公开(公告)号：CN103422066B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310178846.X

申请日：2013-05-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大谷佑介 ,  新井真 ,  仓田敬臣 ,  佐藤重光

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种溅射法，其在对靶进行溅射成膜时，可有效地抑制产生薄膜厚度分布和薄膜质量分布的起伏，其以各靶31～34的与基板W的相对面侧为上，通过配置在各靶下方的磁铁单元41～44在各靶的上方形成隧道状的漏磁场M1、M2，在溅射中，使各磁铁单元同步地在X方向上以规定的冲程对靶做相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶做相对的往复运动，使各磁铁单元和基板向相反方向移动，设置从往复运动的起点到折返位置为止的时间相等。

公开(公告)号：CN104822857B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480003237.3

申请日：2014-01-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤长徹志 ,  松本昌弘 ,  新井真 ,  真濑江理子 ,  岩井治宪 ,  高桥康司 ,  井堀敦仁

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/345 ,  C23C14/50 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3497 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6838

Abstract: 薄型电路板处理装置(10)具备：处理薄型电路板(S)的电路板处理部(20A；20B)；以及在电路板处理部(20A；20B)处理薄型电路板(S)时冷却薄型电路板(S)的冷却部(31；101)。冷却部(31；101)由静电卡盘(31)或气体冷却部(101)构成，静电卡盘(31)通过吸附由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)，气体冷却部(101)通过供应气体给由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型

公开(公告)号：CN102097270B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201010580566.8

申请日：2010-12-09

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 矶部辰德 ,  仓田敬臣 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  佐藤善胜 ,  佐藤重光

IPC: H01J23/087 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置，其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域，使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上，所述磁铁组设置在靶的下侧，在靶的上方形成隧道形的磁力线，所述磁铁组包括：沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁，以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁，用以改变靶一侧的极性，还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部，即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。

公开(公告)号：CN101871092B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010149872.6

申请日：2010-04-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大石祐一 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  石桥哲 ,  小林大士

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种反应性溅射方法，可不受靶的边缘区域上形成的绝缘膜的影响而维持高速率成膜。在向溅射室(11)内导入反应气体的同时，向该溅射室内与处理基板S相对设置的导电性靶(41)施加电力，在溅射室内形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射，通过反应性溅射在所述处理基板表面形成规定的薄膜。在上述溅射方法中，通过向所述靶施加电力的溅射电源E监视累计投入电力，当该累计值达到规定值时，停止反应气体的导入，仅导入溅射气体对靶进行规定时间的溅射。

公开(公告)号：CN102165570A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137929.6

申请日：2009-08-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  浅利伸 ,  桥本征典 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/203 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法以及制造装置，其可在活性层不暴露在大气环境中的情况下保护该活性层不被蚀刻剂侵蚀。本发明一个实施方式所述的场效应晶体管的制造方法包括：采用溅射法在基材上(10)形成活性层(15)(IGZO膜15F)的工序，其中，该活性层具有In-Ga-Zn-O系成分；采用溅射法在上述活性层上形成阻挡层(阻挡层形成膜16F)，该阻挡层用来保护上述活性层不被蚀刻剂侵蚀；以所述阻挡层作为掩膜对上述活性层进行蚀刻加工。采用溅射法形成阻挡层时，在形成活性层后可在该活性层不暴露在大气中的情况下形成阻挡层，所以能防止大气中的水分或杂质附着在活性层的表面而引起薄膜质量变差的情况出现。

公开(公告)号：CN1904132B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610107627.2

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小林大士 ,  谷典明 ,  小松孝 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  新井真

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的特征在于：具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少4片的靶(241)和逐一地连接以便对并列地设置的靶中的2片靶交替地施加负电位和正电位或接地电位的交流电源(E)，将各交流电源(E)连接到互不相邻的2片靶(241)上。

公开(公告)号：CN101978094A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109274.1

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 赤松泰彦 ,  中村久三 ,  小林大士 ,  清田淳也 ,  汤川富之 ,  武井应树 ,  大石祐一 ,  新井真 ,  石桥晓

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3444

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。

公开(公告)号：CN116783324A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202280012554.6

申请日：2022-03-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 青柳利哉 ,  新井真 ,  高泽悟

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种具有能够定期去除在靶的中央区域上残留的非侵蚀区域中形成的再沉积膜的功能，并能够在具有高纵横比的凹部的基板整个面上覆盖性良好地成膜的磁控溅射装置(SM)用阴极单元及磁控溅射装置。阴极单元(CU1)具备多个第一和第二磁体单元(61、62)，其配置在靶(5)的溅射面(51)所背对的一侧，并分别绕轴线(Cl)被旋转驱动。第一磁体单元构成为使第一漏磁场(Mf1)作用于在内侧包含靶中心(Tc)的溅射面的前方空间。第二磁体单元构成为，使第二漏磁场(Mf2)局部作用于位于靶中心和靶外缘部之间的溅射面的前方空间，并且能够进行被第二漏磁场所封闭的等离子体在低压力下的自持放电。

公开(公告)号：CN107429387B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201680015597.4

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 上野充 ,  仓田敬臣 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  斋藤一也

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。

公开(公告)号：CN104822857A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201480003237.3

申请日：2014-01-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤长徹志 ,  松本昌弘 ,  新井真 ,  真濑江理子 ,  岩井治宪 ,  高桥康司 ,  井堀敦仁

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/345 ,  C23C14/50 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3497 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6838

Abstract: 薄型电路板处理装置(10)具备：处理薄型电路板(S)的电路板处理部(20A；20B)；以及在电路板处理部(20A；20B)处理薄型电路板(S)时冷却薄型电路板(S)的冷却部(31；101)。冷却部(31；101)由静电卡盘(31)或气体冷却部(101)构成，静电卡盘(31)通过吸附由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)，气体冷却部(101)通过供应气体给由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)。