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公开(公告)号：CN101962750A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010235894.4
申请日：2010-07-22
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供有机EL器件制造装置以及成膜装置，所述有机EL器件制造装置能够在基板上形成均匀膜厚的薄膜，在有机EL器件的制造装置中，对于从将蒸发的蒸镀材料通过线上配置的多个喷嘴向真空槽内部排放的蒸发源的各个喷嘴排放的有机EL材料的蒸发量，通过蒸发量监测设备监测各个喷嘴，并且利用监测到的各个喷嘴的有机EL材料的蒸发量信息，通过控制设备控制蒸发源。
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公开(公告)号：CN103938162A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410018357.2
申请日：2014-01-16
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供蒸镀装置和该蒸镀装置所用的蒸发源，该蒸镀装置能够长时间进行稳定的蒸镀，该蒸发源能够稳定且大量地收入作为蒸镀材料的Al。本发明的蒸镀装置具备蒸镀基板的蒸发源（30）和收纳蒸发源（30）且基板被搬送的工艺腔室。蒸发源（30）具备坩埚（10），坩埚（10）具有固体的Al材料（2）被供给的材料收入部（11）、与材料收入部（11）相邻，加热从材料收入部（11）供给的Al材料（2）使其熔融并形成为熔液（1）的熔融部（12）、和与熔融部（12）相邻，加热从熔融部（12）供给的熔液（1）而产生蒸气的蒸发部（13）。
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公开(公告)号：CN103568614A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310306105.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明涉及一种激光转印方法和该方法使用的激光转印装置。本发明涉及一种有机EL面板，不使用蒸镀掩模形成有机EL面板的发光层的有机EL层。与在支承基板（20）上形成有有机EL膜（21）的金属施主基板（220）相对，配置具有有机EL元件形成部（110）的电路基板（101）。对金属施主基板（220）照射激光，使支承基板（20）内产生冲击波，在电路基板（101）侧形成有机EL层，实现高精细、大画面且制造成本低的有机EL面板。
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公开(公告)号：CN101962750B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010235894.4
申请日：2010-07-22
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供有机EL器件制造装置以及成膜装置，所述有机EL器件制造装置能够在基板上形成均匀膜厚的薄膜，在有机EL器件的制造装置中，对于从将蒸发的蒸镀材料通过线上配置的多个喷嘴向真空槽内部排放的蒸发源的各个喷嘴排放的有机EL材料的蒸发量，通过蒸发量监测设备监测各个喷嘴，并且利用监测到的各个喷嘴的有机EL材料的蒸发量信息，通过控制设备控制蒸发源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103031520A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210304156.X
申请日：2012-08-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24 , C23C14/12 , H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种蒸发源及成膜装置。该成膜装置具有防止铝的爬升且难以产生破损的稳定的蒸发源。而且该成膜装置适合于使基板竖直并自横向进行蒸镀的纵向式蒸镀。所述蒸发源至少由坩埚和加热部构成，坩埚由相对于蒸镀材料的浸润性不同的材质制成的具有两种结构的坩埚，至少开口部由浸润性小的材料制成，被供给蒸镀材料的部分由浸润性大的材料制成。成膜装置具有如上所述的蒸发源。
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公开(公告)号：CN102732838A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210034395.8
申请日：2012-02-15
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明涉及能缩短蒸发源的冷却时间的蒸镀方法及蒸镀装置。在蒸镀准备工序中，在真空腔内配置蒸发源(10)及被处理物，蒸发源(10)具备：收容蒸镀材料(30)的坩埚(13)、加热坩埚(13)的加热部(14)以及向被处理物放出在坩埚(13)内气化后的蒸镀材料(30)的喷嘴。然后，通过加热部(14)加热被收容在坩埚(13)的蒸镀材料(30)，使产生气化后的蒸镀材料气体，并在被处理物上形成蒸镀膜。然后，从蒸发源(10)的外侧经由喷嘴(12)向坩埚(13)内供给气体(26)，并且使加热部(14)停止，冷却坩埚(13)。
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公开(公告)号：CN102732837A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210023615.7
申请日：2012-02-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明以低成本提供一种具有防止Al的向上蠕动或Al蒸气浸入而难以引起破损的蒸发源的蒸镀装置。该蒸镀装置在真空腔室内具有蒸镀源单元(26)，其中，上述蒸镀源单元(26)具有：收容蒸发材料(5)的坩埚(1)、安装于上述坩埚(1)的开口部的喷嘴(2)、包围上述坩埚(1)并收容加热器(3)的加热室(10)、和固定件(7)，在上述坩埚(1)的内壁和上述加热室(10)之间具有切口(12)，该切口(12)阻止在上述坩埚(1)中熔融了的上述蒸发材料(5)或上述蒸发材料(5)的蒸气侵入到上述加热室(10)。
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公开(公告)号：CN102061445A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010539611.5
申请日：2010-11-09
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供一种在大型基板上高速地形成膜厚均匀且杂质少的薄膜并可长时间连续运转的真空蒸镀装置及成膜装置。将形成了有机EL层的基板(1)垂直地设置于蒸镀室(5)内，在基板(1)上配置用于选择地蒸镀有机EL层的纯金属掩膜(4)。成为有机EL层的材料的蒸发源(8)配置于蒸镀室外。喷嘴线状地配置的蒸发头部(3)与蒸发源(8)由柔软的配管(7)连接。通过使蒸发头部(3)在与喷嘴的配置方向垂直的方向移动，在基板(1)上蒸镀有机EL层。通过以柔软的配管(7)连接蒸发头部(3)与蒸发源(9)，可只使蒸发头部(3)移动，能够使装置的结构简单化，另外，能够防止由可动机构产生的杂质引起的有机EL层的污染。
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公开(公告)号：CN101949002A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010225087.4
申请日：2010-07-05
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明涉及镀膜装置、蒸发源装置，及其蒸发源容器。在真空内向被蒸镀基板表面包覆蒸镀材料的镀膜装置中使用的蒸发源装置具有加热箱(210)，该加热箱在其外部具有加热器(71H)，在其内部形成空间，在垂直方向层叠并容纳多个蒸发源容器(220)；各蒸发源容器具有：由高导热材料构成的容器(221)，其断面形成为大致“U”字形，并且在大致中央部形成用于放出气体的贯通孔(222)，并以围绕该贯通孔的方式形成；覆盖容器的上面开口，由高导热材料构成的盖体(225)；将在容器内产生的蒸镀材料的气体通过间隙引导到贯通孔，集中到设于上述加热箱上部的导向部(212)，通过喷出孔(213)供应到被蒸镀基板(100)的表面。
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