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公开(公告)号：CN105177521B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510665382.4
申请日：2015-10-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 许名宏
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/545 , C23C14/546
摘要： 本发明提供提高薄膜的蒸镀监控精度的薄膜的蒸镀监测装置、薄膜蒸镀装置和薄膜的蒸镀监测方法、薄膜蒸镀方法。根据一个实施方式的薄膜的蒸镀监测装置对利用至少两个蒸镀源的薄膜的蒸镀进行监测，包括：膜厚计，其对利用上述至少两个蒸镀源蒸镀得到的薄膜的厚度进行测量；电阻测量器，其对上述薄膜的电阻进行测量；以及计算单元，其基于上述薄膜的由上述膜厚计测量的厚度和由上述电阻测量器测量的电阻，计算上述薄膜中的来自上述至少两个蒸镀源中的一个蒸镀源的材料的浓度。
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公开(公告)号：CN108315705A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810327894.3
申请日：2018-04-12
申请人： 西安交通大学
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/165 , C23C14/542
摘要： 本发明公开了一种提高非晶金属薄膜材料抗晶化能力的结构及其制备方法，所述结构包括非晶金属薄膜，非晶金属薄膜的下表面和上表面均覆盖有晶体层，形成三明治层状结构。非晶材料的晶化过程是原子重新排列、原子有序化的过程，该过程属热激活过程。在薄膜材料中，表面原子的扩散系数和跃迁频率比材料内部高数倍，因此在遮盖表面时可以有效地使原本位于表面的原子呈现与内部原子类似的性质，从而阻碍非晶材料和外界环境的能量传递过程，降低非晶材料晶化以及失稳的速度。本发明结构相对于对照组中同成分的单一非晶薄膜，抗晶化能力更强。本发明方法采用传统磁控溅射手段，成本低，可控性强，操作简单，易于实现和推广。
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公开(公告)号：CN108251800A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810335010.9
申请日：2018-04-15
申请人： 山东建筑大学
发明人： 张昌钦 , 其他发明人请求不公开姓名
CPC分类号： C23C14/165 , C23C14/352 , C23C14/542 , C23C14/5806
摘要： 本发明公开了一种Cu‑Al梯度薄膜材料及其制备方法，所述方法以商业铜箔或钠钙玻璃为基底，以高纯铜靶材铝靶材为溅射材料，高真空多靶磁控溅射设备为制备工具，通过在共溅射沉积的过程中固定铜靶靶位溅射功率、改变铝靶靶位的溅射功率实现膜材料中铜、铝相对含量的调节，通过改变共溅射时间来控制制备薄膜的厚度，最终制备了厚度可变的Cu‑Al梯度薄膜材料。本发明所述方法制备流程短、操作简单，参数控制范围宽，容易实现，梯度层厚度可随意控制等特点，具有良好的商业化前景。
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公开(公告)号：CN107541705A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710495599.4
申请日：2017-06-26
申请人： 威科仪器有限公司
发明人： 波里斯·L·宙斯 , 维克多·卡纳罗 , 尤里·尼古拉·叶夫图霍夫 , 山迪普·柯里 , 方兴杰
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/0605 , C23C14/0611 , C23C14/243 , C23C14/542 , C23C14/543 , C23C14/564 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32614 , H01J37/32633 , H01J37/3266
摘要： 本申请涉及供电弧等离子体沉积用的增强式阴极电弧源。改进的阴极电弧源和DLC膜沉积方法，其中在圆柱形石墨空腔内部产生定向喷射的含碳等离子体流，所述空腔的深度约等于阴极直径。所产生的碳等离子体膨胀通过孔口进入周围真空中，引起等离子体流发生强烈的自收缩。所述方法代表了一种重复工艺，其包括两个步骤：上述等离子体产生/沉积步骤和与之交替的回收步骤。这个步骤可以通过使空腔内部的阴极棒向孔口方向移动来定期除去腔壁上所积聚的过量碳。所述阴极棒伸出而高于所述孔口，且移回到初始阴极尖端位置。所述步骤可以定期再现直到膜沉积至目标厚度为止。技术优点包括膜硬度、密度和透明度改进、再现性高、持续操作时间长和微粒减少。
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公开(公告)号：CN107424947A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710702555.4
申请日：2017-08-16
申请人： 君泰创新(北京)科技有限公司
发明人： 张孟湜
CPC分类号： H01L21/67248 , C23C14/52 , C23C14/54 , C23C14/541 , C23C14/542 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C14/568 , G01K3/005 , G01K7/04 , G01K2007/422 , H01L21/67098 , H01L21/67253 , H01L31/0322 , H01L31/18 , Y02P70/521 , G01K7/02
