具有微纹的磁性读/写磁头及其制造方法

    公开(公告)号:CN1925001B

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200510096994.2

    申请日:2005-08-31

    IPC分类号: G11B5/187 G11B5/60 G11B21/21

    摘要: 一种在磁性读/写磁头的空气支承面(ABS)上形成微纹的方法,包括下列步骤:(a)将复数磁头阵列排列在托盘中,每个磁头包括一个朝上的极尖(pole tip);(b)把所述托盘装入处理室中,并将所述处理室抽成具有预定压力的真空;(c)将含氧处理气体导入所述处理室中;(d)将所述磁头暴露于所述处理气体中的蚀刻手段(etchingmeans)中并对其表面进行蚀刻而在其上形成明显的两阶结构。本发明也揭露了通过上述方法形成的磁性读/写磁头的结构。

    写元件、热辅助磁头滑动块、磁头折片组合及制造方法

    公开(公告)号:CN103811027B

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201210452363.X

    申请日:2012-11-13

    IPC分类号: G11B5/60 G11B5/84

    摘要: 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块的写元件,包括:面向磁性记录媒介的空气承载面;第一磁极、第二磁极以及层夹于所述第一磁极和第二磁极之间的线圈;波导路,用于引导由安装于热辅助磁头滑动块的衬底之上的光源模块产生的光;以及设置于所述第一磁极和所述波导路附近的等离子体激元单元,所述等离子体激元单元具有一近场光产生表面以传播近场光至所述空气承载面。其中,所述等离子体激元单元的所述近场光产生表面与所述空气承载面相距第一预定距离以形成第一凹陷,且所述第一凹陷填充有保护层。本发明能防止等离子体激元单元凸伸出空气承载面,从而改善热辅助磁头滑动块的性能。本发明还公开了热辅助磁头滑动块、磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。

    防磁头隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法及微纹形成方法

    公开(公告)号:CN101075437B

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN200610081900.9

    申请日:2006-05-16

    IPC分类号: G11B5/39

    摘要: 本发明公开了一种防止磁头隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法,包括下列步骤:将由若干磁头结构的本体构成的磁条定位在一托盘上,每一磁头结构的本体具有一极尖,极尖具有一隧道磁电阻元件;将所述托盘装入处理室,抽空处理室至预设的压强;向所述处理室引入包含氧气的处理气体;及将所述磁头结构的本体暴露在处理气体中的蚀刻手段中,使隧道磁电阻元件表面氧化而形成一层氧化层。该氧化层阻止隧道磁电阻元件的电路形成分路,防止磁阻阻抗降低,从而改善磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读取性能。本发明同时公开了在上述方法中在磁头表面形成微纹的方法,还公开了磁头的制造方法。

    防磁头隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法及微纹形成方法

    公开(公告)号:CN101075437A

    公开(公告)日:2007-11-21

    申请号:CN200610081900.9

    申请日:2006-05-16

    IPC分类号: G11B5/39

    摘要: 本发明公开了一种防止磁头之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法,包括下列步骤:将由若干磁头结构的本体构成的磁条定位在一托盘上,每一磁头结构的本体具有一极尖,极尖具有一隧道磁电阻元件;将所述托盘装入处理室,抽空处理室至预设的压强;向所述处理室引入包含氧气的处理气体;及将所述磁头结构的本体暴露在处理气体中的蚀刻手段中,使隧道磁电阻元件表面氧化而形成一层氧化层。该氧化层阻止隧道磁电阻元件的电路形成分路,防止磁阻阻抗降低,从而改善磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读取性能。本发明同时公开了在上述方法中在磁头表面形成微纹的方法,还公开了磁头的制造方法。

    具有微纹的磁头的制造方法

    公开(公告)号:CN101046969A

    公开(公告)日:2007-10-03

    申请号:CN200610075072.8

    申请日:2006-03-31

    IPC分类号: G11B5/187 G11B5/60

    摘要: 一种具有微纹(micro-texture)的磁头的制造方法,包括如下步骤:(1)提供由复数磁头构成的长形磁条,其中每个磁头包括一个空气支承面及设于其上的极尖区域(pole tip region);(2)在所述每个磁头的极尖区域上形成第一保护膜;(3)蚀刻所述磁头的空气支承面而在其上形成凹凸相间的微纹(micro-texture),所述极尖区域由于第一保护膜的保护而免于被蚀刻;(4)去除覆盖于所述磁头极尖区域上的第一保护膜;(5)在所述磁头的空气支承面上形成第二保护膜。该方法可使磁头的极尖区域在制造过程中不受影响,从而可保证磁头的读写性能,并保证可在磁头的空气支承面及其极尖区域上形成完整的保护膜,从而提高磁头的抗腐蚀性能。

