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    一种硅异质结太阳能电池的制作方法
    12.
    发明公开
    一种硅异质结太阳能电池的制作方法 有权

    公开(公告)号：CN104112795A

    公开(公告)日：2014-10-22

    申请号：CN201410368289.2

    申请日：2014-07-30

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 田小让 ,  王进 ,  谷士斌 ,  张林 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC分类号： H01L31/20

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/202

    摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的制作方法，采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层；采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层；采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理；其中，第二温度大于第一温度。由于采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式，通过测试数据可知，可以使硅异质结太阳能电池中的a-Si:H/c-Si界面获得较好的钝化效果，有利于获得较长的少子寿命，进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压，增强硅异质结太阳能电池的性能。

    太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池
    14.
    发明公开
    太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池 有权

    公开(公告)号：CN103441182A

    公开(公告)日：2013-12-11

    申请号：CN201310310929.X

    申请日：2013-07-23

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 田小让 ,  毛卫平 ,  谷士斌 ,  陈宇 ,  杨荣 ,  孟原 ,  郭铁 ,  李立伟

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了太阳能电池的绒面处理方法和太阳能电池。所述绒面处理方法，包括：采用HCl和HF的混合水溶液对制绒后太阳能电池的绒面进行初步清洗，HCl和HF的混合水溶液中，HCl的质量分数为3%～7%，HF的质量分数为1%～2%；采用HNO3和HF的混合水溶液对初步清洗后的绒面进行刻蚀，HNO3和HF的混合水溶液中，HNO3的质量分数为20%～50%，HF的质量分数为0.5%～5%；采用H2SO4和H2O2的混合水溶液对刻蚀后的绒面进行氧化，形成氧化层，H2SO4和H2O2的混合水溶液中，H2SO4的质量分数为60%～80%，H2O2的质量分数为5%～12%。本发明绒面处理方法，提高了电池的性能。

    透明导电薄膜及其制备方法
    15.
    发明授权
    透明导电薄膜及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN102034901B

    公开(公告)日：2012-11-21

    申请号：CN201010527670.0

    申请日：2010-10-27

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 雷志芳 ,  陈光羽 ,  唐茜 ,  谷士斌 ,  孙书龙 ,  刘恒瑜 ,  李立伟 ,  郭铁 ,  孟原 ,  周德领

    IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  H01L31/0224

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及一种太阳电池，尤其涉及作为太阳电池的前电极的透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述透明导电薄膜的制备方法包括下述步骤：在有氩气存在的压强为0.5～3Pa的气体环境中，在温度为200～300℃的预设有阻挡层的衬底上磁控溅射掺杂氧化锌，形成厚度为800～1200nm的透明导电薄膜。本发明还提供由该制备方法得到的透明导电薄膜以及将该透明导电薄膜刻蚀得到的绒面透明导电薄膜。另外，本发明还涉及含有该绒面透明导电薄膜的复合结构以及太阳电池。本发明的透明导电薄膜经制绒，能得到雾度高的绒面，从而增加太阳光的吸收，提高太阳电池的光电转换效率。

    异质结太阳能电池的制作方法以及用于生产电池的模具
    17.
    发明授权
    异质结太阳能电池的制作方法以及用于生产电池的模具 有权

    公开(公告)号：CN107275438B

    公开(公告)日：2019-04-05

    申请号：CN201710398693.8

    申请日：2014-12-24

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 谷士斌 ,  任明冲 ,  张林 ,  徐湛 ,  杨荣 ,  王琪 ,  李立伟 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/673

    摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池的制作方法以及用于生产电池的模具，用以通过将异质结太阳能电池放入预设的模具中，利用该模具的遮挡，从而降低了导电特性的材料在电池的边缘处沉积的概率，减少了电池正电极与负电极发生短路的现象，实现电池转换的效率及电池的性能的提升。该方法包括：将未沉积导电特性材料的异质结太阳能电池放入用于减少导电特性材料在异质结太阳能电池的边缘处沉积的模具；通过物理气相沉积工艺，利用所述模具得到异质结太阳能电池。

    一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射装置
    18.
    发明授权
    一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射装置 有权

    公开(公告)号：CN106350777B

    公开(公告)日：2019-01-15

    申请号：CN201611032173.7

    申请日：2016-11-22

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 赵鑫 ,  任明冲 ,  张林 ,  谷士斌 ,  赵冠超 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC分类号： C23C14/35

    摘要： 本发明公开了一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射装置，包括：阴极背板，设置在阴极背板底面的底环结构，以及气体管路；其中，底环结构环内限定的区域为靶材放置区域；底环结构包括：固定于阴极背板底面的上环，以及固定于上环背离阴极背板一侧的底环；上环和底环之间形成有环状中空结构，环状中空结构面向靶材放置区域的一侧设置有气体通道；气体管路贯穿阴极背板和上环后与环状中空结构导通。由于气体管路贯穿阴极背板和上环后与环状中空结构导通，并且环状中空结构面向靶材放置区域的一侧设置有气体通道，从而促使气体能够通入环状中空结构内，并沿着气体通道通向靶材，因此，有效缩短了气体与靶材之间的距离，从而使得气体更容易被电离。

    一种硅异质结太阳能电池及其制作方法
    20.
    发明授权
    一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN105304765B

    公开(公告)日：2017-08-29

    申请号：CN201510776429.4

    申请日：2015-11-13

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 田小让 ,  侯洪涛 ,  赵冠超 ,  谷士斌 ,  张林 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0747

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，用以提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。硅异质结太阳能电池的制作方法包括：对硅片进行去损伤层、制绒和清洗；将完成上述步骤的硅片进行硫化处理；在完成上述步骤的硅片的上表面制作第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层，在该硅片的下表面制作第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层；在第一非晶硅本征层和第一非晶硅掺杂层的表面上依次制作第一透明导电氧化物膜层和第一电极，在第二非晶硅本征层和第二非晶硅掺杂层的表面上依次制作第二透明导电氧化物膜层和第二电极。