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公开(公告)号：CN103383991B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310144457.5
申请日：2013-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1225 , H01L27/3246 , H01L27/3276 , H01L51/5203 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 本发明的课题是提供一种在发光装置中，可以不损伤电极端子而使被有机膜覆盖的电极端子露出的方法。在输入来自外部电源的电力或外部信号的电极端子的区域上形成岛状的包含有机化合物的层，并且在其上部形成有机膜。通过利用包含有机化合物的层与电极端子之间的界面处的贴紧性较低的性质去除有机膜，可以不损伤电极端子而使其露出。
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公开(公告)号：CN102544311B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201110385934.8
申请日：2011-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , H01L2251/5361
Abstract: 通过简单的结构及工序以低成本提供可靠性高的照明装置。提供具有适于使用目的的形状且能够应对用途的多样化的方便性高的照明装置。将包括设置在柔性衬底上且包括电致发光(EL)层的发光元件的发光面板(该面板也称为EL薄膜)封入在玻璃框体内。因为EL薄膜具有柔性，所以可以对应于玻璃框体的形状来使EL薄膜变形为各种形状而设置。
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公开(公告)号：CN102544311A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110385934.8
申请日：2011-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , H01L2251/5361
Abstract: 通过简单的结构及工序以低成本提供可靠性高的照明装置。提供具有适于使用目的的形状且能够应对用途的多样化的方便性高的照明装置。将包括设置在柔性衬底上且包括电致发光(EL)层的发光元件的发光面板(该面板也称为EL薄膜)封入在玻璃框体内。因为EL薄膜具有柔性，所以可以对应于玻璃框体的形状来使EL薄膜变形为各种形状而设置。
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公开(公告)号：CN102169964A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110030955.8
申请日：2011-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 波多野薰
CPC classification number: H01L51/529 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , H01L27/3209 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/5243 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L51/5278 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361 , H01L2251/5369
Abstract: 本发明涉及发光装置、柔性发光装置、电子设备、照明装置、以及发光装置和柔性发光装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供一种发光装置或柔性发光装置，其表面温度低，寿命长且可靠性高。另外，本发明的目的之一还在于提供一种该发光装置或柔性发光装置的简单制造方法。本发明所提供的发光装置或柔性发光装置包括：具有对于可见光的透光性的衬底；设置在衬底上的第一粘合剂层；位于第一粘合剂层上的绝缘层；具备形成在绝缘层上的第一电极、与第一电极相对的第二电极及设置在第一电极和第二电极之间的包含发光有机化合物的层的发光元件；形成在第二电极上的第二粘合剂层；设置在第二粘合剂层上的金属衬底；以及形成在金属衬底上的散热材料层。
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公开(公告)号：CN106200084B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201610885338.9
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , H01L27/12
Abstract: 液晶显示设备及其制造方法。本发明提供一种制造液晶显示设备的方法，其中用于电连接像素电极与晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成有沟道形成区的氧化物半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106226942B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201610884204.5
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , H01L27/12
Abstract: 液晶显示设备及其制造方法。本发明提供一种制造液晶显示设备的方法，其中用于电连接像素电极与晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成有沟道形成区的氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN107256929B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710512150.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：形成电极端子和第一电极层；在所述电极端子上形成第一层且在所述第一电极层上形成第二层，所述第一层和所述第二层包含发光物质；在所述第二层上形成第二电极层；形成与所述第二电极层和所述电极端子重叠的树脂层；以及通过去除所述树脂层的一部分和所述第一层的一部分，形成与所述电极端子重叠的开口，其中，所述第一电极层、所述第二层和所述第二电极层形成发光元件。通过本发明，可以不损伤电极端子而使被有机膜覆盖的电极端子露出。
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公开(公告)号：CN106252524B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610703179.6
申请日：2012-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 波多野薰
IPC: H01L51/52 , H01L33/36 , H01L51/50 , F21K9/00 , F21Y115/10 , F21Y115/20 , F21Y115/15
CPC classification number: H01L27/3211 , H01L51/504 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L51/5265 , H01L2251/558
Abstract: 本发明涉及发光装置、电子设备以及照明装置，其中具有多个呈现不同波长的光的发光元件，通过采用从各发光元件仅射出所希望的波长的光的元件结构，从而提供具备色纯度高的发光元件的发光装置及照明装置。在射出不同波长的光中波长最长的光(λR)的发光元件中，将反射电极与包括在EL层中的发光层(发光区域)之间的光程长度设定为λR/4，并且将反射电极与半透射半反射电极之间的光程长度设定为λR/2。
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公开(公告)号：CN107256928A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710506841.3
申请日：2013-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种发光装置，其包括：衬底；位于所述衬底上的电极端子；位于所述衬底上的发光元件，所述发光元件包括：电连接至所述电极端子的第一电极层；位于所述第一电极层和所述电极端子上的包含有机化合物的层；以及位于所述包含有机化合物的层上的第二电极层；以及与所述第二电极层重叠的树脂层，其中，所述包含有机化合物的层具有不与所述电极端子的表面重叠的第一区域，所述树脂层不与所述第一区域重叠，并且所述包含有机化合物的层具有与所述电极端子接触的第二区域。由此，孔的底部或周边不受由热而导致的损伤而在有机膜中穿具有所希望的深度的孔来使电极端子露出，并且不损伤电极端子而使被有机膜等覆盖的电极端子露出。
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公开(公告)号：CN103383991A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310144457.5
申请日：2013-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1225 , H01L27/3246 , H01L27/3276 , H01L51/5203 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 本发明的课题是提供一种在发光装置中，可以不损伤电极端子而使被有机膜覆盖的电极端子露出的方法。在输入来自外部电源的电力或外部信号的电极端子的区域上形成岛状的包含有机化合物的层，并且在其上部形成有机膜。通过利用包含有机化合物的层与电极端子之间的界面处的贴紧性较低的性质去除有机膜，可以不损伤电极端子而使其露出。
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