公开(公告)号：CN1747116A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510090527.9

申请日：2005-08-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 福冈信彦 ,  牛房信之 ,  楠敏明 ,  辻和隆 ,  菊池广

IPC: H01J31/12 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J29/90 ,  H01J31/127 ,  H01J2329/92

Abstract: 本发明提供一种显示装置，具有形成在基板上且由密封部件密封的多个电子发射元件、以及与该电子发射元件连接的内部电路。本发明设置贯通上述密封部件地连接上述内部电路和外部电路的引出线，通过例如使该引出线形成得比内部电路薄来使该内部电路的电阻率比引出线小，从而确保上述电子发射元件和内部电路的预定密封条件，并抑制内部电路的电压降。

公开(公告)号：CN1135067A

公开(公告)日：1996-11-06

申请号：CN95119346.5

申请日：1995-11-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大泽通孝 ,  大高广 ,  新川敬郎 ,  桥本谦 ,  牛房信之 ,  槌田诚一 ,  河村达郎 ,  高井辉男

IPC: G09G3/28

CPC classification number: H01J5/16 ,  H01J11/12 ,  H01J11/44 ,  H01J2211/442 ,  H01J2211/444

Abstract: 一种等离子体显示系统的等离子体显示屏提供了良好的光学特性，包括等离子体显示系统的色纯、对比度和亮度。形成单元S的阻挡肋2具有涂附在其上面的波长—选择反射滤光器8，用于只反射需要显示的波长的光并且吸收其它光。波长—选择反射滤光器8具有涂附在其上面的荧光粉7。彩色滤光器4以夹心结构插入第一面屏3和第二前玻璃屏6之间，用于送出光线。

公开(公告)号：CN102272052B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201080004153.3

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中野敬子 ,  牛房信之

IPC: C02F1/28 ,  B01D61/04 ,  B01J20/26 ,  C02F1/44 ,  C02F9/00 ,  C08J7/16

CPC classification number: C02F1/441 ,  B01D61/025 ,  B01D61/04 ,  B01D2311/04 ,  C02F1/285 ,  B01D2311/2626 ,  B01D2311/2649

Abstract: 在水处理设备中存在以下课题，即在深度处理中所使用的反渗透膜的表面吸附水中溶解有机物从而使膜性能劣化，使得反渗透膜模块的更换频率较高。对于该课题，由于成为反渗透膜劣化原因的有机物具有羰基，吸附于接触角为40度以上的表面，通过选择性地吸附原因有机物的疏水性的预处理吸附剂，在反渗透膜之前预先除去原因有机物，来降低反渗透膜的更换频率。预处理吸附剂的材料，通过在高分子结合部位具有羰基因而可以选择性地吸附原因有机物。

公开(公告)号：CN102272052A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004153.3

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中野敬子 ,  牛房信之

IPC: C02F1/28 ,  B01D61/04 ,  B01J20/26 ,  C02F1/44 ,  C02F9/00 ,  C08J7/16

CPC classification number: C02F1/441 ,  B01D61/025 ,  B01D61/04 ,  B01D2311/04 ,  C02F1/285 ,  B01D2311/2626 ,  B01D2311/2649

Abstract: 在水处理设备中存在以下课题，即在深度处理中所使用的反渗透膜的表面吸附水中溶解有机物从而使膜性能劣化，使得反渗透膜模块的更换频率较高。对于该课题，由于成为反渗透膜劣化原因的有机物具有羰基，吸附于接触角为40度以上的表面，通过选择性地吸附原因有机物的疏水性的预处理吸附剂，在反渗透膜之前预先除去原因有机物，来降低反渗透膜的更换频率。预处理吸附剂的材料，通过在高分子结合部位具有羰基因而可以选择性地吸附原因有机物。

公开(公告)号：CN1005241B

公开(公告)日：1989-09-20

申请号：CN87104031

申请日：1987-06-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 牛房信之 ,  篠原浩一 ,  永山更成 ,  荻原觉 ,  曾我太佑男

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/03 ,  C04B35/14 ,  B32B18/00

CPC classification number: C03C3/066 ,  C03C3/093 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15312 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4629 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/4916 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种由陶瓷层和布线导体层交替层迭组成的多层陶瓷线路板，陶瓷层有较布线导体层低的热膨胀系数，但不低于导体层热膨胀系数的一半，陶瓷层由软化温度不高于布线导体层熔点的玻璃形成。以及一种半导体组件，该组件的焊料接合部分有高的可靠性，它包括上述装着陶瓷载体基片的多层陶瓷线路板(陶瓷基片上装有半导体器件)和能用具有良好电导率的银或铜导体做的板。

公开(公告)号：CN87103170A

公开(公告)日：1987-11-25

申请号：CN87103170

申请日：1987-04-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 永山更成 ,  牛房信之 ,  篠原浩一 ,  荻原觉

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/14

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种莫来石基材料，其中含有0.1～10％重量的至少一种元素周期表中IIIa族元素的氧化物，其余为莫来石以及伴随杂质。在室温下该材料的介电常数不超过9.5(1MHz)，抗弯强度不低于150MPa，可用作功能组件的绝缘陶瓷基片或用作半导体封装上密封部位的热膨胀隔片。