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公开(公告)号：CN101242927A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680029600.4
申请日：2006-08-04
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/40 , H01L21/301 , B28D5/00 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种用于防止从切断硅晶片所得到的芯片的切断面产生颗粒的激光加工方法。形成改质区域(77～712)时的激光(L)的照射条件，以在自硅晶片(11)的表面(3)起的深度为335μm～525μm的区域的激光(L)的球面象差被修正的方式，相对于形成改质区域(713～719)时的激光(L)的照射条件而发生变化。因此，即使以改质区域(71～719)为切断的起点将硅晶片(11)及功能元件层(16)切断成半导体芯片，在深度为335μm～525μm的区域还是不会明显出现扭梳纹，并且难以产生颗粒。
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公开(公告)号：CN1938826A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010859.X
申请日：2005-03-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: B23K33/002 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/36 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，该方法可在将形成有包括多个功能元件的的叠层部的基板切断为具有功能元件的多个芯片时，与基板同时实现叠层部的高精度的切断。在该激光加工方法中，沿着各预定切断线(5a～5d)形成使基板(4)发生断裂的容易程度不同改质区域。因此，在将伸展带贴附在基板(4)的背面并扩张时，使加工对象物(1)在多个半导体芯片上分阶段被切断。如上所述的分阶段的切断，在沿着各预定切断线(5a～5d)的部分上作用均等的扩张应力，其结果是，与基板(4)同时使预定切断线(5a～5d)上的层间绝缘膜被高精度地切断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102581494A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210040648.2
申请日：2006-07-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。通过将聚光点(P)对准基板(4)的内部并从叠层部(16)侧照射激光(L)，从而沿着切断预定线，在基板(4)的内部形成从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的背面(21)侧的第1改质区域(71)和从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的表面(3)侧的第2改质区域(72)，并从第2改质区域(72)向基板(4)的表面(3)产生裂缝(24)。然后，在使贴于基板(4)的背面(21)的扩张带(23)扩张的状态下，使加工对象物(1)内产生应力以使裂缝(24)打开。
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公开(公告)号：CN1758986B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN03826137.5
申请日：2003-03-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B28D5/00 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/18 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/60 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D1/221 , B28D5/0011
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，可以沿着切断预定线以良好的精确度切断加工对象物。利用多光子吸收所形成的改质区域(7)，沿着切断预定线(5)，在加工对象物(1)的内部形成切断起点区域(8)。然后，使对加工对象物(1)的非改质区域具有吸收性的激光(L2)，沿着切断预定线(5)照射加工对象物(1)，以切断起点区域(8)作为起点，在加工对象物(1)产生裂缝(24)，可以以良好的精确度沿着切断预定线(5)切断加工对象物(1)。此外，使固定有加工对象物(1)的扩张薄膜(19)扩张来使各个芯片(25)分离，所以沿着切断预定线(5)的加工对象物(1)的切断的可靠性可以进一步的提高。
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公开(公告)号：CN101242927B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200680029600.4
申请日：2006-08-04
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/40 , H01L21/301 , B28D5/00 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种用于防止从切断硅晶片所得到的芯片的切断面产生颗粒的激光加工方法。形成改质区域(77～712)时的激光(L)的照射条件，以在自硅晶片(11)的表面(3)起的深度为335μm～525μm的区域的激光(L)的球面象差被修正的方式，相对于形成改质区域(713～719)时的激光(L)的照射条件而发生变化。因此，即使以改质区域(71～719)为切断的起点将硅晶片(11)及功能元件层(16)切断成半导体芯片，在深度为335μm～525μm的区域还是不会明显出现扭梳纹，并且难以产生颗粒。
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公开(公告)号：CN1758986A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03826137.5
申请日：2003-03-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B28D5/00 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/18 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/60 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D1/221 , B28D5/0011
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，可以沿着切断预定线以良好的精确度切断加工对象物。利用多光子吸收所形成的改质区域(7)，沿着切断预定线(5)，在加工对象物(1)的内部形成切断起点区域(8)。然后，使对加工对象物(1)的非改质区域具有吸收性的激光(L2)，沿着切断预定线(5)照射加工对象物(1)，以切断起点区域(8)作为起点，在加工对象物(1)产生裂缝(24)，可以以良好的精确度沿着切断预定线(5)切断加工对象物(1)。此外，使固定有加工对象物(1)的扩张薄膜(19)扩张来使各个芯片(25)分离，所以沿着切断预定线(5)的加工对象物(1)的切断的可靠性可以进一步的提高。
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公开(公告)号：CN1758985A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03826130.8
申请日：2003-03-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B28D5/00 , H01L21/301
CPC classification number: C03B33/091 , B23K26/0604 , B23K26/0624 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/60 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D1/221 , B28D5/0011 , C03B33/023 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，可以沿着切断规定线以良好的精确度切断加工对象物。利用多光子吸收所形成的改质区域(7)，沿着切断规定线(5)，在加工对象物(1)的内部形成切断起点区域(8)。然后，使对加工对象物(1)具有吸收性的激光(L2)，沿着切断规定线(5)照射加工对象物(1)，以切断起点区域(8)作为起点，在加工对象物(1)产生裂缝(24)，可以以良好的精确度沿着切断规定线(5)切断加工对象物(1)。此外，使固定有加工对象物(1)的扩张薄膜(19)扩张来使各个芯片(25)分离，所以沿着切断规定线(5)的加工对象物(1)的切断的可靠性可以更进一步地得到提高。
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