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公开(公告)号：CN107002219B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201480084006.X
申请日：2014-12-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/04 , C23C16/04 , C23C16/458
Abstract: 提供一种用于在处理腔室中掩蔽基板(10)的掩模布置(100)。掩模布置(100)包括：掩模框架(110)，所述掩模框架具有一个或多个框架元件(112、114、116、118)并且被配置为支撑掩模器件(120)，其中掩模器件(120)可连接到掩模框架(110)；以及至少一个致动器(130)，所述至少一个致动器可连接到一个或多个框架元件(112、114、116、118)中的至少一个框架元件(112)，其中至少一个致动器(130)被配置为向所述至少一个框架元件(112)施加力。
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公开(公告)号：CN113166925A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099540.6
申请日：2018-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/24 , C23C16/455
Abstract: 本文所述的实施方式涉及一种用于在真空腔室中在基板(10)上沉积已蒸发材料的蒸气源(100)。所述蒸气源(100)包括具有多个喷嘴的分配管(110)，其中所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴包括：第一喷嘴区段(121)，所述第一喷嘴区段沿着喷嘴轴线(A)延伸并具有被构造为释放已蒸发材料羽流(115)的蒸气释放开口(123)；和第二喷嘴区段(122)，所述第二喷嘴区段位于所述第一喷嘴区段(121)下游，所述第二喷嘴区段包括具有至少部分地朝向喷嘴出口(126)减小的尺寸的成形通道(125)。实施方式进一步涉及一种用于蒸气源的喷嘴、一种具有蒸气源的真空沉积系统和一种用于在真空腔室中在基板上沉积已蒸发材料的方法。
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公开(公告)号：CN107002221B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201480083241.5
申请日：2014-11-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·班格特 , 安德烈亚斯·勒普 , 托马斯·格比利 , 乌韦·许斯勒 , 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波
IPC: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C14/04 , H05B33/10
Abstract: 描述一种用于在真空腔室(110)中将已蒸发的材料沉积在基板(121)上的材料沉积布置(100)。所述材料沉积布置包括两个材料沉积源(100a、100b)，它们各自具有分配管道(106a、106b)和一或多个喷嘴(712)。另外，描述一种包括材料沉积布置的真空沉积腔室、以及一种用于在真空沉积腔室中将已蒸发的材料沉积在基板上的方法。
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公开(公告)号：CN109844900A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680090026.7
申请日：2016-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 安德烈亚斯·勒普 , 马库斯·哈尼卡 , 朴炫灿 , 安德烈亚斯·克洛佩尔
Abstract: 根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于溅射沉积源的磁体布置(100)。所述磁体布置包括第一磁体(110)和第二磁体(120)，所述第一磁体(110)和第二磁体(120)适于将等离子体限制在等离子体限制区域(150)中；和包含可磁化材料的至少一个场影响元件(115)，所述至少一个场影响元件(115)适于实现所述等离子体限制区域朝向所述至少一个场影响元件的局部位移。根据第二方面，提供了一种具有磁体布置的磁控溅射沉积源(400)和一种使用包括磁体布置的磁控溅射沉积源在基板上沉积膜的方法。
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公开(公告)号：CN107002232A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083694.8
申请日：2014-11-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌韦·许斯勒 , 斯蒂芬·班格特 , 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 安德烈亚斯·勒普
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/542 , F27D5/0037
Abstract: 一般来说，本公开内容涉及用于沉积材料的系统、设备和方法。特别是，本公开内容涉及用于蒸发源材料的坩锅。所述坩锅具有壁，所述壁具有内表面，所述内表面围绕内部容积，所述内部容积用于容纳源材料和一个或多个热传输元件，所述一个或多个热传输元件布置在坩锅的内部容积中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113166925B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201880099540.6
申请日：2018-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/24 , C23C16/455
Abstract: 本文所述的实施方式涉及一种用于在真空腔室中在基板(10)上沉积已蒸发材料的蒸气源配管(110)，其中所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴包括：第一喷嘴区段(121)，所述第一喷嘴区段沿着喷嘴轴线(A)延伸并具有被构造为释放已蒸发材料羽流(115)的蒸气释放开口(123)；和第二喷嘴区段(122)，所述第二喷嘴区段位于所述第一喷嘴区段(121)下游，所述第二喷嘴区段包括具有至少部分地朝向喷嘴出口(126)减小的尺寸的成形通道(125)。实施方式进一步涉及一种用于蒸气源的喷嘴、一种具有蒸气源的真空沉积系统和一种用于在真空腔室中在基板上沉积已蒸发材料的方法。(100)。所述蒸气源(100)包括具有多个喷嘴的分
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公开(公告)号：CN112135921A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201880093571.0
申请日：2018-06-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 安德烈亚斯·勒普
Abstract: 描述了一种用于在真空中将材料沉积在设置在沉积区域(A)中的基板(101)上的静态蒸发源(100)。所述静态蒸发源(100)包括：蒸发坩埚(110)，所述蒸发坩埚(110)被配置为蒸发至少一种材料；多个出口(120)，所述多个出口(120)被配置为在真空中朝向设置在沉积区域(A)中的基板(101)发出至少一种所蒸发的材料，所述多个出口(120)具有相应多个主蒸发方向(D)，所述多个主蒸发方向(D)中的至少两个主蒸发方向(D1、D2、D3)彼此不同；和分配系统(130)，所述分配系统(130)被配置为在所述蒸发坩埚(110)与所述多个出口(120)之间提供流体连通。
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公开(公告)号：CN112135920A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201880093054.3
申请日：2018-08-03
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述的实施方式涉及一种用于蒸发源(20)的屏蔽装置(200)。蒸发源(20)被配置成引导蒸发的源材料通过一个或多个出口(22)。屏蔽装置(200)包括一个或多个可移动屏蔽装置部分(205)，所述可移动屏蔽装置部分被配置成根据来自一个或多个出口(22)的蒸发的源材料的羽流(342)的发射角度来阻挡蒸发的源材料并且被配置成通过移动进行替换。披露了一种包括一个或多个屏蔽带(210)的屏蔽装置。还披露了一种蒸发源和一种屏蔽的方法。
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公开(公告)号：CN107002221A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083241.5
申请日：2014-11-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·班格特 , 安德烈亚斯·勒普 , 托马斯·格比利 , 乌韦·许斯勒 , 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波
IPC: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C16/455 , C23C14/04 , H05B33/10
Abstract: 描述一种用于在真空腔室(110)中将已蒸发的材料沉积在基板(121)上的材料沉积布置(100)。所述材料沉积布置包括两个材料沉积源(100a、100b)，它们各自具有分配管道(106a、106b)和一或多个喷嘴(712)。另外，描述一种包括材料沉积布置的真空沉积腔室、以及一种用于在真空沉积腔室中将已蒸发的材料沉积在基板上的方法。
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