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公开(公告)号:CN112041751B
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN201980028358.6
申请日:2019-02-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 约瑟夫·R·约翰逊
Abstract: 本公开内容的实施方式提供了使用固态发射器装置的改进的光刻系统和方法。所述固态发射器装置包括被布置成多个水平行和竖直列的固态发射器阵列。每组固态发射器的可变强度,例如整行固态发射器或整列固态发射器的可变强度,是可控制的,以改进场亮度均匀性和场拼接。控制所述可变强度包括例如改变施加到成行固态发射器中的每行的信号,诸如电压,以使亮度从所述阵列的中间到所述阵列的边缘衰减来适应在光刻处理期间的重叠曝光。
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公开(公告)号:CN112262346A
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN201980039171.6
申请日:2019-05-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 约瑟夫·R·约翰逊 , 托马斯·L·莱蒂格 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本公开内容的实施方式提供了使用固态发射器阵列的改进的光刻系统和方法。固态发射器阵列包括以行和列布置的固态发射器装置,其中每个固态发射器装置包括两个或更多个子像素。每个固态发射器装置包括一个程序栅极,其可将电压传送到状态存储节点。状态存储节点与驱动栅极电连通。驱动栅极与两个或更多个固态发射器子像素连通。与单个驱动栅极连通的多个子像素的布置允许多于一个脉冲被传送到驱动栅极,导致在每个驱动栅极处照射有多于一个子像素。冗余的结果是改善的数据效率。
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公开(公告)号:CN108885393A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780020264.5
申请日:2017-03-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 约瑟夫·R·约翰逊 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 托马斯·L·拉伊迪
CPC classification number: G03F1/38 , G03F1/70 , G03F7/70291 , G03F7/70433 , G03F7/70508
Abstract: 本文公开的实施方式涉及一种曝光图案变更软件应用程序,曝光图案变更软件应用程序操纵具有角度的线的曝光多边形,所述角度实质上接近于六边形密集体布置的对称角度,曝光多边形具有长错位部。长错位部其本身是呈现为高边缘放置误差区域。因此,曝光图案变更软件应用程序通过在受影响角度处将多边形边缘锯齿化来提供线波减少,从而在制造工艺中的无掩模光刻图案化期间减小边缘放置误差。
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公开(公告)号:CN108699671A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680082575.X
申请日:2016-02-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 黄西 , 布赖恩·E·拉塞特 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 迪特尔·哈斯
CPC classification number: H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/24 , C25D1/003 , C25D1/10 , H01L27/3211 , H01L51/001
Abstract: 公开用于阴影掩模的方法和设备。阴影掩模(200)包含:由金属材料制成的框架(210)和耦接至所述框架(210)的一个或多个掩模图案(205),所述一个或多个掩模图案(205)包括金属并且具有形成在所述一个或多个掩模图案(205)中的多个开口(215),所述金属具有小于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数,所述金属具有约5微米至约50微米的厚度并且具有形成在所述金属中的边界(355),每个边界限定精细开口(215),所述精细开口(215)具有形成在所述金属的基板接触表面(375)上的凹陷的表面(370)。
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公开(公告)号:CN105706002B
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201480058806.4
申请日:2014-12-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 马耶德·A·福阿德 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 克里斯多弗·G·塔尔博特 , 约翰·克里斯多弗·莫兰
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G01N21/95 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G01N2201/061
Abstract: 一种远紫外线(EUV)基板检查系统及其制造方法,包含:EUV来源,该EUV来源引导EUV照射穿过光圈;光检测器,该光检测器检测带有由基板反射离开的减低的偏离轴的射线的掩模照射;及计算机装置,该计算机装置处理由该光检测器检测到的图像数据。
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公开(公告)号:CN107708897A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201680037076.9
申请日:2016-06-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 约瑟夫·罗伯特·约翰逊
CPC classification number: B33Y40/00 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B22F2999/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , Y02P10/295 , B22F2202/05
Abstract: 一种增材制造系统包括:支撑件;分配器,用于将金属粉末层输送至所述支撑件上或所述支撑件上的下层上;能量源,用于熔融所述金属粉末层的至少一部分;和磁体,被定位并配置以在熔融所述层时将磁场施加至所述金属粉末层的所述部分。
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公开(公告)号:CN112567297B
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN201980052865.3
申请日:2019-07-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 约瑟夫·R·约翰逊 , 托马斯·L·莱蒂格 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本公开内容的实施方式总体提供使用数字微镜装置(DMD)的改进的光刻系统和方法。DMD包括与基板相对设置的微镜的列和行。光束从微镜反射至基板上,产生图案化基板。微镜的列和行的某些子集可定位至“关闭”位置,使得这些子集废弃光,以便校正图案化基板中的均匀性误差,即,比期望的大的特征。类似地,微镜的列和行的某些子集可默认为“关闭”位置并且选择性地允许这些子集返回到它们的编程位置,以便校正图案化基板中的均匀性误差,即,比期望的小的特征。
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公开(公告)号:CN117203770A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202280029131.5
申请日:2022-03-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 徐立松 , 郭秉圣 , 朱明伟 , 黃浩智 , 奈格·B·帕蒂班德拉 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种用于制造微型LED显示器的方法包括:在具有多个微型LED的基板上沉积第一材料,使得多个微型LED由第一材料覆盖,并且第一材料填充横向分隔微型LED的缝隙;从横向分隔多个微型LED的缝隙移除第一材料的部分,以形成延伸至微型LED的发光层或延伸至发光层之下的沟槽;在基板上沉积第二材料,使得第二材料覆盖第一材料并延伸进沟槽中;以及移除在多个微型LED上的第一及第二材料的部分以暴露多个微型LED的顶表面,并使得隔离壁垂直地延伸高于第一材料的顶表面。第二材料是不透明材料。
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公开(公告)号:CN115380249A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202080099720.1
申请日:2020-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 托马斯·L·莱蒂格 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开内容提供当存在包括子像素交叉扫描振动的交叉扫描振动时,用于校正从空间光调制器(SLM)到基板的图像的投射的方法和系统。这些方法和系统包括:偏移相对于基板上的横向扫描行进方向旋转的SLM上的掩模图案,沿着SLM的轴偏移以对交叉扫描振动进行校正,以及延迟或加速投射掩模图案到基板上。
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公开(公告)号:CN112782941A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202011231914.0
申请日:2020-11-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 梅迪·瓦泽-艾拉瓦尼 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 克里希纳·斯雷兰姆巴特拉 , 侯赛因·法瓦兹 , 莱奥·恩格尔 , 罗伯特·珀尔穆特
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种操作多小束带电粒子装置的方法。在所述方法中,平移附接到台的靶,并且重复选择小束、初始化小束和使靶曝光的每个步骤。选择小束的步骤包括使可重新配置的多个所选择的小束通过消隐电路。初始化小束的步骤包括使所选择的小束中的每一个指向在初始方向上。使靶曝光的步骤包括使所选择的小束中的每一个从初始方向扫描到最终方向,并且用所选择的小束辐照在台上的靶的多个区域。
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