公开(公告)号：CN102822992B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180009088.8

申请日：2011-02-14

Applicant: 小林光

Inventor： 小林光

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T442/10

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括将氧化且溶解处理对象基板(20)的处理液(19)供给至处理对象基板(20)的表面上的供给步骤；将具有触媒材的网目状转印用组件(10b)设成接触或接近至此处理对象基板(20)的表面的配置状态的配置步骤；以及通过前述供给步骤及前述配置步骤以形成表面呈凹凸面的处理对象基板(20)的凹凸形成步骤。根据此半导体装置的制造方法，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成凹凸形状或网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。

公开(公告)号：CN102844846A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201080063790.8

申请日：2010-07-29

Applicant: 小林光 ,  株式会社KIT ,  佳能市场营销日本株式会社

Inventor： 小林光

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，包括通过使半导体与由浓度为60wt％以上99.9wt％以下的硝酸沸腾所生成的硝酸蒸气接触，而在前述半导体的表面上及/或背面上形成绝缘膜的步骤。本发明通过采用此制造方法，而可降低半导体表面区域中的表面再结合，换言之，可以获得均质性良好，且能够实现半导体表面钝化的绝缘膜，以致得以显著提高太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN101919032A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200880116660.9

申请日：2008-11-11

Applicant: HOYA株式会社 ,  小林光

Inventor： 小林光 ,  长泽弘幸 ,  八田直记 ,  河原孝光

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/161 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明提供一种半导体元件以及半导体元件制造方法，该半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板、形成在所述半导体基板上的栅极绝缘膜以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极。所述半导体基板表面中与所述栅极绝缘膜结合的结合面在宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明的半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板和形成在所述半导体基板上的电极。所述半导体基板表面中与所述电极结合的结合面宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明是以碳化硅为基板的半导体元件，在碳化硅外延层的非极性面中，能够提高电极-碳化硅界面，或者氧化膜(绝缘膜)-碳化硅界面的电特性和稳定性，而与基板的缺陷密度无关。