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公开(公告)号：CN109384205A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811109422.7
申请日：2018-09-21
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/082 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种超硬复合相氮化碳多孔纳米链状粉体的制备方法，主要是以聚乙烯、氧化铁（Fe2O3）、氯化铵（NH4Cl）为原料，首先将称量好的原料进行抽真空、球磨，将取出的磨料与硝酸铵置于玛瑙研钵中研磨混合均匀，将混合料后放入反应釜中，然后将密封好的反应釜放入井式坩埚炉中，于600-750℃保温6-12h，取出后产物于500-550℃马弗炉氧化1-2h，最后获得粗产物经过洗涤和干燥，即可得到超硬复合相氮化碳多孔纳米链状粉体。本发明以简单易得、无毒性的高聚物作为碳源，在较低的温度下即可催化制备得到α/β复合相超硬氮化碳纳米链。本发明工艺简单有效，能耗低，所用原料价格低廉无毒，制备得到氮化碳纳米链在超硬材料和复合材料的增强增韧领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN112941613B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201911259673.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铋基2‑氨基‑4‑甲基吡啶有机‑无机杂化材料，是分子式为(C6H8N2)aBibXc的单晶；其制备方法包括以下具体步骤：(1)向Bi2O3中滴加氢卤酸，混匀后，得到澄清溶液；所述氢卤酸为HX的水溶液，X为Cl、Br、I中的一种或多种；(2)将2‑氨基‑4‑甲基吡啶加入到步骤(1)所得澄清溶液中，超声处理后，得到浑浊溶液；(3)将步骤(2)所得浑浊溶液在90~250℃条件下保温5~30 h，冷却至室温，得到(C6H8N2)aBibXc晶体，即为铋基2‑氨基‑4‑甲基吡啶有机‑无机杂化材料。该(C6H8N2)aBibXc单晶的光学带隙在1.60 eV~3.20 eV之间连续可调，能够吸收可见光谱中更宽的波长范围，其温度稳定性最高可达400℃，在空气中可稳定存放两个月左右，稳定性较高。
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公开(公告)号：CN110817814B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201911240325.6
申请日：2019-12-06
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/064 , C01B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01J27/138
Abstract: 本发明涉及一种一维分级结构薄壁BN微米管的制备方法，所述制备方法主要是将含硼前驱体置入管式炉中，通入氮化反应气体加热至1000~1200℃，保温2h以上，即可获得大批量高品质的一维氮化硼分级结构材料。本发明无需使用基底，制备工艺简单有效，简单，能耗低，所用原料低廉无毒，提纯后目标产物的纯度高，有助于实现氮化硼微纳分级结构材料的批量生产。
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公开(公告)号：CN112968059A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110154220.X
申请日：2021-02-04
Applicant: 宁波海特创电控有限公司 , 桂林理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种新型增强型GaN HEMT器件结构，由如下步骤制备而成：外延生长；PN结栅叠层生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；刻蚀PN结叠层；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；栅金属沉积；保护层沉积；开孔及金属互联。本发明以p型栅为基础设计了PN结栅型GaN HEMT，通过在p‑GaN上面加了一层n‑GaN，形成PN结，利用PN结在栅加电压时，PN结反向偏置，增大栅极击穿电压Vg，具有大的栅压摆幅，非常适合于功率开关的应用，可以获得更大的栅极驱动偏置以确保安全操作。
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公开(公告)号：CN112941613A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911259673.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铋基2‑氨基‑4‑甲基吡啶有机‑无机杂化材料，是分子式为(C6H8N2)aBibXc的单晶；其制备方法包括以下具体步骤：(1)向Bi2O3中滴加氢卤酸，混匀后，得到澄清溶液；所述氢卤酸为HX的水溶液，X为Cl、Br、I中的一种或多种；(2)将2‑氨基‑4‑甲基吡啶加入到步骤(1)所得澄清溶液中，超声处理后，得到浑浊溶液；(3)将步骤(2)所得浑浊溶液在90~250℃条件下保温5~30 h，冷却至室温，得到(C6H8N2)aBibXc晶体，即为铋基2‑氨基‑4‑甲基吡啶有机‑无机杂化材料。该(C6H8N2)aBibXc单晶的光学带隙在1.60 eV~3.20 eV之间连续可调，能够吸收可见光谱中更宽的波长范围，其温度稳定性最高可达400℃，在空气中可稳定存放两个月左右，稳定性较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128709A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010041714.2
