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    半导体装置制造方法
    11.
    发明公开
    半导体装置制造方法 有权

    公开(公告)号：CN112913016A

    公开(公告)日：2021-06-04

    申请号：CN201980070426.5

    申请日：2019-10-18

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 辻直子

    IPC: H01L25/065 ,  C09J171/02 ,  C09J183/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 本发明的目的在于在经过经由粘接剂层的半导体晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中，提供适于在多层化的半导体元件间实现低的布线电阻且抑制了电阻值偏差的方法。本发明的方法包括第1～第3工序。在第1工序中，准备层叠结构的晶片层叠体Y，所述层叠结构包含晶片(3)、厚度1～20μm的晶片(1T)、以及存在于晶片(3)的主面(3a)与晶片(1T)的背面(1b)之间的厚度0.5～4.5μm的粘接剂层(4)。在第2工序中，通过给定的蚀刻处理，形成从晶片(1T)的主面(1a)至晶片(3)的布线图案的孔。在第3工序中，在孔内填充导电材料而形成贯通电极。在使用以100:400:200的体积比包含CF4、O2及Ar的蚀刻气体在给定条件下对粘接剂层(4)进行的干法蚀刻中，蚀刻速度为1～2μm/min。

    半导体装置制造方法
    14.
    发明授权
    半导体装置制造方法 有权

    公开(公告)号：CN112913016B

    公开(公告)日：2024-02-13

    申请号：CN201980070426.5

    申请日：2019-10-18

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 辻直子

    IPC: H01L25/065 ,  C09J171/02 ,  C09J183/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: min。本发明的目的在于在经过经由粘接剂层的半导体晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中，提供适于在多层化的半导体元件间实现低的布线电阻且抑制了电阻值偏差的方法。本发明的方法包括第1～第3工序。在第1工序中，准备层叠结构的晶片层叠体Y，所述层叠结构包含晶片(3)、厚度1～20μm的晶片(1T)、以及存在于晶片(3)的主面(3a)与晶片(1T)的背面(1b)之间的厚度0.5～4.5μm的粘接剂层(4)。在第2工序中，通过给定的蚀刻处理，形成从晶片(1T)的主面(1a)至晶片(3)的布线图案的孔。在第3工序中，在孔内填充导电材料而形成贯通电极。在使用以100:400:200的体积比包含

    硅烷偶联剂
    15.
    发明公开
    硅烷偶联剂 审中-实审

    公开(公告)号：CN115884870A

    公开(公告)日：2023-03-31

    申请号：CN202180050812.5

    申请日：2021-08-05

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 辻直子 ,  前谷臣治

    IPC: B32B7/12

    Abstract: 本发明提供低粘度且涂布性优异、提高无机物与有机物的粘接性的效果优异的硅烷偶联剂。本公开的硅烷偶联剂含有下述硅化合物和水，所述硅化合物浓度为0.01重量％～10重量％。硅化合物：包含下述式(1)所示的化合物(I)和其缩聚物，所述化合物(I)与化合物(I)的缩聚物中的基于标准聚苯乙烯换算的重均分子量为200～10000的化合物(II)的含量之比[化合物(I)/化合物(II)；重量比]为1/99～95/5。

    粘接剂组合物、固化物、叠层体以及装置
    16.
    发明授权
    粘接剂组合物、固化物、叠层体以及装置 有权

    公开(公告)号：CN110651016B

    公开(公告)日：2022-06-24

    申请号：CN201880032558.4

    申请日：2018-05-16

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 芝本明弘 ,  前谷臣治 ,  西田一博 ,  宇佐大辅 ,  山川章 ,  辻直子

    IPC: C09J183/07 ,  B32B27/00 ,  C08G77/20 ,  C09J5/06 ,  C09J11/06

    Abstract: 本发明提供一种粘接剂组合物，其可以在低温下固化而形成绝缘性、耐热性和粘接性优异的固化物。本发明的粘接剂组合物含有聚有机倍半硅氧烷(A)，所述聚有机倍半硅氧烷(A)具有下述式(1)表示的结构单元，其中，下述式(1)[R1SiO3/2](式(1)中，R1表示包含自由基聚合性基团的基团)表示的结构单元和下述式(2)[R1SiO2/2(OR2)](式(2)中，R1同上，R2表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基)表示的结构单元相对于硅氧烷结构单元的总量(100摩尔％)的比例为55～100摩尔％，该聚有机倍半硅氧烷(A)的数均分子量为1500～50000，分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为1.0～4.0。

