公开(公告)号：CN101046969B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200610075072.8

申请日：2006-03-31

Applicant: 新科实业有限公司

Inventor： 方宏新 ,  丁宇 ,  马洪涛 ,  上田国博

IPC: G11B5/187 ,  G11B5/60

Abstract: 一种具有微纹(micro-texture)的磁头的制造方法，包括如下步骤：(1)提供由复数磁头构成的长形磁条，其中每个磁头包括一个空气支承面及设于其上的极尖区域(pole tip region)；(2)在所述每个磁头的极尖区域上形成第一保护膜；(3)蚀刻所述磁头的空气支承面而在其上形成凹凸相间的微纹(micro-texture)，所述极尖区域由于第一保护膜的保护而免于被蚀刻；(4)去除覆盖于所述磁头极尖区域上的第一保护膜；(5)在所述磁头的空气支承面上形成第二保护膜。该方法可使磁头的极尖区域在制造过程中不受影响，从而可保证磁头的读写性能，并保证可在磁头的空气支承面及其极尖区域上形成完整的保护膜，从而提高磁头的抗腐蚀性能。

公开(公告)号：CN1822109B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200610005991.8

申请日：2006-01-16

Applicant: 新科实业有限公司

Inventor： 伊藤善映 ,  中田刚 ,  上田国博

IPC: G11B5/60 ,  G11B5/127

CPC classification number: G11B5/102 ,  G11B5/187 ,  G11B5/6005 ,  G11B5/6082

Abstract: 本发明提供的面形状形成装置包括：对蚀刻对象(1)的规定表面形成规定形状的保护层形成装置、以及对形成有保护层的蚀刻对象(1)的规定表面进行蚀刻处理的蚀刻装置，其中，保护层形成装置包括：在蚀刻对象的规定表面上附着保护层材料的保护层附着装置，以及对该被附着的保护层材料照射根据控制器指令移动的激光束以去除一部分保护层材料从而修整成规定形状的激光照射装置(2)。本发明的面形状形成装置可短时间、低成本的形成蚀刻对象的面形状，并实现该形成的面形状的高精度化。

公开(公告)号：CN101727914A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810175177.X

申请日：2008-10-27

Applicant: 新科实业有限公司

Inventor： 上田国博 ,  方宏新 ,  王东

IPC: G11B5/127

Abstract: 本发明公开了一种磁头空气承载面上类金刚石碳层的形成方法，包括下列步骤：将具有空气承载面的磁头阵列分布；通过在空气承载面积淀第一类金刚石碳层从而在磁头空气承载面形成一个包括磁头材料和该类金刚石碳层材料的混合层；去除第一类金刚石碳层，露出混合层；在该混合层上形成第二类金刚石碳层。

公开(公告)号：CN101452706A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196399.5

申请日：2007-11-28

Applicant: 新科实业有限公司 ,  株式会社岛津制作所

Inventor： 上田国博 ,  方宏新 ,  王东 ,  小西善之 ,  上野智子 ,  冈田繁信

IPC: G11B5/255 ,  G11B5/40 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀性良好的薄膜保护膜的形成方法，根据该方法可以提供高品质的被保护体。本发明所涉及的在被保护体的至少一部分表面形成保护膜的方法，包括在所述被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序及在该底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序；其中，在所述底膜形成工序中，反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再部分或全部除去该底膜的环节，从而在被保护体的表面多次形成底膜。而且，还包括在进行所述DLC膜形成工序之前进行的在所述形成类金刚石碳膜的底膜表面上形成绝缘层的绝缘层形成工序。

公开(公告)号：CN1691138A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067692.2

申请日：2005-04-22

Applicant: 新科实业有限公司

Inventor： 上田国博

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/48

CPC classification number: C23C14/022 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/325

Abstract: 一种薄膜磁头制造方法包括如下步骤：将在上面形成有大量薄膜磁头元件的晶片切割成每一个都具有多个对准的薄膜磁头元件的排件的步骤，通过离子束腐蚀方法清洗每个所切割排件与磁记录介质相对的表面的步骤，在排件的清洁表面上沉积保护膜的步骤，和之后分离该排件的步骤。