申请日：2020-01-15
Applicant: 桂林理工大学 , 宁波海特创电控有限公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/335 , H01L29/45
Abstract: 本发明涉及一种基于Cu的GaN HEMT无金欧姆接触电极的制备方法,具体步骤包括：对GaN HEMT外延层进行表面处理；形成源漏电极图形；沉积无金源漏电极金属层；life-off形成源漏金属电极；对沉积源漏电极后的GaN HEMT进行退火处理，形成无金源漏欧姆接触电极。本发明采用磁控溅射Cu薄膜作为欧姆接触帽层金属，通过后期相对较低温度RTA快速退火促进电极层间金属相互发生固相反应，重新结晶，形成欧姆接触；NH3氛围下退火，减少了表面损伤，使溅射Cu薄膜的电极导电性能增强；在相对低温环境下制备欧姆接触电极，有利于减少器件由于高温退火等因素引起的漏电，提升了器件的击穿电压和可靠性；降低工艺温度，节省成本。
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公开(公告)号：CN112993030A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110155283.7
申请日：2021-02-04
Applicant: 宁波海特创电控有限公司 , 桂林理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种提高槽栅GaN MIS FET器件可靠性的方法，包括如下步骤：外延生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；表面处理形成GaOxN1‑x沟道；栅介质层沉积；栅金属沉积；保护层沉积；开孔及金属互联。本发明采用在槽栅的GaN MIS HEMT结构里面抑制空穴诱导退化的方法，通过使用结晶的GaOxN1‑x的沟道层来抑制空穴诱导的退化，从而解决空穴诱导引起的阈值电压漂移问题，提高了器件的稳定性，有利于器件的产业化应用。
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公开(公告)号：CN112174100A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011050831.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/082 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种多层鸡蛋卷状复合超硬相C3N4纳米管的制备方法，以镁、三氧化二铁和尿素为原料，在氨气气氛下球磨后，转移至反应釜于550‑650℃下保温4‑8h，得到多层鸡蛋卷状复合超硬相C3N4纳米管粉体。本发明使用设备简单，原料价格低廉无毒，制备得到多层鸡蛋卷状复合超硬相C3N4纳米管粉体在材料增强增韧，吸附催化等领域具有一定的应用潜力。
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公开(公告)号：CN110560045A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910898548.5
申请日：2019-09-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J23/31 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供了一种Bi2WO6插层MgAl-LDH材料及其制备方法和应用，属于光催化材料技术领域。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：将镁源和铝源溶解于水中，得到溶液A；将碱溶于水中，得到溶液B；将钨源溶解于水中，得到溶液C；将所述溶液A和溶液B同时滴加到溶液C中后，进行第一水热反应，第一次固液分离后得到WO42-插层MgAl-LDH粉体；将所述WO42-插层MgAl-LDH粉体和铋源分散到水中，将所得悬浊液进行第二水热反应，第二次固液分离后得到Bi2WO6插层MgAl-LDH材料。本发明通过将Bi2WO6纳米颗粒负载于MgAl-LDH层间，大大提高了Bi2WO6的光催化性能。
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公开(公告)号：CN110048001A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910258561.4
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种通过卤素替换工程来调节铋基有机-无机杂化材料形貌、带隙和稳定性的方法。本发明的目的在于对铋基杂化材料(NH3CH2CH2NH3)aBibXc的X位进行卤素元素替换来调节材料的形貌、光学带隙以及稳定性的方法研究。最终获得不同形貌、带隙值及稳定性的低维度杂化材料，进而可应用在有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池以及半导体材料领域。本发明具有合成工艺简单、反应条件温和、成本低廉、重复性好、光学带隙比较宽的范围内连续可调、稳定性高等优点，具有较好的产业化前景。
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