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公开(公告)号：CN106536192B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201580038447.0
申请日：2015-06-24
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 森孝博
Abstract: 本发明提供一种具有高的气体阻隔性和优异的气体阻隔性的面内均匀性的气体阻隔性膜。此外，本发明提供一种在高温高湿环境下的耐久性优异的电子设备。一种气体阻隔性膜，其在基材上依次具有锚固涂层、与上述锚固涂层接触且通过真空成膜法形成的气体阻隔层，上述锚固涂层是对含有聚硅氮烷的层施加能量来进行改性处理而得到的层，且在将上述锚固涂层的厚度设为A(nm)、将上述锚固涂层整体的氮原子相对于硅原子的原子比(N/Si)设为B时，A×B≤60。
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公开(公告)号：CN105143509B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380074861.8
申请日：2013-03-21
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 森孝博
CPC classification number: H01L51/5237 , C23C16/30 , C23C16/503 , C23C16/513 , C23C16/545 , H01L51/524
Abstract: 本发明的目的是提供具有高的气体阻隔性、且具有良好的平面性的气体阻隔性膜。本发明是具有基材和气体阻隔性层的气体阻隔性膜的卷体，气体阻隔性层含有硅原子、氧原子和碳原子，将从气体阻隔性层的表面起的距离设为X值，将碳原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计量的比率设为Y值的碳分布曲线具有极大值和极小值，基材的与配置有气体阻隔性层的一侧为相反侧的面具有500～10000个/mm2的从粗糙中心面起的高度为大于等于10nm且小于100nm的突起A、以及0～500个/mm2的从粗糙中心面起的高度为100nm以上的突起B，并且基材的按照JIS K‑7136测定而得的雾度为1％以下，气体阻隔性膜在特定条件下测定的平面性指标在0～5的范围。
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公开(公告)号：CN103958182B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201280057161.3
申请日：2012-11-16
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 森孝博
IPC: B32B9/00
CPC classification number: H01L51/5246 , C08J7/042 , C08J7/047 , C08J2483/16 , H01L51/5253 , H05K5/069 , Y10T428/239 , Y10T428/24364 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种气体阻隔膜(10)，其在基体材料(11)上具备对含有聚硅氮烷的层实施真空紫外线照射而成的气体阻隔层(14)，其中，所述气体阻隔层(14)相对于该气体阻隔层整体在1质量％以上且40质量％以下的范围含有满足下述(a)、(b)、(c)全部的化合物A。(a)具有Si-O键，且具有与Si直接键合的有机基团。(b)具有Si-H基或Si-OH基。(c)分子量为90以上且1200以下。
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公开(公告)号：CN103796827A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280031320.2
申请日：2012-06-13
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 森孝博
IPC: B32B9/00 , B05D1/38 , B05D3/06 , B05D7/24 , B32B5/14 , B32B27/00 , B32B27/16 , H01L51/50 , H05B33/04
CPC classification number: H01L31/0203 , B05D3/067 , B05D3/145 , B05D7/04 , B05D7/546 , B05D7/586 , B05D2252/10 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/7242 , B32B2457/00 , C23C16/0272 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C18/14 , H01L31/049 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L2251/558 , Y02E10/50 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明的目的在于提供具有非常优异的气体阻隔性能和高的耐久性的气体阻隔性膜、其制造方法及使用了其的电子器件。本发明的气体阻隔性膜为在基材上层叠了至少含有Si、O和N的气体阻隔层2层以上的气体阻隔性膜，其特征在于，在气体阻隔层全体中厚度方向的组成分布如下：从接近基材方依次具有满足下述(A)的组成范围的在厚度方向上连续了的20nm以上的区域和满足下述(B)的组成范围的在厚度方向上连续了的50nm以上的区域。(A)在由SiOwNx表示气体阻隔层的组成时，为w≥0.8、x≥0.3、2w＋3x≤4。(B)在由SiOyNz表示气体阻隔层的组成时，为0＜y≤0.55、z≥0.55、2y＋3z≤4。
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公开(公告)号：CN103269851A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062272.9
申请日：2011-12-01
