公开(公告)号：CN103896306A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310728108.8

申请日：2013-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 星野恭之 ,  村川美奈子 ,  跡边仁志 ,  二瓶直史

IPC: C01C1/12 ,  C01C1/04 ,  B01D3/02 ,  C07C31/04 ,  C07C29/151

Abstract: 本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外，提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化合物，因此通过进行精密蒸馏，从而制造上述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。如果将该高纯度氨作为氮源而形成GaN系化合物，使用该GaN系化合物来制造GaN系化合物半导体元件，则可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体。

公开(公告)号：CN100573828C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580023034.1

申请日：2005-07-06

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 星野恭之 ,  寒川诚二

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明开发一种等离子体处理的方法，该等离子体处理使用没有温室效应的气体，以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进，并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤：将含有氟气(F2)的处理气体馈入等离子体生成腔，交替地重复施加停止施加高频电场，以生成等离子体，和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外，衬底处理可如下进行，单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子，或者选择性地只获取阴离子，将其中和，以生成中性束并将中性束辐射到衬底。

公开(公告)号：CN1498328A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03800145.4

申请日：2003-02-13

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  小池酸素工业株式会社

Inventor： 田口裕康 ,  星野恭之 ,  朴炳涉 ,  金炳哲

IPC: F23G7/06 ,  F23G5/44 ,  F23M5/00

CPC classification number: F23G7/065 ,  F23J2215/30

Abstract: 本发明涉及一种处理从刻蚀或清洗步骤排放的含有氟气或卤素氟化物气体的废气的方法，包括使该废气在燃烧室中燃烧，该燃烧室具有在其表面上形成的氟化物钝化膜。该方法用于处理从半导体制造工艺中排放的含有高浓度或大量氟气或卤素氟化物气体的废气，该方法是安全和节能的，并能以提高的效率进行废气的预处理。