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公开(公告)号：CN114447147B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111624966.9
申请日：2021-12-28
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种提高太阳能电池用硅片制绒良率的方法，包括对硅片的制绒槽通过如下步骤进行预清洗：A、向所述制绒槽内加入碱液和双氧水的第一混合液，加热，鼓泡处理至少10小时，期间每隔一段时间添加双氧水；B、排空制绒槽内的第一混合液，加入去离子水进行清洗；C、向制绒槽内加入碱液和制绒添加剂的第二混合液，加热，鼓泡处理至少10小时；D、排空制绒槽内的第二混合液，加入去离子水进行清洗。本发明通过对太阳能电池的硅片制绒槽进行预处理，改善制绒良率，进而提高电池转换效率。
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公开(公告)号：CN111850522B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202010772639.7
申请日：2020-08-04
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/458 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种传输装置，包括承载主体，所述承载主体的两侧对称的设置有多个用于对传输对象进行传输的滚轮，相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件。由于相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件，因此传输对象就不会进入滚轮之间导致无法继续向前移动，从而该方案能够快速、低成本的降低卡框概率，减少卡框引起的产品质量不良的问题，提高设备嫁动率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111916528B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010606899.7
申请日：2020-06-29
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置，在背面沉积AlOx层；且在所述正面和背面沉积SiNx层；然后对所述P型单晶硅片进行退火工艺。本发明通过在在SiNx镀膜后，增加退火步骤，调节晶体硅电池内氢浓度，降低由过量氢元素造成的的热辅助光致衰减，进而提高了晶体硅电池封装组件的输出功率。
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公开(公告)号：CN112271221B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011090280.1
申请日：2020-10-13
申请人： 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
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公开(公告)号：CN114220875A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111469319.5
申请日：2021-12-03
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , B41F15/36
摘要： 一种MWT电池背铝电极及印刷网板，包括晶硅板、印刷网板，所述晶硅板背部设置有背铝电极，所述背铝电极电性连接有数个阵列的背银电极，所述晶硅板阵列设置有数个贯穿所述晶硅板的填孔电极，所述填孔电极与所述背银电极等间隔设置，所述背铝电极设置有所述印刷网板，其中，所述背铝电极对应所述填孔电极外周的位置一体成型有凸起部，所述凸起部的厚度等于所述填孔电极的厚度，所述印刷网板对应所述凸起部的位置设置有断丝部。本申请通过在背铝电极上设置数个与填孔电极外周相对的凸起部来缩减或消逝与填孔电极之间的厚度差，增大了在数块晶硅板需要堆叠设置时相互之间的接触面积，降低了晶硅板上正面电极被划伤和断栅的风险。
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公开(公告)号：CN114050204A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111339977.2
申请日：2021-11-12
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明提供了一种P型IBC电池的制备方法。与现有技术相比，本发明采用双面硼扩散技术正面的P+掺杂硅层可起到表面钝化的作用，背面的P+掺杂硅层可起到提取空穴的作用，两个功能层同时制备一步完成，且无需做边缘绝缘处理，正面和背面的P+掺杂硅层通过边缘连接在一起，不会导致漏电；同时硼扩散生成的硼硅玻璃层可作为阻挡层，使磷掺杂时磷只掺杂入去除硼硅玻璃层的区域，无需额外制备阻挡层；再者，利用磷掺杂浓度比硼掺杂浓度更高的特点，对去除硼硅玻璃层的P+掺杂硅区域进行补偿掺杂，将其转变为N+掺磷硅，从而实现P型IBC电池的制备，制备步骤简单，无需光刻技术，可显著降低电池成本。
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公开(公告)号：CN114050189A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111327578.4
申请日：2021-11-10
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0445 , H01L31/072 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种具有3D结构的硒硫化锑薄膜太阳电池及其制备方法，属于电池制备技术领域。本申请的薄膜太阳电池包括从下至上的依次层叠设置的衬底玻璃、TiO2层、BaTiO3薄膜层、Sb2(S,Se)3薄膜层、空穴传输层和电极层。还包括一种Sb2(S,Se)3薄膜太阳电池的制备方法，制备出的Sb2(S,Se)3薄膜太阳电池其中TiO2层为3D‑TiO2阵列结构，与Sb2(S,Se)3薄膜层形成pn结，BaTiO3薄膜作为钝化层插入到pn结之间，减少异质结在界面处的复合。BaTiO3薄膜层与TiO2层形成双缓冲层结构，增加了耗尽层宽度可以有效提升电池的开路电压。利用BaTiO3自身的铁电性，提高了载流子的分离能力和电池的开路电压。且BaTiO3薄膜厚度较小，基于量子隧穿效应解决了BaTiO3导电性差，导致电池内阻高的问题。
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公开(公告)号：CN112701190B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202011606811.8
申请日：2020-12-28
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/66 , H01L31/02 , H01L31/0224
摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池金属化接触复合电流的测试方法，步骤如下：(1)在半成品蓝膜片的待测面印刷至少4种以上的不同金属化面积的栅线图形，且每种图形的个数不少于3个，并打乱其排布，栅线图形外侧使用闭合的矩形边框作为隔离；(2)在非待测面正常印刷金属化电极并烧结；(3)测试待测面上每个栅线图形的暗饱和电流密度J0；(4)对每种栅线图形的暗饱和电流密度取平均值，以不同金属化面积的栅线图形对应的暗饱和电流密度值的数据进行线性拟合。该方法通过多个相同图形的错位分布减少了样品本身不均匀性带来的测试误差；通过图形边框隔离减少了相邻图形间的影响，能够更加准确地评估金属/半导体接触的复合电流。
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公开(公告)号：CN113555470A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110826671.3
申请日：2021-07-21
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224
摘要： 本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，该方法包括获得正面依次层叠有钝化层和减反层的硅基体；对钝化层和减反层对应正电极的区域进行开孔；开孔深度等于钝化层和减反层的厚度之和；采用电镀法在开孔区域沉积铝形成铝电极，得到电池结构体；对电池结构体进行退火处理，铝电极和硅基体发生共晶反应，在硅基体对应铝电极的区域形成铝重掺杂区域；在硅基体的背面制备钝化接触结构和背电极，得到太阳能电池。本申请用电镀法在开孔区域沉积铝，通过退火时铝和硅发生共晶反应对硅基体进行局部重掺杂，无需复杂的掩膜工艺、高温扩散、高精度对准，制备过程简单，且不会影响硅基体的体少子寿命；铝电极宽度窄，减小对硅基体正面的遮光面积。
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公开(公告)号：CN112599635A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011422086.9
申请日：2020-12-08
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法。该制备方法包括：A、提供制绒后的P型硅片；B、对P型硅片进行扩散形成P型轻掺杂层；C、对P型轻掺杂层进行选择性的开槽，使P型硅片的局部正面露出；D、对步骤C处理后的P型硅片进行二次扩散，在P型硅片的对应开槽区域的部分中形成P型重掺杂部；E、在P型硅片的正面和背面分别制备正面介质层和背面介质层；F、在正面介质层上印刷正面浆料，且至少部分正面浆料位于P型重掺杂部的正上方；在背面介质层上印刷背面浆料；G、烧结，其中正面浆料穿透正面介质层而和P型重掺杂部接触。本发明提升了填充因子FF，降低了载流子的传输损耗，提高光电转化效率。
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