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公开(公告)号：CN105637668B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201480046882.3
申请日：2014-08-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 帕维尔·马利诺夫斯基 , 中村敦 , 岩井悠
CPC classification number: H01L51/0018 , H01L51/0036 , H01L51/0047 , H01L51/0097 , H01L51/0508 , H01L51/42 , H01L51/4253 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种用于有机层的微影图案化的方法，该方法包含如下步骤：在该有机层上提供遮蔽层；在该遮蔽层上提供光阻层；透过荫罩照射该光阻层；将该光阻层显影，由此形成图案化光阻层；进行第一干蚀刻步骤，其使用该图案化光阻层作为遮罩，由此至少移除该光阻层的上部，并在未被该光阻层覆盖的位置完全移除该遮蔽层；进行第二干蚀刻步骤，其使用该图案化遮蔽层作为遮罩，由此在未被该遮蔽层覆盖的位置移除该有机层；及移除该遮蔽层，其中，移除该遮蔽层包含将其暴露于水中。本发明公开的该方法在用于制造以有机半导体为基底的装置与电路的工艺中具有优势。
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公开(公告)号：CN118435349A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280083150.6
申请日：2022-11-25
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L25/07 , C08G73/10 , C08L79/08 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种在接合2个基板时可获得2个基板之间的最大剥离阻力大的接合体的接合体的制造方法及所获得的接合体、层叠体的制造方法及所获得的层叠体、器件的制造方法及所获得的器件以及含聚酰亚胺的前体部分形成用组合物。接合体的制造方法包括：准备基板A的工序；在基板A的具备配线端子的面上形成含聚酰亚胺的前体部分的含聚酰亚胺的前体部分形成工序；准备基板B的工序；及将基板A的具有含聚酰亚胺的前体部分的面与基板B的具备配线端子的面进行接合的接合工序，接合工序之前的含聚酰亚胺的前体部分中的聚酰亚胺的环化率与含聚酰亚胺部分中的聚酰亚胺的环化率之差为5％以上。
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公开(公告)号：CN117203746A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280031212.9
申请日：2022-04-26
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 中村敦
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种接合体的制造方法、具备通过上述制造方法而获得的接合体的半导体器件的制造方法及在上述制造方法中所使用的树脂组合物，所述接合体的制造方法包括：准备具备具有凸部的面的基板A，及具备配线端子的基板B的工序；在上述基板A的具有上述凸部的面上，形成包含粘合剂及填料的含填料层的工序；将上述含填料层与上述凸部一起进行平坦化来使上述凸部的至少一部分从上述含填料层露出而获得层叠体的工序；以及将上述层叠体的具有含填料层的面与上述基板B所具备的上述配线端子的至少一部分接合的工序。
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公开(公告)号：CN114514470A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080070827.3
申请日：2020-10-08
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种所获得的图案的形状优异的图案形成方法、用于上述图案形成方法的感光性树脂组合物、包括上述图案形成方法的层叠体的制造方法及包括上述图案形成方法的电子器件的制造方法。图案形成方法包括：第一区域曝光工序，对由感光性树脂组合物构成的感光膜的一部分区域即第一区域进行选择性曝光；第二区域曝光工序，对第二区域进行选择性曝光；及显影工序，对上述第二区域曝光工序后的感光膜进行显影，包含在上述第一区域中的至少一部分区域和包含在上述第二区域中的至少一部分区域为共同区域，上述感光性树脂组合物包含特定的树脂及感光剂。
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公开(公告)号：CN106133935B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201580016795.8
申请日：2015-03-28
Abstract: 提供了一种器件制作方法，该器件包括：在单个基板上的第一位置处的第一图案化器件层(31)和在第二位置处的第二图案化器件层(32)。该方法包括：在基板上沉积第一夹层(21)；图案化第一夹层(21)，由此去除在第一位置处的第一夹层；沉积第一器件层(31)；沉积第二夹层(22)；图案化第二夹层和下面的层，由此去除在第二位置处的第二夹层和下面的层；沉积第二器件层(32)；以及随后图案化第一器件层和第二器件层以形成在第一位置处的第一图案化器件层和在第二位置处的第二图案化器件层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107075187A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052955.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C08L21/00 , B32B25/08 , B32B27/00 , C08J5/18 , C08K5/00 , C08L53/02 , C09J7/00 , C09J11/06 , C09J121/00 , C09J125/08 , C09J153/02 , H01L21/02
