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公开(公告)号：CN112262222B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201980039161.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/14 , C23C26/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , C22F1/00
Abstract: 本发明的目的在于提供耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜以及具有该铝合金膜的薄膜晶体管。为了达成上述目的，本发明的一种方式的铝合金膜，在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是这样的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性，具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。
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公开(公告)号：CN107109635A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004797.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供不发生电弧放电，而可在树脂基板上形成不剥落的导电膜的溅射靶。在具有由树脂构成的基体的加工基板32上形成有合金薄膜的溅射靶55中，相对于含有多于50原子%的Cu、以5原子%以上且40原子%以下的范围含有Ni、且以3原子%以上且10原子%以下的范围含有Al的100原子%的基材，以0.01原子%以上的含有率含有由Zn和Mn中的任一种或两种构成的添加物。由于得到无孔隙的溅射靶，所以不发生电弧放电。
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公开(公告)号：CN113423858B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202080013277.1
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。为了达成上述目的，一方式的铝合金靶材具有由铝构成的主要成分以及添加至上述主要成分中的元素组，上述元素组由0.005at％以上且0.88％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。若使用这样的铝合金靶材，则可形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
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公开(公告)号：CN113423858A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013277.1
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金靶材、铝合金布线膜以及铝合金布线膜的制造方法。为了达成上述目的，一方式的铝合金靶材具有由铝构成的主要成分以及添加至上述主要成分中的元素组，上述元素组由0.005at％以上且0.88％以下的铁以及0.01at％以上且0.05at％以下的钒构成。若使用这样的铝合金靶材，则可形成低电阻且耐热性、弯曲性优异的铝合金布线膜。
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公开(公告)号：CN110392909A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201780088452.1
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , C23C14/34 , G02F1/1368 , H01B1/02 , H01B5/14 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/06
Abstract: 提供一种能够通过一次的蚀刻进行图案化且针对树脂基板的附着力强的布线膜以及使用了该布线膜的半导体元件、显示装置。与树脂基板(30)接触的基底膜(21)是以规定比例含有作为主添加金属的铝和作为副添加金属的硅、钛或镍的铜薄膜，由于针对树脂的附着力强，因此布线膜(31、32)(栅极电极层32)不会自树脂基板(30)剥离。另外，基底膜(21)和低电阻膜(22)由于含有很多的铜，因此能够通过对铜进行蚀刻的蚀刻剂或蚀刻气体一同进行蚀刻，因此布线膜(31、32)能够通过一次的蚀刻进行图案化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102751086B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210232354.X
申请日：2008-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F7/02 , B22F3/003 , B22F3/1007 , B22F2003/1046 , F27B5/04 , F27B5/06 , F27D5/0006 , H01F41/0293 , Y10T428/12028
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁的制造方法，在将含有Dy和Tb中的至少一种的金属蒸发材料v和烧结磁铁S放置到处理箱内，将该处理箱设置到真空室内之后，在真空气氛下将该处理箱加热到规定的温度，使金属蒸发材料蒸发附着到烧结磁铁上，使该附着的Dy、Tb金属原子扩散到该烧结磁铁的晶界和∕或晶界相中，得到高性能磁铁的情况下，即使邻近设置烧结磁铁和金属蒸发材料，也不会破坏退磁曲线的矩形性，能够实现高生产率。在金属蒸发材料蒸发期间，向设置了烧结磁铁的处理室（70）内导入惰性气体。
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公开(公告)号：CN102804341A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025725.6
申请日：2010-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/28 , C22C9/00 , G02F1/1343 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , C22C9/00 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种不使导电性布线膜的电阻率上升的技术。在高温下暴露于在化学结构中具有Si原子的气体中的导电性布线膜(9a、9b)的表面，设置以0.3原子%以上的含有率含有Ca的导电层(52)。在导电层(52)的表面形成含有Si的栅极绝缘层或保护膜时，即使导电层(52)暴露于在化学结构中具有Si的原料气体中，Si原子也不扩散到导电层(52)的内部，所以，电阻值不上升。为了防止来自玻璃基板或硅半导体的Si扩散，也能够形成CuCaO层作为紧贴层。
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公开(公告)号：CN102751086A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210232354.X
申请日：2008-10-28
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F7/02 , B22F3/003 , B22F3/1007 , B22F2003/1046 , F27B5/04 , F27B5/06 , F27D5/0006 , H01F41/0293 , Y10T428/12028
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁的制造方法，在将含有Dy和Tb中的至少一种的金属蒸发材料v和烧结磁铁S放置到处理箱内，将该处理箱设置到真空室内之后，在真空气氛下将该处理箱加热到规定的温度，使金属蒸发材料蒸发附着到烧结磁铁上，使该附着的Dy、Tb金属原子扩散到该烧结磁铁的晶界和∕或晶界相中，得到高性能磁铁的情况下，即使邻近设置烧结磁铁和金属蒸发材料，也不会破坏退磁曲线的矩形性，能够实现高生产率。在金属蒸发材料蒸发期间，向设置了烧结磁铁的处理室（70）内导入惰性气体。
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公开(公告)号：CN112204165B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201980036620.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C22C21/00 , H01L21/203 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的在于提供能够形成耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜的铝合金靶材以及铝合金靶材的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金靶材在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性并具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。
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公开(公告)号：CN112262222A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201980039161.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/14 , C23C26/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , C22F1/00
Abstract: 本发明的目的在于提供耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜以及具有该铝合金膜的薄膜晶体管。为了达成上述目的，本发明的一种方式的铝合金膜，在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是这样的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性，具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。
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