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公开(公告)号：CN118675835A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410695223.8
申请日：2024-05-31
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01F1/057 , B22D11/06 , B22D11/113 , B22D11/00 , C22C29/14 , C22C29/00 , C22C1/10 , C22C1/02 , H01F41/02
摘要： 本发明公开了一种NdFeB‑NdFeCu合金薄带，以Nd、Fe和Cu作为原料，满足化学式为70wt.％Nd2Fe14B+30wt.％Nd6Fe13Cu，其中，Nd的添加量在理论含量基础上额外增加0.5wt.％作为补损，经翻转熔炼得到NdFeB‑NdFeCu合金铸锭，再以定制石英管进行真空甩带，即可得到NdFeB‑NdFeCu合金薄带，即永磁性NdFeB‑NdFeCu合金；所述NdFeB‑NdFeCu合金薄带主相成分为Nd2Fe14B，晶间相为Nd6Fe13Cu。其制备方法包括以下步骤：1，NdFeB‑NdFeCu合金铸锭的熔炼；2，NdFeB‑NdFeCu合金薄带的制备。作为钕铁硼永磁材料应用时，在0‑2T磁场下的矫顽力为16‑17.68KOe，剩磁为57.56‑79.15emu/g。
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公开(公告)号：CN108060391A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711348406.9
申请日：2017-12-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5：52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。
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公开(公告)号：CN107838421A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711405576.6
申请日：2017-12-22
申请人： 桂林电子科技大学
CPC分类号： B22F3/03 , B22F3/02 , B22F2201/20
摘要： 本发明属于防氧化模具技术领域，公开了一种真空防氧化凹模及其使用方法、成型压机，设置有真空波纹管和密封底座，实现压制过程中粉体材料在与大气隔离，实现防氧化的目的；与普通模具相比，O形橡胶圈起到真空密封作用，并在底座上开6个圆孔，密封底座用螺丝固定在凹模的底面上。本发明实现了压制成型过程中易氧化粉体材料与大气的隔离，使得粉体材料不易被氧化。与现有技术相比减少了氩气90％的使用量，节约了95％的成本、节省了90％的实验室空间。本发明可独立使用，操作简便，成本低廉，体积小巧。
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公开(公告)号：CN117660006A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311655764.X
申请日：2023-12-05
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C09K11/80
摘要： 本发明公开了一种绿色镓酸盐荧光粉及其制备与应用，该荧光粉GaO的6:xTb化学3+式，为其Y中3‑xx为0～0.09，且不等于0。该制备方法包含：将Y2O3、Ga2O3和Tb4O7混合，加入无水乙醇研磨；在空气气氛下，将研磨后的粉末以5℃/min的速率升温至1300～1500℃烧结并保温，再以5℃/min的速率降温至800℃，然后自然冷却，研磨成粉，得到荧光粉。本发明解决了现有技术制备过程复杂，需要非空气气氛烧结的问题。本发明采用高温固相合成法，材料制备简单，周期短，成本低，无需惰性气氛或还原性气氛处理，制得的应力发光荧光粉化学稳定性好，且不易潮解，在机械刺激下会产生绿色的应力发光现象。
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公开(公告)号：CN117583564A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311583206.7
申请日：2023-11-24
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于快速退火工艺的单相Nd‑Fe‑Pd合金磁制冷材料，通过将Nd‑Fe‑Pd合金铸锭进行甩带处理获得Nd‑Fe‑Pd合金薄带，再进行快速的退火处理得到Nd‑Fe‑Pd磁制冷材料；其成分为单相的Nd6Fe13Pd，晶体结构为四方晶体结构，其空间群为I4/mcm。其制备方法包括以下步骤：1，Nd‑Fe‑Pd合金铸锭的熔炼；2，Nd‑Fe‑Pd合金薄带的制备；3，Nd‑Fe‑Pd合金薄带的退火处理。在磁制冷领域的应用，Nd‑Fe‑Pd磁制冷材料的转变温度为163K，并且，随着温度的降低发生了反铁磁‑铁磁转变，并且在转变温度附近发生了一级磁相转变；0‑5T磁场下，125K下测量的磁化强度为139emu/g，最大磁熵变值为3.4J kg‑1K‑1，制冷量达220J/kg。
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公开(公告)号：CN111778425A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010637783.X
申请日：2020-07-02
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种单相铑基合金磁制冷材料，化合物通式为R3Rh2，其中R为稀土元素Ho或Er元素中的任意一种，其成分为单相；所述单相为Y3Rh2型的晶体结构。其制备方法包括以下步骤：1）铑基合金磁制冷合金锭的熔炼；2）铑基磁制冷材料的退火处理。作为磁制冷材料的应用，为二级相变材料，不存在热滞；磁熵变值在0-5 T磁场下的范围为14-20 J kg-1K-1，制冷量为达380-390 J/kg。本发明具有以下优点：单相性好；是单一的二级相变材料，且磁转变温度附近只发生磁结构转变，不存在热滞；是非常理想的低温区磁制冷材料；并且工艺简单，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111719076A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010698014.0
申请日：2020-07-20
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种GdTbHoEr高饱和磁化强度材料，以Gd、Tb、Ho和Er为原料，经电弧熔炼制备得化学式为GdTbHoEr，具有单一密排六方的晶体结构的高饱和磁化强度材料；元素成分还包含La或Y中的一种或两种。作为磁性材料的应用，具有磁相转变特性，在低于奈尔温度时，饱和磁化强度达到290-300 emu/g；以高熵合金GdTbHoEr为基体，通过加入La与Y，在190K到120K范围内调控合金的磁转变温度，在600 Oe到1706 Oe范围内调控合金的矫顽力。本发明高饱和磁化强度材料具有：磁化强度大且存在温区宽，成分可调，奈尔温度可调，工艺简单且多样化，总体制备成本低的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN110729089A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910985213.7
申请日：2019-10-16
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01F1/01
摘要： 本发明属于磁性材料技术领域，公开了一种具有桌面型磁热效应的Nd6Fe13M型磁制冷材料及其应用，所述具有桌面型磁热效应的Nd6Fe13M型磁制冷材料用公式表示为：Nd6Fe13Pd1-xAgx，其特征在于：x＝0.1,0.2。制备方法包括：称取原料Nd、Fe、Pd和Ag并混合；将配置好的原料放入电弧炉，抽真空，并用氩气洗气之后在氩气气氛中熔炼；将熔炼好的金属铸锭封入真空石英管中退火，之后取出快速冷却。本发明在磁场变化为0-5特斯拉时，该化合物磁转变温度在126K-153K可调，半高宽大约为82K，且磁熵变具有平台效应，平台温跨在x＝0.1时为20K，在x＝0.2时为27K。
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公开(公告)号：CN114613589B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210182570.1
申请日：2022-02-25
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN117802379A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311518629.0
申请日：2023-11-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种Ho‑Co磁制冷材料，其原料以原子个数比计满足化学式为Ho3Co，最终制得的Ho‑Co磁制冷材料的主相为Ho3Co相，同时存在少量Ho2Co相，其中，Ho2Co相为非晶相。其制备方法包括以下步骤：1，Ho‑Co合金铸锭的熔炼；2，采用真空甩带工艺Ho‑Co合金薄带的制备；所述真空甩带的基本参数通过定制石英管实现，具体参数为石英管的喷嘴与铜辊的距离为13mm，石英管喷嘴的孔径为1mm。其应用在0‑5 T磁场下的最大磁熵变为15‑21.4 J kg‑1K‑1，制冷量达539.2‑669.9J/kg。相对于现有技术，本发明具有无需额外的退火处理、显著减少整体制备周期的优点。
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