CPC classification number: C09J11/06 , B32B3/08 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B9/043 , B32B15/06 , B32B25/04 , B32B25/08 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B25/16 , B32B25/18 , B32B25/20 , B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/26 , B32B27/28 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/304 , B32B27/306 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B2250/03 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2270/00 , B32B2307/30 , B32B2307/306 , B32B2307/51 , B32B2307/58 , B32B2307/584 , B32B2307/732 , B32B2307/748 , B32B2457/14 , C08J3/092 , C08J5/18 , C08J2309/06 , C08J2353/02 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J121/00 , C09J153/025 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2453/00 , H01L21/02 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
Abstract: 提供一种组合物、片的制造方法、片、层叠体及带有元件晶片的层叠体，所述组合物的弹性体的溶解性良好，可提高固体成分浓度，可形成干燥性、表面状态及耐热性优异的膜。所述组合物含有：自25℃起以20℃/min升温的5％热质量减少温度为375℃以上的弹性体；下述通式(1)所表示的沸点为160℃以上的溶剂；及沸点小于120℃的溶剂。通式(1)中，R1～R6分别独立地表示氢原子或脂肪族烃基。
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公开(公告)号：CN106459680A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580030853.2
申请日：2015-06-09
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/683
Abstract: 提供可容易地解除元件晶片与支撑体的暂时接着的暂时接着用层叠体、暂时接着用层叠体的制造方法及带有元件晶片的层叠体。本发明的暂时接着用层叠体是用以将元件晶片的元件面与支撑体能够剥离地暂时接着的暂时接着用层叠体，其包含热塑性树脂膜、含有脱模剂的层，所述脱模剂选自具有硅氧烷键的化合物及具有硅原子与氟原子的化合物；且在热塑性树脂膜的元件侧的表面，且是元件面对应的区域至少包含含有脱模剂的层。在将元件晶片与支撑体暂时接着后，自元件晶片的元件面剥离支撑体时，支撑体与至少包含热塑性树脂膜的层叠体自元件剥离。
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公开(公告)号：CN106133935A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580016795.8
申请日：2015-03-28
Abstract: 提供了一种器件制作方法，该器件包括：在单个基板上的第一位置处的第一图案化器件层(31)和在第二位置处的第二图案化器件层(32)。该方法包括：在基板上沉积第一夹层(21)；图案化第一夹层(21)，由此去除在第一位置处的第一夹层；沉积第一器件层(31)；沉积第二夹层(22)；图案化第二夹层和下面的层，由此去除在第二位置处的第二夹层和下面的层；沉积第二器件层(32)；以及随后图案化第一器件层和第二器件层以形成在第一位置处的第一图案化器件层和在第二位置处的第二图案化器件层。
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公开(公告)号：CN105474099A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046127.5
申请日：2014-08-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种可在有机半导体上形成良好的图案的层叠体。本发明的层叠体在有机半导体膜的表面至少依次具有水溶性树脂膜、以及包含化学增幅型感光性树脂组合物的抗蚀剂膜，其中，化学增幅型感光性树脂组合物含有当在波长365nm时曝光100mJ/cm2以上时分解80摩尔％以上的光产酸剂，曝光部因难溶于包含有机溶剂的显影液而能够形成掩模图案，且在形成掩模图案后用作蚀刻的掩模。
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公开(公告)号：CN116635453A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202280008338.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C08G73/10
Abstract: 本发明提供一种可以获得断裂伸长率优异的固化物的固化物的制造方法、包括上述固化物的制造方法的层叠体的制造方法及包括上述固化物的制造方法或上述层叠体的制造方法的半导体器件的制造方法，并且提供一种在上述固化物的制造方法中所使用的处理液。固化物的制造方法包括：膜形成工序，将包含环化树脂的前体的树脂组合物适用于基材上而形成膜；处理工序，使处理液与上述膜接触；及加热工序，在上述处理工序之后对上述膜进行加热，上述处理液包含选自具有酰胺基的碱性化合物及具有酰胺基的碱产生剂中的至少1种化合物。
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