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公开(公告)号：CN111986975B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010862237.6
申请日：2015-11-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 增进工艺均匀性的方法及系统。半导体处理腔室可包含远程等离子体区域，及与远程等离子体区域流体耦接的处理区域。处理区域可被配置为在支撑基座上容纳基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座也可包含与基座的远程部分耦接的或在基座的外侧区域处的环形构件。环形构件可包含与第一材料不同的第二材料。
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公开(公告)号：CN105977126B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610576148.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实施例提供使用具有可移动式孔的离子蚀刻腔室来蚀刻基板的设备及方法。离子蚀刻腔室具有腔室主体，腔室主体包围处理区域、基板支撑件、等离子体源、离子‑自由基屏蔽件及可移动式孔部件。基板支撑件布置于处理区域中且具有基板接收表面。等离子体源布置于面对基板接收表面的腔室主体的壁上。离子‑自由基屏蔽件布置于等离子体源与基板接收表面间。可移动式孔部件介于离子‑自由基屏蔽件与基板接收表面间。可移动式孔部件通过升举组件而致动，升举组件包含升举环及自升举环至孔部件的升举支撑件。离子‑自由基屏蔽件通过经由孔部件而布置的屏蔽件支撑件而支撑。孔大小、形状及/或中心轴位置可藉使用插入件而改变。
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公开(公告)号：CN103650115B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280033999.9
申请日：2012-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/67069 , B23K26/0624 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/67207 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 描述一种切割半导体晶圆的方法，其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。
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公开(公告)号：CN104412368A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380035367.0
申请日：2013-06-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
Abstract: 描述了用于切割半导体晶圆及运送单切晶粒的方法。在一实例中，一种用于切割具有多个集成电路在其上的晶圆的方法包含了将该晶圆切割为配置在一切割胶带上方的多个单切晶粒。该方法也包含在该切割胶带上方、该多个单切晶粒上与其间形成一水溶性材料层。
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公开(公告)号：CN103620744A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280026219.8
申请日：2012-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32477 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32651
Abstract: 本发明的实施例大体上关于用等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边及背面的方法与设备。本发明的实施例提供一种边缘保护板，该边缘保护板具有通孔，该通孔在尺寸上小于受处理的基板，其中该边缘保护板在等离子体腔室中可定位在紧密接近基板处。该边缘保护板重叠基板上的边缘及/或侧边，以便向基板的边缘、侧边、及背面上的反射涂层提供保护。
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公开(公告)号：CN103620734A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280028710.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/6719 , Y10T137/0318 , Y10T137/87096
Abstract: 本发明的实施例关于气体输送系统。该气体输送系统包括与一个或更多个气体控制板及一处理腔室流体连通的快速气体交换模块。快速气体交换模块具有第一组流量控制器及第二组流量控制器且其中每一组流量控制器都具有多个流量控制器。配置流量控制器以使得将在第一组流量控制器及第二组流量控制器中的每一个流量控制器独立操作以选择性地打开，从而将气体分流至处理腔室或排气装置。操作第一组流量控制器及第二组流量控制器以将在流量控制器致动的预定时序中的气体的切换同步。本发明使处理腔室中的合成气流能够快速切换，同时将个别流量控制器以更低切换速度操作而提供更长使用寿命。
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公开(公告)号：CN103608900A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280028768.9
申请日：2012-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0624 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L21/30655 , H01L21/3086 , H01L21/67207
Abstract: 藉由激光划线及等离子体蚀刻二者来分割基板的方法。一种方法包括下列步骤：利用等离子体蚀刻腔室，藉由累积一厚度的经等离子体沉积聚合物以形成原位掩模，以保护IC凸块表面不受后续等离子体蚀刻。可与经等离子体沉积聚合物一起应用第二掩模材料，诸如水溶性的掩模材料。以飞秒激光划线工艺图案化所述掩模的至少某些部分，以提供具有沟槽的经图案化掩模。图案化暴露出介于IC之间的基板区域，在所述区域中，所述基板受到等离子体蚀刻以裁切IC，且水溶性的材料层被洗掉。
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公开(公告)号：CN119864270A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510085107.9
申请日：2019-12-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。
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公开(公告)号：CN113614900A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201980088573.5
申请日：2019-12-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。
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公开(公告)号：CN111986975A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010862237.6
申请日：2015-11-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 增进工艺均匀性的方法及系统。半导体处理腔室可包含远程等离子体区域，及与远程等离子体区域流体耦接的处理区域。处理区域可被配置为在支撑基座上容纳基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座也可包含与基座的远程部分耦接的或在基座的外侧区域处的环形构件。环形构件可包含与第一材料不同的第二材料。
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