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 森孝博
CPC classification number: H01L23/564 , C08J7/042 , C08J2383/02 , C23C14/0676 , C23C14/562 , C23C16/0272 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C26/00 , C23C28/04 , H01L2924/0002 , Y10T428/26 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供气体阻隔性能、耐热性优异的气体阻隔性膜和使用了其的耐久性优异的电子器件。本发明在基材上按以下顺序具有通过物理蒸镀法或化学蒸镀法形成了的含有Si和N的第1气体阻隔层和涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液而形成了的第2气体阻隔层，该第2气体阻隔层照射真空紫外线而实施改性处理，在将各自的层的组成用SiOxNy表示时，该第2气体阻隔层的厚度方向中的组成SiOxNy的分布满足由下述(A)规定的条件。(A)该第2气体阻隔层在厚度方向具有50nm以上的0.25≤x≤1.1且0.4≤y≤0.75的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110114897B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201780081021.2
申请日：2017-12-08
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供耐弯曲性优异且高温·高湿环境下的耐久性优异的电子设备。本发明的电子设备(10)是利用气体阻隔性的密封层(40)密封配置在基板(20)上的多个功能构成部的电子设备(10)，将从该多个功能构成部中随机选出的相邻的二个功能构成部设为有机EL元件部(11)(第一构成部)和有机光电转换元件部(12)(第二构成部)时，在随机选出的与基准面(44)垂直的截面中，有机EL元件部(11)上的密封层(40)的最大高度h1max和有机光电转换元件部(12)上的密封层(40)的最大高度h2max分别为0.2～3.0mm的范围内，且有机EL元件部(11)与有机光电转换元件部(12)之间的最短距离dmin为1～100mm的范围内。
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公开(公告)号：CN110114897A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780081021.2
申请日：2017-12-08
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供耐弯曲性优异且高温·高湿环境下的耐久性优异的电子设备。本发明的电子设备(10)是利用气体阻隔性的密封层(40)密封配置在基板(20)上的多个功能构成部的电子设备(10)，将从该多个功能构成部中随机选出的相邻的二个功能构成部设为有机EL元件部(11)(第一构成部)和有机光电转换元件部(12)(第二构成部)时，在随机选出的与基准面(44)垂直的截面中，有机EL元件部(11)上的密封层(40)的最大高度h1max和有机光电转换元件部(12)上的密封层(40)的最大高度h2max分别为0.2～3.0mm的范围内，且有机EL元件部(11)与有机光电转换元件部(12)之间的最短距离dmin为1～100mm的范围内。
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公开(公告)号：CN110114213A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780080718.8
申请日：2017-12-19
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的气体阻隔性膜是在基材上依次形成有第一气体阻隔层和第二气体阻隔层的气体阻隔性膜，上述第二气体阻隔层为聚硅氮烷改性层，且上述第二气体阻隔层的表面的以纳米压痕法测定的弹性模量和硬度满足下述条件[A]和[B]。[A]弹性模量：8～17GPa的范围内，[B]硬度：硬度≤0.18×弹性模量+2.1GPa。
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公开(公告)号：CN109477202A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780046487.9
申请日：2017-07-11
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 森孝博
Abstract: 本发明提供能够使气体阻隔性膜兼得优异的弯曲性和高温高湿环境下的高水蒸气阻隔性的手段。本发明涉及一种气体阻隔性膜，在厚度方向进行XPS组成分析时得到的原子组成分布曲线中，由M1M2xNy表示组成时，具有满足下述式(1)和下述式(2)的区域(a)。M1M2xNy，0.2≤x≤3.0(1)，0.6≤y≤1.4(2)，x：过渡金属M2与非过渡金属M1原子的存在原子比，y：氮原子与非过渡金属M1原子的存在原子比。
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公开(公告)号：CN108293279A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068450.1
申请日：2016-11-22
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 森孝博
Abstract: 本发明的课题是提供能够实现携带时的小型化的发光装置。本发明的发光装置依次层叠有发光面侧树脂基材、有机发光元件和背面侧基材，其特征在于，在上述发光面侧树脂基材与有机发光元件之间和上述有机发光元件与背面侧基材之间中的至少任一方具有以无机材料为主成分的气体阻隔层，并且，发光装置在支承部件上具有固定部和可动部地被支承，而且，具有携带时上述有机发光元件的上述可动部所形成的曲面的曲率半径为1.0～10.0mm的范围内的曲面部。
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