①测量测点一、二和三处的溶解氧浓度DO1、DO2、DO3和流速v1、v2、v3,并取测点一、二和三处流速的平均值作为氧化沟内混合液流速v=1/3(v1+v2+v3);②测量测点一和测点二的水平距离L1,以及测点二和测点三的水平距离L2;③测量氧化沟横截面积A,并计算氧化沟内瞬时流量Q=v·A;3)计算水平轴表面曝气设备的充氧效率E。本发明可以广泛用于污水厂运行管理及智能控制领域。

    一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN103436949B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310397291.8

    申请日:2013-09-04

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01L51/00

    摘要: 本发明公开了一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤:腔室中装入有机半导体化合物的溶液或者将装有所述有机半导体化合物的溶液容器放入腔室中,将基片插入所述有机半导体化合物的溶液中并固定;控制所述腔室内的真空度使所述有机半导体化合物的溶液的有机溶剂挥发,则在所述基片上形成所述有机半导体化合物的单晶薄膜。本发明提供的制备方法,可以均匀制备大面积的有机半导体化合物的单晶薄膜。本发明的制备方法完全避免了空气中的水氧干扰。本发明的单晶薄膜几乎没有缺陷,从而提供了良好的载流子传输通道,在此基础上制备得到的有机半导体器件拥有良好的光电性能。

    一种发光晶体管及一种发光显示装置

    公开(公告)号:CN103887393B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201410081143.X

    申请日:2014-03-06

    IPC分类号: H01L33/38 H01L33/42

    摘要: 本发明所述的发光晶体管及发光显示装置,其至少包括基底、漏电极、源电极、半导体层、栅极绝缘层和与栅极绝缘层相连的栅极层,栅极绝缘层中包括可极化并且可发光的材料,优选为发光离子型配合物。该晶体管通过栅极与源极之间的电压,在栅极绝缘层与半导体层界面处感应出载流子,在源/漏电极层中的漏极和源极之间产生导电沟道的同时,形成通过栅极绝缘层的电流并使栅极绝缘层发光。该发光晶体管改变了传统发光晶体管工作电压高、结构复杂或者只有线发光的缺点,通过栅绝缘层发光实现了晶体管的低工作电压和面发光。

    电子传输层、含该层的有机电致发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102916134B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201210428298.7

    申请日:2012-10-31

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56

    摘要: 本发明公开了一种电子传输层,所述电子传输层为共混材料层,含有有机电子传输材料及有机金属配合物,其中,所述有机电子传输材料为具有式Ⅰ结构的化合物中的一种或其两种以上任意组合,式Ⅰ式Ⅰ中,Ar选自碳原子数为6至30的亚稠环芳烃,或选自碳原子数为6至30的亚稠杂环芳烃;n选自1至3的整数。本发明还公开了具有该电子传输层的有机电致发光器件及其制造方法。本发明的电子传输层,采用含有苯基吡啶基团的电子传输材料与有机金属配合物进行掺杂的方法,电子迁移率较高,具有好的成膜性和热稳定性,二者共同蒸镀作为电子传输层,可以实现低电压、长寿命和高效率的优异性能。

    一类金属配合物及在有机电致发光器件中的应用

    公开(公告)号:CN103665048B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201210536230.0

    申请日:2012-12-12

    发明人: 乔娟 陶然 邱勇

    IPC分类号: C07F15/00 C09K11/06 H01L51/54

    摘要: 本发明涉及一种新型的金属配合物及其在有机发光器件中的应用,该用作近红外发光的金属铱配合物结构通式为LnIrX(3-n),其中X选自乙酰丙酮、二苯甲酰基甲烷、二叔戊酰甲烷或吡啶甲酸,n选自1、2或3,L选自以下结构式L1、L2或L3,其中R1—R9分别独立地选自氢原子、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为1-10的烷基氨基、咔唑基、氟原子、三氟甲基和碳原子数为5-18的芳香基团;Ar表示碳原子数为5-18的芳基、碳原子数为5-18的杂环芳基。本发明的金属配合物具有发光寿命短,发光效率高的优点,使用该发光材料制备的有机发光器件,具有大电流密度下高发光效率的特性。结构式L1、结构式L2、结构式L3。