公开(公告)号：CN103650115B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280033999.9

申请日：2012-05-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  B·伊顿 ,  S·辛格 ,  A·库玛

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327

Abstract: 描述一种切割半导体晶圆的方法，其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。

公开(公告)号：CN103608900A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280028768.9

申请日：2012-05-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·R·亚拉曼希里 ,  类维生 ,  B·伊顿 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  B·吴

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67207

Abstract: 藉由激光划线及等离子体蚀刻二者来分割基板的方法。一种方法包括下列步骤：利用等离子体蚀刻腔室，藉由累积一厚度的经等离子体沉积聚合物以形成原位掩模，以保护IC凸块表面不受后续等离子体蚀刻。可与经等离子体沉积聚合物一起应用第二掩模材料，诸如水溶性的掩模材料。以飞秒激光划线工艺图案化所述掩模的至少某些部分，以提供具有沟槽的经图案化掩模。图案化暴露出介于IC之间的基板区域，在所述区域中，所述基板受到等离子体蚀刻以裁切IC，且水溶性的材料层被洗掉。

公开(公告)号：CN103650128B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280030905.2

申请日：2012-05-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  S·辛格 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  B·伊顿 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明描述了切割半导体晶片的方法，其中各个晶片具有数个集成电路。一种方法包括形成遮罩于该半导体晶片上方。该遮罩覆盖且保护这些集成电路。以激光刻划工艺将该遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案化暴露介于这些集成电路之间的该半导体晶片的区域。然后，蚀刻该半导体晶片通过该图案化遮罩中的这些间隙，以形成单一化集成电路。然后，将该图案化遮罩从这些单一化集成电路分离。

公开(公告)号：CN103582943B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280027213.2

申请日：2012-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  J·M·霍尔登

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67207

Abstract: 提供了藉由激光划线和等离子体蚀刻二者分割基板的方法。一种方法包括：激光剥蚀材料层；以第一辐照度和后续的第二辐照度进行剥蚀，第二辐照度低于第一辐照度。可利用经调整而具有不同通量水平的射束的多重进程、或具有各种通量水平的多重激光束，在第一通量水平下剥蚀掩模和IC层以暴露基板，并且接着在第二通量水平下自沟槽底部清除再沉积的材料。一种利用分束器的激光划线装置可自单一激光提供具有不同通量的第一和第二射束。

公开(公告)号：CN104395988A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380033868.5

申请日：2013-06-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·K·乔杜里 ,  B·伊顿 ,  T·伊根 ,  A·库玛 ,  W-S·类 ,  M·R·亚拉曼希里

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/82

Abstract: 本文描述了用于使用激光及等离子体蚀刻的晶圆切割的均匀遮蔽。在实例中，一种切割具有数个具有凸块或立柱的集成电路的半导体晶圆的方法包括以下步骤：在半导体晶圆之上均匀地旋涂遮罩，该遮罩由覆盖及保护集成电路的层所组成。然后，利用激光划割工艺图案化该遮罩，以提供具有间隙的已图案化遮罩，从而曝露集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后，经由已图案化遮罩中的间隙蚀刻半导体晶圆，以分割集成电路。

公开(公告)号：CN104380437A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380031988.1

申请日：2013-06-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·K·乔杜里 ,  W-S·类 ,  T·伊根 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  A·库玛

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67155 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/18 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  B23K26/06 ,  B23K2103/16

Abstract: 本发明揭示使用UV可固化胶膜进行激光与等离子体蚀刻的晶圆切割法。形成掩模以覆盖该些形成在晶圆上的集成电路(IC)和任何用于为IC提供连接界面的凸块。利用双面UV可固化胶膜使该半导体晶圆与载体基板耦合。利用激光划线法对该掩模进行图案化以提供具有缝隙的图案化掩模。该图案暴露出位在多个薄膜层(该等薄膜层形成集成电路)下方之该半导体晶圆的多个区域。随后通过该图案化掩模中的缝隙而蚀刻该半导体晶圆以切割该等IC。利用UV照射穿过该载体使该UV可固化胶膜部分固化。接着例如利用取放机个别地使该等已切割的IC脱离该部分固化的胶膜，且该部分固化的胶膜仍附着于该载体基板。随后可进一步固化该UV可固化胶膜以从该载体基板上完全去除该膜。

公开(公告)号：CN104169040A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380014729.8

申请日：2013-04-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛

IPC: B23K26/40 ,  B23K26/06 ,  B23K26/364 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  H01L21/3086

Abstract: 兹描述切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有数个集成电路。方法包括形成遮罩于半导体晶圆上。遮罩由覆盖及保护集成电路的层组成。利用多步骤激光划线工艺图案化遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩。图案化露出集成电路间的半导体晶圆区域。接着经由图案化遮罩的间隙蚀刻半导体晶圆，以单粒化集成电路。

公开(公告)号：CN103703546A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280036369.7

申请日：2012-05-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  S·辛格 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  B·伊顿 ,  A·库玛

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0876 ,  B23K26/361 ,  B23K26/53 ,  B23K37/0247 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/67207

Abstract: 兹描述切割半导体晶片的方法，每一晶片具有多个集成电路。方法包括形成掩模于半导体晶片上。掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。接着以电流激光划线制程图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路间的半导体晶片区域。接着经由图案化掩模的间隙蚀刻半导体晶片，以单粒化集成电路。

公开(公告)号：CN103650128A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280030905.2

申请日：2012-05-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  S·辛格 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  B·伊顿 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明描述了切割半导体晶片的方法，其中各个晶片具有数个集成电路。一种方法包括形成遮罩于该半导体晶片上方。该遮罩覆盖且保护这些集成电路。以激光刻划工艺将该遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案化暴露介于这些集成电路之间的该半导体晶片的区域。然后，蚀刻该半导体晶片通过该图案化遮罩中的这些间隙，以形成单一化集成电路。然后，将该图案化遮罩从这些单一化集成电路分离。

公开(公告)号：CN102986006A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180021218.X

申请日：2011-06-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  J·M·霍尔登

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/822 ,  B23K26/36 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述切割半导体晶圆之方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在该半导体晶圆上方形成一遮罩。该遮罩由覆盖且保护该等集成电路之一层组成。用一基于飞秒之激光划线制程将该遮罩布局图样，以提供具有间隙之一经布局图样之遮罩。该布局图样曝露该等集成电路之间的该半导体晶圆之区域。然后将该半导体晶圆蚀刻穿过该经布局图样之遮罩中的该等间隙，以单分该等集成电路。