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公开(公告)号：CN102751086B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210232354.X
申请日：2008-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F7/02 , B22F3/003 , B22F3/1007 , B22F2003/1046 , F27B5/04 , F27B5/06 , F27D5/0006 , H01F41/0293 , Y10T428/12028
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁的制造方法，在将含有Dy和Tb中的至少一种的金属蒸发材料v和烧结磁铁S放置到处理箱内，将该处理箱设置到真空室内之后，在真空气氛下将该处理箱加热到规定的温度，使金属蒸发材料蒸发附着到烧结磁铁上，使该附着的Dy、Tb金属原子扩散到该烧结磁铁的晶界和∕或晶界相中，得到高性能磁铁的情况下，即使邻近设置烧结磁铁和金属蒸发材料，也不会破坏退磁曲线的矩形性，能够实现高生产率。在金属蒸发材料蒸发期间，向设置了烧结磁铁的处理室（70）内导入惰性气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102597301B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080048483.2
申请日：2010-10-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C22C1/0458 , B22F3/14 , B22F3/24 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 本发明提供一种含钛溅射靶的制造方法，所述含钛溅射靶可减少由晶格缺陷引起的异常放电的发生次数。所述方法包括：分别制造含高熔点金属的第一金属粉末与含钛的第二金属粉末。然后，在695℃以上对第一金属粉末与第二金属粉末的混合粉末进行烧结后，在685℃以下进行热处理。烧结后，通过在685℃以下对烧结体进行热处理，从而减少烧结相中的板状组织(晶格缺陷)。由此，可以得到异常放电的发生次数少的含钛溅射靶。
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公开(公告)号：CN102751086A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210232354.X
申请日：2008-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F7/02 , B22F3/003 , B22F3/1007 , B22F2003/1046 , F27B5/04 , F27B5/06 , F27D5/0006 , H01F41/0293 , Y10T428/12028
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁的制造方法，在将含有Dy和Tb中的至少一种的金属蒸发材料v和烧结磁铁S放置到处理箱内，将该处理箱设置到真空室内之后，在真空气氛下将该处理箱加热到规定的温度，使金属蒸发材料蒸发附着到烧结磁铁上，使该附着的Dy、Tb金属原子扩散到该烧结磁铁的晶界和∕或晶界相中，得到高性能磁铁的情况下，即使邻近设置烧结磁铁和金属蒸发材料，也不会破坏退磁曲线的矩形性，能够实现高生产率。在金属蒸发材料蒸发期间，向设置了烧结磁铁的处理室（70）内导入惰性气体。
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公开(公告)号：CN101842862B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200880114024.2
申请日：2008-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F7/02 , B22F3/003 , B22F3/1007 , B22F2003/1046 , F27B5/04 , F27B5/06 , F27D5/0006 , H01F41/0293 , Y10T428/12028
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁的制造方法，在将含有Dy和Tb中的至少一种的金属蒸发材料v和烧结磁铁S放置到处理箱内，将该处理箱设置到真空室内之后，在真空气氛下将该处理箱加热到规定的温度，使金属蒸发材料蒸发附着到烧结磁铁上，使该附着的Dy、Tb金属原子扩散到该烧结磁铁的晶界和/或晶界相中，得到高性能磁铁的情况下，即使邻近设置烧结磁铁和金属蒸发材料，也不会破坏退磁曲线的矩形性，能够实现高生产率。在金属蒸发材料蒸发期间，向设置了烧结磁铁的处理室(70)内导入惰性气体。
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公开(公告)号：CN102597301A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080048483.2
申请日：2010-10-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C22C1/0458 , B22F3/14 , B22F3/24 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 本发明提供一种含钛溅射靶的制造方法，所述含钛溅射靶可减少由晶格缺陷引起的异常放电的发生次数。所述方法包括：分别制造含高熔点金属的第一金属粉末与含钛的第二金属粉末。然后，在695℃以上对第一金属粉末与第二金属粉末的混合粉末进行烧结后，在685℃以下进行热处理。烧结后，通过在685℃以下对烧结体进行热处理，从而减少烧结相中的板状组织(晶格缺陷)。由此，可以得到异常放电的发生次数少的含钛溅射靶。
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公开(公告)号：CN101842862A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880114024.2
申请日：2008-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F7/02 , B22F3/003 , B22F3/1007 , B22F2003/1046 , F27B5/04 , F27B5/06 , F27D5/0006 , H01F41/0293 , Y10T428/12028
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁的制造方法，在将含有Dy和Tb中的至少一种的金属蒸发材料v和烧结磁铁S放置到处理箱内，将该处理箱设置到真空室内之后，在真空气氛下将该处理箱加热到规定的温度，使金属蒸发材料蒸发附着到烧结磁铁上，使该附着的Dy、Tb金属原子扩散到该烧结磁铁的晶界和/或晶界相中，得到高性能磁铁的情况下，即使邻近设置烧结磁铁和金属蒸发材料，也不会破坏退磁曲线的矩形性，能够实现高生产率。在金属蒸发材料蒸发期间，向设置了烧结磁铁的处理室(70)内导入惰性气体。
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