    写元件、热辅助磁头滑动块、磁头折片组合及制造方法

    公开(公告)号:CN103811027A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201210452363.X

    申请日:2012-11-13

    IPC分类号: G11B5/60 G11B5/84

    摘要: 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块的写元件,包括:面向磁性记录媒介的空气承载面;第一磁极、第二磁极以及层夹于所述第一磁极和第二磁极之间的线圈;波导路,用于引导由安装于热辅助磁头滑动块的衬底之上的光源模块产生的光;以及设置于所述第一磁极和所述波导路附近的等离子体激元单元,所述等离子体激元单元具有一近场光产生表面以传播近场光至所述空气承载面。其中,所述等离子体激元单元的所述近场光产生表面与所述空气承载面相距第一预定距离以形成第一凹陷,且所述第一凹陷填充有保护层。本发明能防止等离子体激元单元凸伸出空气承载面,从而改善热辅助磁头滑动块的性能。本发明还公开了热辅助磁头滑动块、磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。

    用于蚀刻过程的晶圆保持装置及控制晶圆蚀刻速率的方法

    公开(公告)号:CN101231966A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200710007349.8

    申请日:2007-01-23

    摘要: 本发明公开了一种用于蚀刻过程的晶圆保持装置,包括底盘;设置于所述底盘上的顶盖,该顶盖设有至少一个物料孔;位于所述底盘上且放置于所述顶盖的物料孔内的底板凸台;及安放于所述底板凸台上且放于所述物料孔内的晶圆夹具,该晶圆夹具承载将进行蚀刻的晶圆。所述顶盖一远离所述底盘的表面上设有至少一气体稀释凹槽,所述气体稀释凹槽与所述物料孔连通以稀释在蚀刻过程中产生的副产品气体,从而改善晶圆的蚀刻均匀性。本发明还公开了一种控制晶圆局部蚀刻速率的方法,所述晶圆表面与所述物料孔的内壁之间形成几何台阶,通过改变几何台阶高度加快或减慢局部的蚀刻反应,从而改善晶圆的蚀刻均匀性。

    薄膜形成方法和系统
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100341047C

    公开(公告)日:2007-10-03

    申请号:CN03159543.X

    申请日:2003-09-17

    IPC分类号: G11B5/127 G11B5/84 C23C16/44

    摘要: 本发明公开了一种薄膜形成方法,该方法包括如下步骤:(1)固持至少一个物体在真空室中;(2)沉积一种成膜材料在所述物体上;(3)在沉积成膜材料的同时蚀刻所述成膜材料;在本发明中,所述沉积与蚀刻过程是同时进行的。所述沉积过程是通过置备一个成膜靶材而进行的。所述蚀刻过程包括如下步骤:在所述真空室中置备具有特定压力的惰性或活性气体;离子化所述气体产生蚀刻离子束轰击所述物体。本发明同时公开了一种实现上述方法的系统。

    具有微纹的磁头的制造方法

    公开(公告)号:CN101046969B

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200610075072.8

    申请日:2006-03-31

    IPC分类号: G11B5/187 G11B5/60

    摘要: 一种具有微纹(micro-texture)的磁头的制造方法,包括如下步骤:(1)提供由复数磁头构成的长形磁条,其中每个磁头包括一个空气支承面及设于其上的极尖区域(pole tip region);(2)在所述每个磁头的极尖区域上形成第一保护膜;(3)蚀刻所述磁头的空气支承面而在其上形成凹凸相间的微纹(micro-texture),所述极尖区域由于第一保护膜的保护而免于被蚀刻;(4)去除覆盖于所述磁头极尖区域上的第一保护膜;(5)在所述磁头的空气支承面上形成第二保护膜。该方法可使磁头的极尖区域在制造过程中不受影响,从而可保证磁头的读写性能,并保证可在磁头的空气支承面及其极尖区域上形成完整的保护膜,从而提高磁头的抗腐蚀性能。