公开(公告)号：CN103333661A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310241712.8

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。

公开(公告)号：CN102766407A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210212508.9

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法。本发明涉及含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂的研磨剂，该添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。本发明提供一种在使绝缘膜平坦化的CMP技术中可以高速且低研磨损伤地研磨绝缘膜、且氧化硅膜与停止膜的研磨速度比高的研磨剂。而且提供一种保管该研磨剂时的研磨剂组件及使用有该研磨剂的基板研磨方法。

公开(公告)号：CN101283441B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200680037661.5

申请日：2006-10-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  大森义和 ,  木村忠广

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明提供CMP研磨液，该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动，抑制导电性物质配线腐蚀，即，抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为，至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种，且含有氮和硫原子中的至少1种。

公开(公告)号：CN100491486C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN03804816.7

申请日：2003-02-26

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 樱井治彰 ,  阿部浩一 ,  榎本和宏 ,  野部茂

IPC: C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D5/25

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物，含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂，作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂，作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物，具有如下固化性能，在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa，而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的相对电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物，在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。

公开(公告)号：CN103396765A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310334118.3

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  B24B37/04

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明涉及研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法。本发明提供一种研磨剂，其特征在于，含有水、由4价金属氢氧化物粒子构成的研磨颗粒及添加剂，用于研磨至少在表面含有氧化硅的被研磨面，所述添加剂包含选自由乙抱亚胺聚合物和其衍生物组成的组中的至少一成分。

公开(公告)号：CN102690607A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210144194.3

申请日：2008-02-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  筱田隆 ,  野部茂

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液及其应用。所述金属用研磨液含有研磨粒、氧化金属溶解剂、有机溶剂和水，所述研磨粒包括平均2次粒径为5～39nm的第一研磨粒和平均2次粒径为40～300nm的第二研磨粒，所述金属用研磨液的pH为2～5。

公开(公告)号：CN101611476A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880005185.8

申请日：2008-02-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  筱田隆 ,  野部茂

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液，其含有研磨粒、氧化金属溶解剂和水，其特征在于，所述研磨粒包括两种以上平均2次粒径不同的研磨粒，使用该金属用研磨液可以提供层间绝缘膜的研磨速度大，且被研磨面的平坦性高的研磨方法。另外，由此提供一种在微细化、薄膜化、尺寸精度以及电特性上优异，可靠性高，且适于低成本的半导体装置的研磨方法。

公开(公告)号：CN101484982A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024845.2

申请日：2007-07-03

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 野部茂 ,  筱田隆 ,  樱田刚史 ,  田中孝明 ,  大森义和 ,  木村忠广 ,  深泽正人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及包含磨粒、和锯齿及裂缝抑制剂的CMP用研磨液，锯齿及裂缝抑制剂是选自聚羧酸、聚羧酸衍生物和含有羧酸的共聚物中的至少一种。根据本发明可以提供抑制配线部附近的绝缘膜被过度研磨的锯齿现象、裂缝现象，并且被研磨面的平坦性高的CMP用研磨液。

公开(公告)号：CN101432854A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780014892.9

申请日：2007-04-24

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  野部茂 ,  田中孝明

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/7684 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种CMP用研磨液，其特征在于，其是在第1化学机械研磨工序后，在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液，所述工序研磨的基板包含：表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层，其中，第1化学机械研磨工序为：研磨基板的导电性物质层，使所述凸部的阻挡层露出，第2化学机械研磨工序为：研磨露出的阻挡层，使得所述凸部的层间绝缘膜露出；其中，研磨量(A)与研磨量(B)的差(B)－(A)为650以下，所述研磨量(A)是形成于所述基板的层间绝缘膜部具有1000μm以上宽度的场部的层间绝缘膜的研磨量；所述研磨量(B)是形成于所述基板的宽90μm的配线金属部与宽10μm的层间绝缘膜交互排列的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量。

公开(公告)号：CN103342986A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310241746.7

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。