公开(公告)号：CN108348850A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680068109.6

申请日：2016-10-31

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 村川美奈子 ,  佐野友美 ,  远田安沙子

IPC: B01D53/68 ,  B01D53/14 ,  B01D53/78

CPC classification number: B01D53/14 ,  B01D53/68 ,  B01D53/78

Abstract: 本发明的含有氟元素的废气的处理方法，其特征在于，具有：第一工序，使含有氟元素的废气与水接触；和第二工序，使从第一工序排出的气体成分与包含还原剂的碱性水溶液接触。通过本发明的含有氟元素的废气的处理方法，能够采用湿式法有效处理含有氟元素的废气，即使在处理氟气的浓度高的废气的情况下，也能够充分减少处理气体中的氟、二氟化氧等氧化性气体、氟化氢等酸性气体等有毒的氟系气体。本发明中，通过以特定的两个阶段进行处理，能够高度减少所排出的处理气体中的氟系气体，并且能够大幅减少作为药液使用的包含还原剂的碱性水溶液的使用量，经济且高效。

公开(公告)号：CN104743514A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410806217.1

申请日：2014-12-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 田口真一郎 ,  寺尾隆史 ,  山崎久美子 ,  村川美奈子

IPC: C01B11/06

Abstract: 本发明提供一种以高收率且高效地制造高纯度次氯酸钠水溶液的方法，其特征在于，包括：氯化工序，其向氢氧化钠水溶液导入氯气进行氯化反应；分离工序(1)，其将氯化工序中析出的副产氯化钠从反应液分离得到滤液(1)；析晶工序(1)，其将滤液(1)冷却而使高纯度次氯酸钠五水合物的结晶(1)析出；分离工序(2)，其从经过析晶工序(1)的反应液中将结晶(1)分离回收，并得到滤液(2)；析晶工序(2)，其将滤液(2)在次氯酸钠五水合物的晶种的存在下进行冷却而使高纯度次氯酸钠五水合物的结晶(2)析出；和分离工序(3)，其从经过析晶工序(2)的反应液中将结晶(2)分离回收，并且得到滤液(3)。

公开(公告)号：CN104743513A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410806200.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 谷本阳祐 ,  村川美奈子 ,  加贺一有

IPC: C01B11/06

Abstract: 提供以高收率制造低盐次氯酸钠水溶液的方法。本发明的低盐次氯酸钠水溶液的制造方法，其特征在于，包括：工序(1)，该工序将30～60质量％的氢氧化钠水溶液供给到反应槽中；工序(2)，该工序向供给到该反应槽中的氢氧化钠水溶液导入用惰性气体稀释了的氯气，在20℃～50℃的反应温度进行氯化反应；和工序(3)，该工序通过将在所述工序(2)中析出的副产氯化钠从反应液中分离并除去而得到次氯酸钠水溶液。

公开(公告)号：CN108290113A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068104.3

申请日：2016-10-31

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 村川美奈子 ,  佐野友美 ,  远田安沙子

IPC: B01D53/68 ,  B01D53/14 ,  B01D53/78

Abstract: 本发明的含有氟元素的废气的处理方法，其特征在于，具有：利用惰性气体将含有氟元素的废气(a)稀释，使氟气(F2)浓度成为25体积％以下，调制稀释气体(b)的稀释工序；和使稀释气体(b)与水接触，得到处理气体(c)的水吸收工序。通过本发明的方法，能够提供一种在采用湿式法处理含有氟元素的废气时，有效抑制由氟气生成二氟化氧的副反应发生，经济且有效地处理含有氟元素的废气的方法。另外，本发明通过在处理工序中有效抑制二氟化氧的生成，在使用药液进行追加处理的情况下，能够使其处理效果大幅提升，并且抑制药液使用量。

公开(公告)号：CN103896306A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310728108.8

申请日：2013-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 星野恭之 ,  村川美奈子 ,  跡边仁志 ,  二瓶直史

IPC: C01C1/12 ,  C01C1/04 ,  B01D3/02 ,  C07C31/04 ,  C07C29/151

Abstract: 本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外，提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化合物，因此通过进行精密蒸馏，从而制造上述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。如果将该高纯度氨作为氮源而形成GaN系化合物，使用该GaN系化合物来制造GaN系化合物半导体元件，则可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体。

公开(公告)号：CN103896306B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310728108.8

申请日：2013-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 星野恭之 ,  村川美奈子 ,  跡边仁志 ,  二瓶直史

IPC: C01C1/12 ,  C01C1/04 ,  B01D3/02 ,  C07C31/04 ,  C07C29/151

Abstract: 本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外，提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化合物，因此通过进行精密蒸馏，从而制造上述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。如果将该高纯度氨作为氮源而形成GaN系化合物，使用该GaN系化合物来制造GaN系化合物半导体元件，则可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体。

公开(公告)号：CN104022191A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410068735.8

申请日：2014-02-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 星野恭之 ,  村川美奈子 ,  跡边仁志

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

Abstract: 对于作为原料气体使用的高纯度氨气中的对辉度特性给予较大影响的杂质量进行调查，通过对其进行控制，来提供发光特性优异的GaN系化合物半导体。一种GaN系化合物半导体的制造方法，是通过有机金属化学气相生长来制造GaN系化合物半导体的方法，其特征在于，使作为原料气体使用的氨气中的、在分子中具有氧原子的烃系化合物的浓度为1.0体积ppm以下。