摘要： 本发明提供了一种薄膜电池工艺设备的温度测试方法及系统，该方法包括：步骤S1、使测试装置依次进入工艺设备的进片腔、加热腔、工艺腔、冷却腔和出片腔，并依次测试并同时存储加热腔、工艺腔和冷却腔中各个加热区的当前温度；步骤S2、将当前温度与预设温度进行比对，根据比对结果调整加热腔、工艺腔和冷却腔中的各个加热区的加热器的加热温度。本发明提供的薄膜电池工艺设备的温度测试方法及系统通过测试装置来测试热腔、工艺腔和冷却腔中各个加热区的当前温度，将当前温度存储在存储装置中，并调整加热器的加热温度，使当前温度升高或降低，提高了薄膜电池的加工质量。
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公开(公告)号：CN105088172B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510605228.8
申请日：2015-09-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/24 , C23C14/546 , C23C14/547 , G01B11/0683
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种膜厚控制系统，包括：移动装置、膜厚测量仪及计算机，所述膜厚测量仪可移动地安装在所述移动装置上，并连接所述计算机，用于从计算机获取要测量位置的坐标点，并将测得的所述要测量位置的实际膜厚发送至计算机，所述计算机根据所述实际膜厚、预设膜厚及当前补偿值计算新补偿值，并将所述新补偿值发送至蒸镀装置用作补偿蒸镀参考。本发明还公开了一种膜厚控制方法。本发明的装置及方法能够更加精确地控制OLED有机发光材料的蒸镀膜厚。
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公开(公告)号：CN106987820A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710357909.6
申请日：2017-05-19
申请人： 信利光电股份有限公司
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/542
摘要： 本发明公开了一种镀膜治具及镀膜设备，镀膜治具包括定子部、转子部和第一连接部；定子部为扁长的框体；转子部为扁长的框体，内嵌在定子部内，用于放置待镀膜基板；在定子部相对的两侧面的中心位置处设置用于将转子部与定子部连接的、并带动转子部以中心轴旋转的第一连接部。在镀膜时，通过定子部将镀膜治具以一定安装角度安装在镀膜伞架上，待镀膜基板放置在转子部内；在镀膜过程中，镀膜伞架旋转，同时控制镀膜治具转子部以中心轴旋转而带动基板旋转，使在基板表面形成膜厚度按规律均匀变化的膜层。因此，本发明镀膜治具及镀膜设备，实现了在基板表面镀制形成厚度按规律均匀变化的膜层，可应用于制作渐变色盖板。
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公开(公告)号：CN106978589A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710262126.X
申请日：2017-04-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/246 , B01F3/04524 , C23C14/24 , C23C14/54 , C23C14/542 , H05B33/10
摘要： 本发明公开了一种用于蒸镀设备的挡板装置及蒸镀设备。挡板装置包括：挡板组件，所述挡板组件包括挡板，所述挡板用于在所述蒸镀设备中切换基板时，隔开蒸镀喷射源以及基板；至少一个收集装置，所述收集装置设在所述挡板组件的下方，用于收集从所述挡板上掉落的蒸镀材料，所述收集装置上具有将从所述蒸镀喷射源喷出的蒸镀材料导向所述挡板的导向面。根据本发明的挡板装置，可避免因挡板上的蒸镀材料掉落入蒸镀喷射源的周围而将蒸镀喷射源堵塞，进而避免因蒸镀喷射源被堵塞或部分堵塞而使得基板上镀层的均匀性受到影响。
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公开(公告)号：CN106939409A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710196778.8
申请日：2017-03-28
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/505 , C23C14/542
摘要： 本发明涉及一种多离子源溅射生产薄膜的装置及方法，该装置包括真空腔室及置于真空腔室内的靶材、离子源和产品平台；靶材及离子源均为多个且一一对应，靶材及离子源的类型能调整且两者均位于产品平台的上方，产品平台能旋转；每个离子源用于向对应的靶材溅射离子源束流，产品平台用于对从所有靶材脱离的材料分子沉积成薄膜。本发明通过将靶材及离子源均设置为多个且一一对应，通过控制离子源溅射对应类型的靶材的先后顺序，即能实现制造单层薄膜、多层薄膜及单层混合薄膜的要求，该装置在制膜过程中能将同一类型的离子源设置为多个，以提高靶材材料的沉积速度，通过调整靶材及离子源的类型，即能改变制造的单层混合薄膜中的材料成分。
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公开(公告)号：CN106460156A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480078568.3
申请日：2014-04-03
申请人： 应用材料公司
发明人： T·迪特尔
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/225 , C23C14/562 , H01J37/32568 , H01J37/347
摘要： 提供了一种用于在基板表面上溅射材料的溅射布置。所述溅射布置包括：至少一个溅射阴极，所述至少一个溅射阴极包括第一端部与第二端部，其中，所述溅射阴极沿第一轴线延伸；至少一个基板支撑件，配置成用于支撑基板并与所述至少一个溅射阴极相对地布置，其中所述基板支撑件沿第二轴线延伸，并且其中所述第二轴线与所述第一轴线形成第一夹角；以及至少一个致动装置，所述至少一个致动装置是可连接至所述至少一个溅射阴极的，特别是可连接至所述第一端部和/或所述第二端部的。所述至少一个致动装置配置成用于特别是在溅射工艺期间改变所述第一夹角。
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