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公开(公告)号：CN112930586A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980071653.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205
Abstract: 根据一个实施方式涉及的半导体基板的制造方法包括：第一工序，通过对基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的槽部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对槽部的侧面进行的亲水化处理及对槽部进行的脱气处理中的至少一者；第三工序，在槽部的底面存在的状态下，通过实施各向异性湿法蚀刻处理去除在槽部的侧面上形成的波纹，并使侧面平坦化。
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公开(公告)号：CN107431017B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201680019442.8
申请日：2016-03-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明的半导体装置(1)包含：半导体基板(2)，其形成有贯通孔(7)；第1配线(3)；绝缘层(10)；及第2配线(8)，其在绝缘层(10)的开口(10a)中电连接于第1配线(3)。绝缘层(10)具有：第1弯曲部(101)，其在第1开口(7a)与第2开口(7b)之间覆盖贯通孔(7)的内表面(7c)；与第2弯曲部(102)，其覆盖第2开口(7b)的边缘。第1弯曲部(101)的表面(10b)朝与贯通孔(7)的内表面(7c)相反的一侧凸状地弯曲。第2弯曲部(102)的表面(10b)朝与贯通孔(7)的内表面(7c)相反的一侧凸状地弯曲。
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公开(公告)号：CN111630645A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880087178.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：支承体，其具有安装区域；半导体芯片，其经由规定距离配置于安装区域上；凸块，其配置于支承体与半导体芯片之间；壁部，其以沿半导体芯片的外缘的一部分的方式配置于支承体与半导体芯片之间；及底部填充树脂层，其配置于支承体与半导体芯片之间；底部填充树脂层覆盖壁部的外侧的侧面。
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公开(公告)号：CN110392858A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880017324.2
申请日：2018-03-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 光模块包括光学元件与安装有上述光学元件的基部。上述光学元件具有：具有光学面的光学部；以形成环状区域的方式设于上述光学部的周围的弹性部；以在沿上述光学面的第1方向上夹着上述光学部的方式设置且响应于上述弹性部的弹性变形而被赋予弹性力并且彼此的距离可变的一对支承部。上述基部具有：主面、设有与上述主面连通的开口的安装区域。上述支承部在被赋予上述弹性部的弹性力的状态下插入上述开口。上述光学元件在上述光学面与上述主面交叉的状态下，由从上述开口的内面赋予上述支承部的上述弹性力的反力而支承于上述安装区域。
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公开(公告)号：CN107431017A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019442.8
申请日：2016-03-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明的半导体装置(1)包含：半导体基板(2)，其形成有贯通孔(7)；第1配线(3)；绝缘层(10)；及第2配线(8)，其在绝缘层(10)的开口(10a)中电连接于第1配线(3)。绝缘层(10)具有：第1弯曲部(101)，其在第1开口(7a)与第2开口(7b)之间覆盖贯通孔(7)的内表面(7c)；与第2弯曲部(102)，其覆盖第2开口(7b)的边缘。第1弯曲部(101)的表面(10b)朝与贯通孔(7)的内表面(7c)相反的一侧凸状地弯曲。第2弯曲部(102)的表面(10b)朝与贯通孔(7)的内表面(7c)相反的一侧凸状地弯曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112930586B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201980071653.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205
Abstract: 根据一个实施方式涉及的半导体基板的制造方法包括：第一工序，通过对基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的槽部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对槽部的侧面进行的亲水化处理及对槽部进行的脱气处理中的至少一者；第三工序，在槽部的底面存在的状态下，通过实施各向异性湿法蚀刻处理去除在槽部的侧面上形成的波纹，并使侧面平坦化。
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公开(公告)号：CN118908143A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410971014.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明提供一种镶嵌配线构造，其具备：基底，其具有设置有槽部的主面；绝缘层，其具有：设置于槽部的内表面上的第一部分；和与第一部分一体地形成，并且设置于主面上的第二部分；金属层，其设置于绝缘层的第一部分上；配线部，其埋入于槽部内，并且与金属层接合；以及覆盖层，其以覆盖绝缘层的第二部分、金属层的端部、和配线部的方式设置。绝缘层中的第一部分与第二部分的边界部分的与基底为相反侧的表面，包含在从配线部的延伸方向观察的情况下，相对于与主面垂直的方向倾斜的倾斜面。金属层的端部进入到覆盖层与倾斜面之间，在端部，沿着覆盖层的第一表面与沿着倾斜面的第二表面成锐角。
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公开(公告)号：CN107408508B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201680019440.9
申请日：2016-03-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 半导体装置的制造方法包含：第1工序，其在半导体基板(2)的第1表面(2a)设置第1配线(3)；第2工序，其在第1表面(2a)安装光透过基板(5)；第3工序，其以半导体基板(2)的厚度小于光透过基板(5)的厚度的方式将半导体基板(2)薄型化；第4工序，其在半导体基板(2)形成贯通孔(7)；第5工序，其通过使用第1树脂材料来实施浸渍涂布法而设置树脂绝缘层(10)；第6工序，其在树脂绝缘层(10)形成接触孔(16)；及第7工序，其在树脂绝缘层(10)的表面(10b)设置第2配线(8)，且在接触孔(16)中将第1配线(3)与第2配线(8)电连接。
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公开(公告)号：CN107360729B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201680018889.3
申请日：2016-03-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 半导体装置(1)包含：半导体基板(2)，其形成有贯通孔(7)；第1配线(3)，其设置于半导体基板(2)的第1表面(2a)；绝缘层(10)，其设置在贯通孔(7)的内表面(7c)及半导体基板(2)的第2表面(2b)；及第2配线(8)，其设置在绝缘层(10)的表面(10b)，且在开口(10a)中与第1配线(3)电连接。在绝缘层(10)的表面(10b)，包含：第1区域(11)；第2区域(12)；第3区域(13)；第4区域(14)，其以将第1区域(1)与第2区域(12)连续地连接的方式弯曲；及第5区域(15)，其以将第2区域(12)与第3区域(13)连续地连接的方式弯曲。第2区域(12)的平均倾斜角度较第1区域(11)的平均倾斜角度小，且较内表面(7c)的平均倾斜角度小。
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公开(公告)号：CN107250772B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201680011918.3
申请日：2016-02-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N21/65
Abstract: SERS元件(3)具备：基板(4)；细微结构部(7)，被形成于基板(4)的表面(4a)上并且具有多个柱脚(11)；导电体层(6)，被形成于细微结构部(7)上并且构成使表面增强拉曼散射发生的光学功能部(10)。在各个柱脚(11)的外表面，设置有沟槽(12)。在导电体层(6)，在沟槽(12)的内表面的至少一部分露出的状态下导电体层(6)被形成于各个柱脚(11)的外表面，从而形成多个间隙(G)。
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