公开(公告)号：CN115552053A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180035097.8

申请日：2021-04-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松崎淳介 ,  氏原祐辅 ,  长谷川丈之 ,  大久保裕夫

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明提供一种当在有机层表面形成透明导电氧化物膜时，可尽量抑制有机层受损的磁控溅射装置(SM1)。阴极单元Sc具有在X轴方向上以规定间隔并列设置的筒状靶(Tg1、Tg2)，设置有分别旋转驱动筒状靶围绕Y轴旋转的驱动装置(Db1、Db2)，且磁铁单元(Mu1、Mu2)分别装配在各筒状靶内，成对的磁铁单元各自具有中央磁铁(5a)和周边磁铁(5b)，在筒状靶和成膜面之间的空间内形成隧道状的磁场(Mf)，成对的磁铁单元各自被配置为使得当在成膜对象物(Sw)相对于阴极单元静止相对向的状态下成膜时，在经过成膜面内薄膜厚度最厚位置的Z轴上Z轴分量的磁场强度为零。

公开(公告)号：CN109328243A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201780038184.2

申请日：2017-05-31

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 水野熊介 ,  矶部辰德 ,  水野太平 ,  永田纯一 ,  小林大士 ,  大久保裕夫 ,  新井真

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种可维持规定的成膜率不变，并有效形成应力在规定值以内的氧化铝膜的成膜方法。在本发明中，在真空室(1)内相对配置被成膜物(S)和铝材质的靶(21，22)，向真空气氛中的真空室内导入稀有气体和氧气、给靶施加规定电力对靶进行溅射，使铝原子和氧的反应产物附着并堆积在被成膜物的表面上形成氧化铝膜。此时，向真空室内导入水蒸汽。水蒸汽的分压设置在1×10-3Pa～0.1Pa的范围内。

公开(公告)号：CN103221340B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201180057124.8

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大久保裕夫

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 提供从硅原料以低成本去除杂质的技术。将由金属硅构成的母材设置于熔解容器(31)内，在真空氛围中将设置于熔解容器(31)的母材加热并全部熔融，在将熔解容器(31)的外侧底面与冷却单元(21)分离并对面的状态下，冷却外侧底面并从熔解容器(31)的内部底面与熔融硅接触的部分开始凝固硅，使凝固硅向上方生长；将位于凝固硅的上部的未凝固硅从熔解容器(31)去除。

公开(公告)号：CN102123945B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200980131775.X

申请日：2009-08-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大久保裕夫

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 一种硅精制方法，将由金属硅构成的原材料的母材(20a)装填到石墨坩埚(5)中，将配置在酸性的惰性气体气氛(8)中的所述母材全部加热熔融，将熔融的所述母材(20b)保持在所述石墨坩埚(5)中，从而氧化精制所述母材(20b)；将所述氧化精制的所述母材(20c)装填到水冷坩埚(10)中，将配置在高真空气氛(12)中的所述母材(20c)全部熔融之后，使其缓慢凝固并去除未凝固部(20f)；将配置在所述高真空气氛(12)中且去除了未凝固部(20f)的母材(20e)全部熔融，并保持在所述水冷坩埚(10)中。

公开(公告)号：CN102112394B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200980130258.0

申请日：2009-08-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大久保裕夫 ,  广濑洋一 ,  永田浩

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 一种硅精制方法，至少具有对由金属硅构成的母材照射电子束(EB)以去除金属杂质的凝固精制工序，所述凝固精制工序为：准备要进行一次精制的所述母材(20a)，将所述母材(20a)的一部分装填到水冷坩埚(10)中，对配置在高真空气氛中的所述装填的母材(20a)的一部分的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的一部分全都熔融；缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出，自熔融的所述母材(20a)的一部分的熔融金属底部向着熔融金属表面部缓慢凝固，进行凝固直至凝固的部分占所述母材(20a)整体之中的第一规定比例；在所述水冷坩埚(10)中进一步装填所述母材(20a)的剩余部分(20f)，对所述母材的剩余部分(20f)的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的剩余部分全都熔融；缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出，自熔融金属部(20d)的底部向着熔融金属表面部缓慢凝固，进行凝固直至凝固的部分占所述熔融金属部(20d)整体之中的第二规定比例；去除未凝固的熔融金属部(20j)。

公开(公告)号：CN102112394A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130258.0

申请日：2009-08-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大久保裕夫 ,  广濑洋一 ,  永田浩

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 一种硅精制方法，至少具有对由金属硅构成的母材照射电子束(EB)以去除金属杂质的凝固精制工序，所述凝固精制工序为：准备要进行一次精制的所述母材(20a)，将所述母材(20a)的一部分装填到水冷坩埚(10)中，对配置在高真空气氛中的所述装填的母材(20a)的一部分的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的一部分全都熔融；缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出，自熔融的所述母材(20a)的一部分的熔融金属底部向着熔融金属表面部缓慢凝固，进行凝固直至凝固的部分占所述母材(20a)整体之中的第一规定比例；在所述水冷坩埚(10)中进一步装填所述母材(20a)的剩余部分(20f)，对所述母材的剩余部分(20f)的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的剩余部分全都熔融；缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出，自熔融金属部(20d)的底部向着熔融金属表面部缓慢凝固，进行凝固直至凝固的部分占所述熔融金属部(20d)整体之中的第二规定比例；去除未凝固的熔融金属部(20j)。