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公开(公告)号：CN113325283B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110606190.1
申请日：2021-05-26
申请人： 许继集团有限公司 , 许昌许继软件技术有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开一种充气柜绝缘试验用装置，包括：充气装置、试验腔和压接装置，其中，所述充气装置，用于向所述试验腔中的绝缘腔体充气；所述试验腔包括：所述绝缘腔体、第一连接部和第二连接部；其中，所述第一连接部用于电连接试验设备，所述第二连接部用于电连接待试验设备，所述第一连接部位于所述绝缘腔体的外部，所述第二连接部位于所述绝缘腔体的内部，所述第一连接部与所述第二连接部电连接；所述压接装置，用于将所述试验腔密封连接在所述待试验设备上。本发明替代了试验电缆的安装，减少了试验准备流程，提高了试验效率，并保证了试验的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN117497497B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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公开(公告)号：CN117929955A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211252026.6
申请日：2022-10-13
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明公开了一种多参量的IGBT结温标定系统，包括电压源、IGBT驱动模块、上位机、数据采集模块、红外热像仪、未填充硅胶的IGBT模块、水冷模块和功率输出模块，本发明解决了现有IGBT结温标定结温系统复杂的问题，从而提高了IGBT结温标定的效率。本发明还公开了一种IGBT结温标定方法，首先上位机向IGBT驱动模块发送驱动信号，功率输出模块输出恒定电流，然后通过控制控流阀使红外热像仪中IGBT芯片的温度不再发生变化，最后记录IGBT的结温及对应的电参数值，从而精确地实现结温标定，本发明提升了IGBT结温监测的准确度，从而提高IGBT结温标定系统的可靠性和标定精度。
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公开(公告)号：CN107561368B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201710806358.7
申请日：2017-09-08
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R27/04
摘要： 本发明公开了一种大型电力设备宽频阻抗特性的测量系统及测量方法。目前，尚未有人提出利用较长同轴电缆测量大型电力设备宽频阻抗特性的接线方式。本发明的测量系统包括阻抗分析仪，所述的阻抗分析仪的测量端口连接两根第一同轴电缆，所述的两根第一同轴电缆的屏蔽层双端接地或始端接地末端短接，两根第一同轴电缆的芯线末端用于连接被测设备。本发明采用同轴电缆屏蔽层两种连接方式中的任一种，即屏蔽层双端接地或屏蔽层首端接地末端短接，就可以消除长电缆空间位置变化对电缆电气参数的影响，电力设备宽频阻抗特性的测量结果准确。
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公开(公告)号：CN117313501A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311624603.4
申请日：2023-11-30
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06F30/23 , G06F17/16 , G06F119/08 , G06F113/08
摘要： 本发明公开了一种油浸式电力变压器绕组温升快速计算方法及系统。本发明的油浸式电力变压器绕组温升快速计算方法，其包括：根据油浸式电力变压器绕组的基本结构，建立二维多分区分匝绕组传热计算模型；根据二维多分区分匝绕组传热计算模型构建基于本征正交分解法的降阶计算模型；通过多项式响应面法建立模态系数关于绕组工况参数的响应面模型，通过绕组工况参数快速获得降阶模态系数，进而结合降阶模态重构降阶计算模型，得到非侵入式降阶计算模型；利用非侵入式降阶计算模型计算油浸式电力变压器绕组温度场分布。本发明可跳过复杂的非线性计算流程，实现快速计算。
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公开(公告)号：CN117169643A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310880314.4
申请日：2023-07-18
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 西安交通大学
IPC分类号： G01R31/08
摘要： 本发明公开了一种电缆在线缺陷定位方法及设备，属于涉及电缆缺陷定位技术领域，用于解决目前的电缆在线检测技术存在定位盲区，信号衰减导致末端定位困难，定位效果仍有待提升的技术问题。本发明的电缆在线缺陷定位方法包括：根据向测试电缆中输入的入射信号以及采集的反射信号，确定所述测试电缆的原始定位曲线；对所述原始定位曲线进行归一化处理，得到第一定位曲线；对所述第一定位曲线进行平均能量算子优化，得到第二定位曲线；根据所述第二定位曲线，确定所述测试电缆的缺陷位置。本发明利用平均能量算子减少了归一化算法带来的噪声干扰的同时改善了首端信号震荡盲区，同时相较于原始定位曲线的定位幅值有较大的提升。
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公开(公告)号：CN117074817A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310988337.7
申请日：2023-08-07
申请人： 上海电力大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/00 , G06F18/10 , G06F18/213 , G08B21/18 , G06F123/02
摘要： 本发明涉及电弧预警技术领域，且公开了一种适用于油浸式变压器的早期电弧预警系统，包括信号检测模块：采集变压器运行参数的信号，进行信号处理和分析；信号处理模块：接受信号进行实时处理和分析，以预设警戒值；预警级别评估模块：评估电弧特征，识别出变压器是否存在早期电弧的风险，并发出相应的预警信号；预警显示模块：接收预警信号，通过显示装置，将信号以可视化的方式显示给工作人员；反馈模块：收集故障实际情况反馈回数据处理单元，以进行进一步的分析和验证。本发明在性能提高、成本减低、效率提高、数据处理方便等方面具有明显的技术优势，可以有效地提高变压器电气设备的预警监测能力，降低了电弧故障的风险和损失。
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公开(公告)号：CN116892131A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310549537.2
申请日：2023-05-16
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明涉及一种提升植物绝缘油耐老化性能的纳米涂层方法，具体为：S1：将绝缘纸置于气相沉积装置内，采用气相沉积技术在绝缘纸表面沉积一层聚对苯二甲酸酯薄膜(PBT薄膜)；S2：再采用等离子轰击处理技术对聚对苯二甲酸酯薄膜进行处理，处理时间为10～30min，气体为氮气或氩气或氧气，压力为0.1～1.5Pa，处理功率为100～1000W，获得表面改性的绝缘纸；S3：将表面改性的绝缘纸用于制备油纸绝缘体系。采用气相沉积技术在绝缘纸表面沉积一层PBT薄膜，并进行等离子轰击处理，增强了PBT薄膜与绝缘纸之间的附著力，同时提高了绝缘油的介电性能和抗老化能力，进而增强油纸绝缘体系的稳定性。
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公开(公告)号：CN116125214B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211207537.6
申请日：2022-09-30
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明公开了一种局部放电与电树枝变频测量方法及系统，属于电缆绝缘老化技术领域。本发明的一种局部放电与电树枝变频测量方法，通过构建测量起树参数模型、起树电压分析模型、分析处理模型，完成被测试样的局部放电与电树枝变频测量，进而本发明可以得到绝缘介质中电树枝生长和局部放电发展之间的关系，能够通过分析局部放电信息来准确评估绝缘介质绝缘状态，有效发现并排除潜在性绝缘故障，方案科学合理，切实可行。进一步，本发明构建测量起树参数模型、起树电压分析模型对被测试样的起树电压和频率进行设置以及控制，从而能够较为全面的获取被测试样的监测数据，便于准确监测电力电缆的绝缘老化，考量因素全面，利于推广使用。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
申请人： 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
发明人： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
摘要： 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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