无取向高硅电工钢及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN117816739A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410005096.4

    申请日:2024-01-03

    Abstract: 本发明公开了一种无取向高硅电工钢及其制备方法、应用,涉及钢铁冶炼技术领域。包括将连铸板坯加热后轧制成带钢,再依次进行卷取、剪刃剪切以及冷轧。卷取后,带钢的剪切断面的上表面为再结晶铁素体晶粒尺寸为40~55μm,下表面为再结晶铁素体晶粒尺寸为45~60μm,中心部位为未再结晶的变形铁素体。通过控制卷取后带钢的内部结构,从而在带钢的截面上依次形成平整的压陷面和剪切面、光滑的断裂面和毛刺区。由于断面组织的分布合理,使得带钢剪切断面的上、中、下三个区域之间互相不影响裂纹的产生,提高了无取向高硅电工钢的切边质量,使剪切断面不会产生冷轧裂口。

    一种防止取向硅钢热轧边裂工艺

    公开(公告)号:CN108193037B

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201810032339.8

    申请日:2018-01-12

    Abstract: 本发明公开了一种防止取向硅钢热轧边裂工艺,所述工艺包括板坯进入加热炉前的表面温度不低于300℃;第一加热段炉气温度为1160℃~1250℃;第二加热段和均热段炉气温度为1270℃~1330℃,加热时间为80分钟~200分钟,停留不动的时间不超过30分钟;热轧成品边部平均晶粒尺寸不大于72µm;精轧终轧温度为880℃~960℃;卷取温度为500℃~620℃;七机架精轧机组张力的合理控制。本发明在保证取向硅钢抑制剂充分固溶、成品电磁性能符合目标要求的前提下,避免板坯在第二加热段和均热段加热时间过长或停留不动的时间过长而导致边部或局部脱碳,晶粒过度长大,在热轧时出现边裂问题。

    通过图像处理软件计算金属材料EBSD晶粒尺寸方法及装置

    公开(公告)号:CN116433741A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310300739.3

    申请日:2023-03-24

    Abstract: 本发明公开了一种通过图像处理软件计算金属材料EBSD晶粒尺寸方法及装置,涉及物理的测量技术领域。包括:通过电子背散射衍射装置,对待测量的金属材料进行电子背散射衍射EBSD分析,得到分析数据;通过电子背散射衍射装置的配套软件,对分析数据进行处理,导出取向成像显微图;根据取向成像显微图,获得测量目标Area的数值Am以及测量目标Perimeter的数值Pm;根据数值Pm以及数值Am,计算得到待测量的金属材料的平均等效面积有效晶粒尺寸。采用本发明来获取金属材料有效晶粒尺寸时,可以设置相对较大的EBSD步长,在保证结果准确的前提下,减少检测的时间,获得的平均晶粒尺寸比其他方法更准确。

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