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公开(公告)号：CN114613589A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210182570.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN114512288A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210184945.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种永磁材料，属于永磁材料技术领域。本发明通过选择轻稀土Pr、Nd和Sm中的一种，与重稀土Dy或Gd配合，利用轻重两种稀土存在时引起的电子层的相互作用，能够与过渡族金属Co的电子层发生复杂的3d‑3d、3d‑4f、4f‑4f交换耦合作用，可以有效提高材料的永磁性能；而且通过控制两种稀土的比例可以使永磁材料获得均匀的固溶体组织，有效提高永磁材料的居里温度和矫顽力。
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公开(公告)号：CN111778425B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010637783.X
申请日：2020-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单相铑基合金磁制冷材料，化合物通式为R3Rh2，其中R为稀土元素Ho或Er元素中的任意一种，其成分为单相；所述单相为Y3Rh2型的晶体结构。其制备方法包括以下步骤：1）铑基合金磁制冷合金锭的熔炼；2）铑基磁制冷材料的退火处理。作为磁制冷材料的应用，为二级相变材料，不存在热滞；磁熵变值在0‑5 T磁场下的范围为14‑20 J kg‑1K‑1，制冷量为达380‑390 J/kg。本发明具有以下优点：单相性好；是单一的二级相变材料，且磁转变温度附近只发生磁结构转变，不存在热滞；是非常理想的低温区磁制冷材料；并且工艺简单，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108060391B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711348406.9
申请日：2017-12-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5:52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。
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公开(公告)号：CN207606276U
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201721816994.X
申请日：2017-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型属于防氧化模具技术领域，公开了一种真空防氧化凹模，设置有真空波纹管和密封底座，实现压制过程中粉体材料在与大气隔离，实现防氧化的目的；与普通模具相比，O形橡胶圈起到真空密封作用，并在底座上开6个圆孔，密封底座用螺丝固定在凹模的底面上。本实用新型实现了压制成型过程中易氧化粉体材料与大气的隔离，使得粉体材料不易被氧化。与现有技术相比减少了氩气90％的使用量，节约了95％的成本、节省了90％的实验室空间。本实用新型可独立使用，操作简便，成本低廉，体积小巧。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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