    粘接剂层形成装置、半导体芯片生产线、及层叠体的制造方法
    17.
    发明公开
    粘接剂层形成装置、半导体芯片生产线、及层叠体的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110651355A

    公开(公告)日：2020-01-03

    申请号：CN201880031028.8

    申请日：2018-04-18

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 船木克典 ,  辻直子

    IPC: H01L21/02 ,  B05D3/12 ,  B32B37/00 ,  H01L21/683

    Abstract: 本发明提供在不易引起粘接剂的固化并且缩短生产节拍时间的同时制造在半导体晶片的一面具有粘接剂层、且在减压下的晶片粘接中粘接剂层不易发泡的层叠体的方法、以及用于该方法的粘接剂层形成装置。本发明的粘接剂层形成装置是将在半导体晶片的一面涂布形成的涂膜中的溶剂除去而形成粘接剂层的装置，其中，所述粘接剂层形成装置具备：载置前述半导体晶片的下部板、与所述下部板形成容积10升以下的封闭空间的上部罩、以及对所述封闭空间内进行减压的减压机构。

    粘接剂用固化性组合物、粘接片、固化物、叠层物以及装置
    18.
    发明公开
    粘接剂用固化性组合物、粘接片、固化物、叠层物以及装置 有权

    公开(公告)号：CN110637074A

    公开(公告)日：2019-12-31

    申请号：CN201880032311.2

    申请日：2018-05-16

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 山川章 ,  辻直子

    IPC: C09J183/04 ,  B32B27/00 ,  C08G59/32 ,  C08G77/14 ,  C09J7/20 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘接剂用固化性组合物，其能够在低温下固化而形成具有优异的耐热性、抗裂性、对被粘接体的粘接性和密合性的固化物。本发明提供的粘接剂用固化性组合物含有聚有机倍半硅氧烷(A)，所述聚有机倍半硅氧烷(A)具有下述式(1)表示的结构单元，在所述聚有机倍半硅氧烷(A)中，下述式(I)表示的结构单元与下述式(II)表示的结构单元的摩尔比[式(I)表示的结构单元/式(II)表示的结构单元]为20以上且500以下，相对于硅氧烷结构单元的总量(100摩尔％)，下述式(1)表示的结构单元和下述式(4)表示的结构单元的比例为55～100摩尔％，数均分子量为2500～50000，分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为1.0～4.0。[R1SiO3/2](1)；[RaSiO3/2](I)；[RbSiO2/2(ORc)](II)；[R1SiO2/2(ORc)](4)。

    粘接剂用固化性组合物、粘接片、固化物、叠层物以及装置
    19.
    发明授权
    粘接剂用固化性组合物、粘接片、固化物、叠层物以及装置 有权

    公开(公告)号：CN110637074B

    公开(公告)日：2022-06-28

    申请号：CN201880032311.2

    申请日：2018-05-16

    Applicant: 株式会社大赛璐

    Inventor： 山川章 ,  辻直子

    IPC: C08G77/14 ,  C09J183/04 ,  B32B27/00 ,  C08G59/32 ,  C09J7/20 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘接剂用固化性组合物，其能够在低温下固化而形成具有优异的耐热性、抗裂性、对被粘接体的粘接性和密合性的固化物。本发明提供的粘接剂用固化性组合物含有聚有机倍半硅氧烷(A)，所述聚有机倍半硅氧烷(A)具有下述式(1)表示的结构单元，在所述聚有机倍半硅氧烷(A)中，下述式(I)表示的结构单元与下述式(II)表示的结构单元的摩尔比[式(I)表示的结构单元/式(II)表示的结构单元]为20以上且500以下，相对于硅氧烷结构单元的总量(100摩尔％)，下述式(1)表示的结构单元和下述式(4)表示的结构单元的比例为55～100摩尔％，数均分子量为2500～50000，分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为1.0～4.0。[R1SiO3/2](1)[RaSiO3/2](I)[RbSiO2/2(ORc)](II)[R1SiO2/2(ORc)](4)。

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