公开(公告)号：CN103210127A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054125.7

申请日：2011-11-04

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  森口晃治 ,  冈田信宏 ,  旦野克典 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/00

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B15/30 ,  C30B15/36 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。

公开(公告)号：CN104756289A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380055994.0

申请日：2013-08-27

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 山本祐義 ,  祢宜教之 ,  永田辰夫 ,  森口晃治 ,  米村光治 ,  掛下知行 ,  寺井智之 ,  福田隆

IPC: H01M4/38 ,  C22C9/02

Abstract: 提供可以改善以锂离子二次电池为代表的非水电解质二次电池的单位体积的容量和充放电循环特性的负极活性物质材料。本实施方式的负极活性物质材料含有合金相。合金相在释放金属离子时或吸收金属离子时发生热弹性型无扩散相变。本实施方式的负极活性物质材料可以用于非水电解质二次电池。热弹性型无扩散相变的含义为所谓的热弹性型马氏体相变。

公开(公告)号：CN109155404A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780030225.3

申请日：2017-05-18

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 山本祐義 ,  永田辰夫 ,  森口晃治

IPC: H01M4/38 ,  B22F1/00 ,  C22C9/02

Abstract: 本发明提供一种用于非水电解质二次电池且能够改善单位体积的容量和充放电循环特性的负极活性物质材料。本实施方式的负极活性物质材料包含合金颗粒，所述合金颗粒具有如下化学组成：以at％计含有Sn：13.0～24.5％和Si：3.0～15.0％，余量为Cu和杂质。合金颗粒含有如下相：在X射线衍射曲线中，作为具有最大衍射积分强度的衍射线的最强衍射线的峰在衍射角2θ的42.0～44.0度的范围出现。合金颗粒的最强衍射线的半值宽度为0.15～2.5度。

公开(公告)号：CN109312426A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035286.9

申请日：2017-06-06

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 山本祐義 ,  永田辰夫 ,  森口晃治

IPC: C22C9/02 ,  B22D11/00 ,  B22D11/06 ,  H01M4/38 ,  C22C1/02

Abstract: 本发明提供一种用于非水电解质二次电池且能够改善单位体积的容量和充放电循环特性的负极活性物质材料。本实施方式的负极活性物质材料包含合金，所述合金具有如下化学组成：以原子％计含有Sn：10.0～22.5％和Si：10.5～23.0％，余量为Cu和杂质。合金在Cu-Sn的二元系状态图中具有η'相、ε相和Sn相中的至少1种以上的相，合金的微观组织具有网状区域(20)和被网状区域(20)包围的岛状区域(10)。岛状区域(10)的平均尺寸以圆当量直径计为900nm以下。

公开(公告)号：CN107075723A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580048515.1

申请日：2015-08-31

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  关和明 ,  岸田豊 ,  森口晃治 ,  海藤宏志

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B29/36

Abstract: 本实施方式的制造方法具备生成工序(S1)、第1生长工序(S2)、恢复工序(S3)和第2生长工序(S4)。生成工序(S1)中，在坩埚内生成含有Si、Al和C的Si‑C溶液。第1生长工序(S2)中，将籽晶轴下降，使安装于籽晶轴的下端的SiC晶种与Si‑C溶液接触后，使Al掺杂的p型SiC单晶在SiC晶种上生长。恢复工序(S3)中，在第1生长工序(S2)后，提高Si‑C溶液的Al浓度。第2生长工序(S4)中，在恢复工序(S3)后，使Al掺杂的p型SiC单晶继续生长。

公开(公告)号：CN104487619A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380035149.7

申请日：2013-07-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 矢代将齐 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光 ,  加渡干尚

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/36 ,  C30B19/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/32 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032

Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置（10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。

公开(公告)号：CN104487619B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380035149.7

申请日：2013-07-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 矢代将齐 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光 ,  加渡干尚

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/36 ,  C30B19/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B15/32 ,  C30B19/04 ,  C30B19/067 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032

Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。