公开(公告)号：CN111094638B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201880059295.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  坂井正宏 ,  大上翔平 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。

公开(公告)号：CN112272920B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201980034943.7

申请日：2019-04-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 将包含单晶硅的支撑基板接合于压电性单晶基板而得到的接合体中，使用高电阻接合层，且使支撑基板与压电性单晶基板之间的接合强度得到提高。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其包含单晶硅；接合层2A，其设置于支撑基板1与压电性单晶基板4、4A之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有硅原子、氧原子以及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度高于接合层2A内的氧原子的平均浓度。

公开(公告)号：CN111919385B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201980018675.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  多井知义

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/09 ,  H01L41/312

Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板与压电性单晶基板之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。氧比率从接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部向接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部增加或减少。接合层(2A)中的氧比率x的最大值为0.013以上0.666以下，氧比率x的最小值为0.001以上0.408以下。

公开(公告)号：CN110463038B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201880001047.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  浅井圭一郎 ,  多井知义

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: 对于包括：包含多晶陶瓷材料或单晶材料的支撑基板、压电性单晶基板和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层的接合体，提高接合层处的绝缘性，并且提高支撑基板与压电性单晶基板的接合强度。接合体5包括：支撑基板1、压电性单晶基板4和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层2A。接合层2A具有Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)的组成。

公开(公告)号：CN111094638A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059295.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  坂井正宏 ,  大上翔平 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。

公开(公告)号：CN109075758B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201780013563.6

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  金子真也

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 在包含陶瓷的支撑基板上设置接合层，将接合层和压电性单晶基板接合时，使压电性单晶基板与接合层之间的接合强度提高，同时防止接合层与支撑基板之间的剥离。接合体8具有：包含陶瓷的支撑基板1；在支撑基板1的表面1a设置的接合层3A，接合层3A包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质；和与接合层3A接合的压电性单晶基板6A。支撑基板1的表面1a的算术平均粗糙度Ra为0.5nm～5.0nm。

公开(公告)号：CN108886347A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780017024.X

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  吉野隆史 ,  后藤万佐司 ,  滑川政彦

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 在将压电性单晶基板与包含陶瓷的支撑基板直接键合时，可进行常温下的接合，并且使接合强度提高。在包含陶瓷的支撑基板上形成接合层，该接合层包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面照射中性束，使接合层3A的表面4活化。将接合层的表面4与压电性单晶基板6直接键合。

公开(公告)号：CN112868178B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980067455.6

申请日：2019-08-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 提供一种接合体，将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)，其包含金属氧化物；压电性材料基板(4、4A)；接合层(2B)，其设置于支撑基板与压电性材料基板之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层(10)，其设置于接合层与支撑基板之间。非晶质层(10)中的氧比率比支撑基板(1)中的氧比率高。

公开(公告)号：CN117897797A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280057051.0

申请日：2022-04-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 东原周平 ,  后藤万佐司 ,  齐藤亚有实

IPC: H01L21/02

Abstract: 在支撑基板与13族元素氮化物结晶基板的贴合基板中，使支撑基板与13族元素氮化物结晶基板之间的接合强度提高。提供一种支撑基板1与13族元素氮化物结晶基板2的贴合基板3。13族元素氮化物结晶基板2以1×1017atoms·cm－3以上且1×1021atoms·cm－3以上以下的浓度含有选自由锌、铁、锰、镍以及铬构成的组中的一种以上的过渡金属元素。

公开(公告)号：CN112840563A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980067483.8

申请日：2019-08-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 提供一种接合体，将压电性材料基板(1A)经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于支撑基板(3)上。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1A)；第一接合层(4A)，其设置于支撑基板(3)上，且组成为Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)；第二接合层(2A)，其设置于压电性材料基板(1A)上，且组成为Si(1‑y)Oy(0.008≤y≤0.408)；以及非晶质层(7)，其设置于第一接合层(4A)与第二接合层(2A)之间。非晶质层(7)中的氧比率比第一接合层(4A)中的氧比率及第二接合层(2A)中的氧比率高。