-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105492879B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201480045789.0
申请日：2014-07-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01B9/02051 , G01J3/0256 , G01J3/4532 , G01J3/4535
Abstract: 制造光干涉仪的方法包括：在支承基板的主面和形成在主面上的第一绝缘层上形成用于分束器的第一半导体部和用于可动镜的第二半导体部的第一工序；在第一半导体部的第一侧面与第二半导体部的第二侧面之间配置第一壁部的第二工序；和使用荫罩掩模在第二侧面形成第一金属膜，由此在第二半导体部形成镜面的第三工序。在第三工序中，在利用掩模部和第一壁部掩蔽第一侧面并且使第二侧面从开口部露出的状态下形成第一金属膜。
-
公开(公告)号：CN112930586B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201980071653.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205
Abstract: 根据一个实施方式涉及的半导体基板的制造方法包括：第一工序，通过对基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的槽部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对槽部的侧面进行的亲水化处理及对槽部进行的脱气处理中的至少一者；第三工序，在槽部的底面存在的状态下，通过实施各向异性湿法蚀刻处理去除在槽部的侧面上形成的波纹，并使侧面平坦化。
-
公开(公告)号：CN119993837A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510267662.3
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/535 , H01L21/74 , B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00
Abstract: 根据一个实施方式涉及的半导体基板的制造方法包括：第一工序，通过对基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的槽部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对槽部的侧面进行的亲水化处理及对槽部进行的脱气处理中的至少一者；第三工序，在槽部的底面存在的状态下，通过实施各向异性湿法蚀刻处理去除在槽部的侧面上形成的波纹，并使侧面平坦化。
-
公开(公告)号：CN112930586A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980071653.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/3205
Abstract: 根据一个实施方式涉及的半导体基板的制造方法包括：第一工序，通过对基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的槽部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对槽部的侧面进行的亲水化处理及对槽部进行的脱气处理中的至少一者；第三工序，在槽部的底面存在的状态下，通过实施各向异性湿法蚀刻处理去除在槽部的侧面上形成的波纹，并使侧面平坦化。
-
公开(公告)号：CN105492879A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480045789.0
申请日：2014-07-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01B9/02051 , G01J3/0256 , G01J3/4532 , G01J3/4535
Abstract: 制造光干涉仪的方法包括：在支承基板的主面和形成在主面上的第一绝缘层上形成用于分束器的第一半导体部和用于可动镜的第二半导体部的第一工序；在第一半导体部的第一侧面与第二半导体部的第二侧面之间配置第一壁部的第二工序；和使用荫罩掩模在第二侧面形成第一金属膜，由此在第二半导体部形成镜面的第三工序。在第三工序中，在利用掩模部和第一壁部掩蔽第一侧面并且使第二侧面从开口部露出的状态下形成第一金属膜。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.022 seconds)
