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公开(公告)号：CN107544605B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201710962323.2
申请日：2017-10-16
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种数模混合多环路衬底动态偏置LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。
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公开(公告)号：CN114584389A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210276859.X
申请日：2022-03-21
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： H04L9/40
摘要： 本发明公开了一种具有大容量生物识别智能小区的通信方法，通过多层分级设置的中心主机、分区主机和智能终端，且设定中心主机、分区主机和智能终端均能够获取生物特征数据且进行生物特征数据比对，比对过程均通过对应的智能终端设备完成，对于生物特征数据的存储分散到中心主机、分区主机或智能终端中，从而减轻了对生物特征数据的存储压力，从而降低了应用成本，使应用本发明的通信方法的设备能够不依靠高性能的设备进行运行。
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公开(公告)号：CN114464172A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210082776.7
申请日：2022-01-24
申请人： 佛山科学技术学院
摘要： 本发明提供了一种transfomer模型处理方法、可读存储介质及设备，transfomer模型处理方法包括步骤：在进行训练时，根据transfomer模型的子层权重，计算得到目标层，在下一次训练时，删除或者保留目标层。本发明通过正向传播和反向传播来自动确认需要删除或者保留的子层，即通过本次训练得到的权重去计算下一次训练时需要删除或者保留的子层，进而减少了模型的参数量，实现轻量级的transfomer模型。
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公开(公告)号：CN108874008B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201810651176.1
申请日：2018-06-22
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种具有双反馈的LDO电路，包括负反馈电路、正反馈电路和负载电路，主要采用NMOS晶体管、PMOS晶体管、电容和电阻，具有静态电流低、瞬态响应能力强等特点。而随芯片供电电压不断降低，传统的LDO电路可能会出现电路本身消耗的静态电流大于芯片本身消耗电流的情况。本发明的LDO电路和典型的LDO电路不同的是没有基准电路，通过正负反馈来输出更加稳定的电压，提高对负载电路电压变化的响应速度，同时可以有效降低LDO电路的功耗，符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。可用于集成电路技术领域中。
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公开(公告)号：CN111414037A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010162004.5
申请日：2020-03-10
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明公开了一种LDO稳压电路，包括：基准电压端Vref、第一偏置电压端Vb1、第二偏置电压端Vb2、第三偏置电压端Vb3、输入电压端VDD、输出电压端Vout、控制电路、反馈电路、接地端GND和功率管MP；其中，反馈电路接收输出电压端Vout的反馈，并将信号反馈给控制电路，控制电路根据反馈信号调整功率管MP，以稳定输出电压端Vout的电压。通过LDO稳压电路的电路结构，形成了三重稳压的电路形态，提高了整个LDO稳压电路的稳定性和可靠性。本发明主要用于集成电路电源管理技术领域。
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公开(公告)号：CN108760824A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810721607.7
申请日：2018-07-04
申请人： 佛山科学技术学院
摘要： 本发明公开了一种热力电三场耦合器件测试装置，包括用于改变待测样品表面所受压力的压力调节组件、用于改变待测样品两侧温度差的温度调节组件、两个与待测样品相连的电极片、控制器、电性能测试仪以及上位机，所述压力调节组件以及温度调节组件分别与控制器相连，两个电极片分别与电性能测试仪相连，所述控制器以及电性能测试仪分别与上位机相连。发明创造通过温度调节组件以及压力调节组件的设置，改变在热电性能测试和压电性能测试过程中待测样品所受的压力以及温度差，引入力场以及温度场作为热电性能测试和压电性能测试的影响参数，测试直观，测试所得数据可靠性强。本发明创造用于对电学材料或器件进行热电性能测试和压电性能测试。
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公开(公告)号：CN108267992A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810224051.0
申请日：2018-03-19
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 本发明公开了手持式物品位置记忆机，包括手持式外壳，所述手持式外壳表面设有麦克风、音响以及电池盒，手持式外壳内安装有电路板，所述电路板分别与麦克风、电池盒以及音响电性连接；电路板包括电源模块、语音识别模块、主控芯片以及语音播放模块，语音识别模块配置有SD存储卡，本发明创造通过SD存储卡存储物品的位置信息，通过语音识别模块识别用户需要寻找的物品语音关键字，语音识别模块通过语音关键字，在SD存储卡寻找该物品的放置位置，将相关信息数据输出到主控芯片，再有主控芯片通过语音播放模块将该物品的放置位置以语音的形式播放出去，以告知用户物品位置。本发明创造用于存储物品位置信息并将该位置信息以语音的形式播放出去。
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公开(公告)号：CN107677726A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710910237.7
申请日：2017-09-29
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G01N27/92
CPC分类号： G01N27/92
摘要： 本发明公开了一种薄膜击穿现象的实时捕捉和分析方法，包括步骤：读取薄膜击穿现象原始图像数据；对所读取的图像数据进行形态学图像处理；对处理后的图像数据进行图像分割运算，将击穿点与图像背景分离；将所述击穿点在原始图像数据中进行标记，得到击穿点分布图；对所述击穿点分布图进行击穿点的数量统计和形态学分析。本发明实现了电介质或半导体薄膜的击穿现象的实时捕捉和统计分析，解决了传统方法需要相当数量的样品用于测试以确保统计数据的准确性，并且消耗大量人力物力，效率低下的问题，还解决了传统方法由于无法实现特定击穿现象的实时过程研究，使分析和评价薄膜击穿诱因及其形成机理变得极为困难的问题。
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公开(公告)号：CN107544605A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710962323.2
申请日：2017-10-16
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种数模混合多环路衬底动态偏置LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。
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