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公开(公告)号：CN102986006B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180021218.X
申请日：2011-06-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/822 , B23K26/36 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/3065 , H01L21/3083 , H01L21/67069 , H01L21/67092 , H01L21/67207 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上形成掩模。所述掩模由覆盖且保护所述集成电路的层组成。用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化，以提供具有间隙的一经图案化的掩模。所述图案化曝露所述集成电路之间的所述半导体晶圆的区域。然后穿过所述经图案化的掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。
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公开(公告)号：CN113643983A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110290683.9
申请日：2021-03-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/52 , H01L23/495 , B23K26/0622 , B23K26/362
Abstract: 公开了用于封装制造的激光烧蚀。制造封围一个或多个半导体晶粒的框架的方法包括通过第一激光烧蚀工艺在基板中形成包括一个或多个空腔和一个或多个穿孔的一个或多个特征，在一个或多个穿孔中填充电介质材料，以及通过第二激光烧蚀工艺在填充于一个或多个穿孔中的电介质材料中形成通孔中通孔。一个或多个空腔被配置为在其中封围一个或多个半导体晶粒。在第一激光烧蚀工艺中，基于一个或多个特征的深度调整照射基板的第一脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。在第二激光烧蚀工艺中，基于通孔中通孔的深度调整照射电介质材料的第二脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。
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公开(公告)号：CN111801788A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016267.0
申请日：2019-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , B23K26/38 , H01L21/033
Abstract: 本案描述切割半导体晶片的方法。在一实例中，切割在其上具有集成电路的半导体晶片的方法包括在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用多程激光划刻工艺图案化掩模以提供具有间隙的图案化掩模，所述间隙暴露在集成电路之间的半导体晶片区域，多程激光划刻工艺包括沿第一边缘划刻路径的第一程、沿中心划刻路径的第二程、沿第二边缘划刻路径的第三程、沿第二边缘划刻路径的第四程、沿中心划刻路径的第五程及沿第一边缘划刻路径的第六程。然后穿过图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻半导体晶片以单体化集成电路。
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公开(公告)号：CN110998826A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880045337.0
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 描述了切割半导体晶片的方法。在一个示例中，一种对在其上具有多个集成电路的晶片进行切割的方法包含：将晶片切割成设置在切割带上的多个单切裸片(singulated die)。所述方法还包含在切割带上的多个单切裸片上方和之间形成材料层。所述方法还包括使切割带扩展，其中在扩展期间在材料层上收集多个颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105428281B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510982784.7
申请日：2011-06-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/78 , H01L21/308
Abstract: 本申请公开了使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割。本发明描述切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上形成掩模。所述掩模由覆盖且保护所述集成电路的层组成。用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化，以提供具有间隙的一经图案化的掩模。所述图案化曝露所述集成电路之间的所述半导体晶圆的区域。然后穿过所述经图案化的掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。
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公开(公告)号：CN108766936A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810568682.4
申请日：2012-05-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/308 , H01L21/67 , B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/364 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/3086 , B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/0624 , B23K26/0626 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/67207 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及使用具有多重脉冲串的脉冲列激光与等离子体蚀刻的晶圆切割。本文描述切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖并保护所述集成电路的层所组成。以使用多重脉冲串的脉冲列激光雕绘工艺图案化所述掩模，以提供具有间隔的图案化掩模。所述图案化暴露出在集成电路之间的半导体晶圆的区域。之后经由图案化掩模中的间隔蚀刻半导体晶圆，以切割所述集成电路。
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公开(公告)号：CN105428281A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510982784.7
申请日：2011-06-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/78 , H01L21/308
Abstract: 本申请公开了使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割。本发明描述切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上形成掩模。所述掩模由覆盖且保护所述集成电路的层组成。用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化，以提供具有间隙的一经图案化的掩模。所述图案化曝露所述集成电路之间的所述半导体晶圆的区域。然后穿过所述经图案化的掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。
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公开(公告)号：CN103650115A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033999.9
申请日：2012-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/67069 , B23K26/0624 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/67207 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 描述一种切割半导体晶圆的方法，其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。
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公开(公告)号：CN103155137A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280001234.7
申请日：2012-05-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/3086 , B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/0624 , B23K26/0626 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/67207 , H01L21/78
Abstract: 本发明描述切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有数个集成电路。一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成光罩。该光罩由覆盖并保护该等集成电路的层所组成。以使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩，以提供具有间隔的图案化光罩。该图案化暴露出在集成电路之间的半导体晶圆的区域。之后经由图案化光罩中的间隔蚀刻半导体晶圆，以切割该等集成电路。
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