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公开(公告)号：CN106783613B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201710026316.1
申请日：2017-01-13
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
摘要： 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本发明具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号：CN104269441B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410564619.5
申请日：2014-10-22
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN104269441A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410564619.5
申请日：2014-10-22
申请人： 桂林电子科技大学
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0603 , H01L29/7393
摘要： 本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN110098120A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910342453.5
申请日：2019-04-26
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L21/308 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双通AAO纳米多孔薄膜，最后在目标基片表面获得纳米结构。本发明是一种大面积转移制备纳米结构的方法，能够实现将超薄AAO阵列纳米结构大面积转移至目标基片，并高精度、低成本、无损伤高均匀性地在目标基片制备出与AAO具有相同特征尺寸的高规整度纳米结构。
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公开(公告)号：CN109941961A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910232023.8
申请日：2019-03-26
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及功能性薄膜技术领域，尤其涉及一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，包括以下步骤：制备滚筒压印模板；对滚筒压印模板进行防粘处理；采用滚筒压印模板对聚合物薄膜进行压印，干燥后得到具有微纳米结构的多功能薄膜。本发明的一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，简单、高效、成本较低，能够大面积地制备多功能薄膜，且制备得到的多功能薄膜具有较好的疏水自清洁性、增透性和广角性能，适合推广使用。
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公开(公告)号：CN108306622A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810384680.X
申请日：2018-04-26
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
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公开(公告)号：CN107833923A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034834.4
申请日：2017-10-30
申请人： 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7831 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66446 , H01L29/66484
摘要： 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III-V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。
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公开(公告)号：CN104269403B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201410564342.6
申请日：2014-10-22
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L27/092
摘要： 本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN104617019B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510058652.5
申请日：2015-02-04
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条，将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验，利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度，利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度，达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间，实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点，改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。
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公开(公告)号：CN104637941A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510057805.4
申请日：2015-02-04
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L27/04
摘要： 本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造T型栅，两种不同的腐蚀液腐蚀形成栅凹槽，蒸Pt/Ti/Pt/Au金属化系统于栅凹槽形成肖特基接触，退火处理形成埋Pt技术，生长氮化硅钝化层，完成器件的制备。该发明工艺简单，器件可靠性强，便于重复。利用本发明制备出80nm栅长的器件获得了优异的直流性能和交流性能，最大输出饱和电流达到920mA/mm，非本征跨导达到1100mS/mm。器件的特征频率达到246GHz，最大振荡频率为301GHz。
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