半导体衬底的制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102231368B

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201110193390.5

    申请日:2008-03-26

    Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法,可以高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时,通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层,然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底),该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此,可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。

    显示设备
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103399423B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201310314979.5

    申请日:2010-04-07

    Abstract: 显示设备包括:柔性显示面板(4311),其包括显示部分(4301),其中扫描线和信号线彼此交叉;支撑部分(4308),用于支撑柔性显示面板(4311)的端部;信号线驱动电路(4323),用于向为支撑部分(4308)提供的信号线输出信号;和扫描线驱动电路(4321a,4321b),用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分(4308)的方向为显示面板(4311)的柔性表面提供的扫描线输出信号。

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