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公开(公告)号：CN1224129C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02108121.2
申请日：2002-03-27
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M2004/027 , H01M2010/4292
Abstract: 本发明涉及一种用于二次电池的能够吸附和释放锂离子的阳极以及使用这种阳极的二次电池，该阳极包括由下面各部分组成的多层结构：第一层，其主要成份是碳；第二层，其主要成份包括一个锂吸附材料膜，该膜能够比碳的理论锂吸附容量吸附更多的锂。本发明可以提供二次电池，该电池的电池容量在其实际使用的范围内得到根本改善，同时它还具有较高的充放电效率和良好的循环性能。
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公开(公告)号：CN1639889A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804419.6
申请日：2003-01-22
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/38 , H01M4/13 , H01M4/366 , H01M10/052
Abstract: 本发明的一个目的是提供二次电池用负极和使用所述电极的二次电池，所述电极具有高容量并且即使在数次循环之后也能抑制电池内部电阻的升高和容量的减少。在集电极1a上形成包含吸藏和释放Li构件的第一活性材料层2a，并在其上面形成第二活性材料层3a作为合金层，该层含有与锂形成合金的金属或锂以及不与锂形成合金的金属。使用所述负极构建二次电池。
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公开(公告)号：CN1610816A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02826339.1
申请日：2002-12-26
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: F28D15/02
CPC classification number: H01M4/13 , H01M4/366 , H01M10/052 , H01M2004/027 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明提供一种同时具有高的重量能量密度和良好的循环特征(延长使用时的容量保留比率)的锂离子二次电池。该二次电池包括：负极，其具有碳和与锂形成合金的锂吸收材料作为负极活性材料，上述活性材料具有层结构；和正极，其能够吸收和解吸锂离子；在负极和正极之间设置的电解溶液，其中在放电深度为100％时负极中锂吸收材料层的Li含量为31到67原子％。
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公开(公告)号：CN1579028A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03801385.1
申请日：2003-02-25
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/133 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/405 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525 , H01M10/0587
Abstract: 一种用简单的方法生产的多层负极，其具有作为第一层的碳层，在电池的实际应用电压范围内具有很高的电池容量，同时能够保持高充电/放电效率和良好的循环特性。主要组分是碳的第一层(2a)和主要组分是具有锂离子导电性的膜状材料的第二层(3a)堆叠在铜箔(1a)上。形成第二层(3a)的方法是：将至少一种金属颗粒、合金颗粒和金属氧化物颗粒分散在其中溶解有粘合剂的溶液中，然后将涂布液涂布和干燥。
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公开(公告)号：CN101569003A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780047805.X
申请日：2007-12-20
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/312 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31633 , C23C16/30 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在抑制布线可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体装置，其中含铜布线覆盖有阻挡绝缘膜，所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。即，所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖，所述阻挡绝缘膜具有含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构。因此，降低了布线间的电容而不会劣化所述含铜布线的可靠性，从而实现了具有低功率消耗的高速LSI。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101495674A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780027766.7
申请日：2007-07-23
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 一种形成多孔质绝缘膜的方法，使用具有3元SiO环状结构以及4元SiO环状结构的有机硅石的原料气体、或者具有3元SiO环状结构以及直链状有机硅石结构的有机硅石的原料气体，通过等离子体反应成膜。能够获得具有高强度、高粘合性的多孔质的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN100367542C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN03809315.4
申请日：2003-05-22
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/405 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/027
Abstract: 由于在负极集电体(1a)上形成以碳为主要成分的第一层(碳层(2a)和包括理论容量比石墨的理论容量大的粒子的第二层(Li吸留层(3a)，所以可以实现高容量和高工作电压。由于理论容量小于或等于石墨的理论容量的元素被添加到组成该第二层的粒子中，所以可以抑制充放电时体积的膨胀和收缩。因此，即使经过循环也可以抑制容量的劣化。
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公开(公告)号：CN1324729C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN03803615.0
申请日：2003-04-09
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/13 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/505 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/027
Abstract: 一种负极和包括该负极的锂二次电池，该负极包括具有以碳为主成分的第1层(21)；第2层(22)，该第2层(22)以具有锂离子传导性，并且可吸收和排放锂离子的材料为主成分的多层结构，或包括具有上述第1层和第2层，以及具有锂的第3层(23)的多层结构。本发明可提供下述的锂二次电池，其保持较高的充放电效率，良好的循环特性，同时在实际上电池所采用的电压范围，使电池容量实质上提高。
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公开(公告)号：CN1630956A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03803615.0
申请日：2003-04-09
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/13 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/505 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/027
Abstract: 一种负极和包括该负极的锂二次电池，该负极包括具有以碳为主成分的第1层(21)；第2层(22)，该第2层(22)以具有锂离子传导性，并且可吸收和排放锂离子的材料为主成分的多层结构，或包括具有上述第1层和第2层，以及具有锂的第3层(23)的多层结构。本发明可提供下述的锂二次电池，其保持较高的充放电效率，良好的循环特性，同时在实际上电池所采用的电压范围，使电池容量实质上提高。
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公开(公告)号：CN101569003B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200780047805.X
申请日：2007-12-20
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/312 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31633 , C23C16/30 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在抑制布线可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体装置，其中含铜布线覆盖有阻挡绝缘膜，所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。即，所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖，所述阻挡绝缘膜具有含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构。因此，降低了布线间的电容而不会劣化所述含铜布线的可靠性，从而实现了具有低功率消耗的高速LSI。
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