公开(公告)号：CN107622953A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201610603368.6

申请日：2016-07-28

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 邱士超 ,  林俊贤 ,  白裕呈 ,  范植文 ,  陈嘉成 ,  何祈庆 ,  洪祝宝 ,  蔡瀛洲

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498

Abstract: 一种封装堆迭结构的制法，先提供一第一无核心层式封装基板，该第一无核心层式封装基板的一侧具有多个第一导电元件，而另一侧结合一承载板；接着，将该第一无核心层式封装基板以其第一导电元件结合至一第二无核心层式封装基板上，且该第二无核心层式封装基板上设有至少一电子元件；之后形成封装层于该第一无核心层式封装基板与该第二无核心层式封装基板之间，再移除该承载板。藉由堆迭两无核心层式封装基板，以减少该封装堆迭结构的厚度。

公开(公告)号：CN106981469A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610078223.9

申请日：2016-02-04

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 范植文 ,  陈嘉成 ,  邱士超 ,  白裕呈 ,  洪祝宝

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 一种封装制程及其所用的封装基板，该封装基板包括：介电层、设于该介电层上的第一线路层、以及通过绝缘层结合至该介电层与该第一线路层上的支撑板，以通过该绝缘层具有浸泡溶剂后可恢复黏性的特性，故于该封装基板完成封装制程后，能重复使用该支撑板与该绝缘层，以避免浪费该支撑板。

公开(公告)号：CN108305836B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710043165.0

申请日：2017-01-19

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 米轩皞 ,  陈嘉成 ,  范植文 ,  邱士超 ,  林俊贤

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 一种封装基板及其制法，先以电镀方式形成线路层于一第一承载件上，再形成一具有多个第一开孔的第一绝缘保护层于该第一承载件上，接着，移除该第一承载件，之后形成一具有多个第二开孔的第二绝缘保护层于该第一绝缘保护层与该线路层上，以通过电镀方式形成该线路层，以得到较小的线宽/线距。

公开(公告)号：CN106356356B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201510466893.3

申请日：2015-08-03

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 范植文 ,  白裕呈 ,  邱士超 ,  林俊贤 ,  陈嘉成 ,  江东昇 ,  洪祝宝

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请涉及一种半导体结构及其制法，该半导体结构包括：绝缘层，其具有相对的第一表面与第二表面，且该绝缘层具有贯穿该第一表面与该第二表面的开口；第一线路层，其设置于该绝缘层的第一表面上，且令部分该第一线路层外露于该开口，另外可于该第一线路上进行置晶、封装及植球制程，免除现有在线路层上形成图案化的拒焊层，避免线路层及拒焊层间发生脱层问题。

公开(公告)号：CN108172561A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201710058635.0

申请日：2017-01-23

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 陈嘉成 ,  邱士超 ,  范植文 ,  米轩皞 ,  林俊贤

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81005

Abstract: 一种用于半导体封装的承载基板与其封装结构，及半导体封装元件的制作方法。该承载基板包含一承载片、一基体，及一强化层。该基体设置于该承载片上，并包括一线路区，及一位于该线路区的外侧的非线路区。该强化层设置于该非线路区上，其中，该强化层反向该承载片的一顶面高于该线路区反向该承载片的一表面。本发明还提供一种具有所述承载基板的半导体封装结构，及具有所述半导体封装结构的半导体封装元件的制作方法。通过在非线路区设置具有厚度且高于该线路区的强化层，以增强该基体的该非线路区的结构强度，使该基体于剥离该承载片时，能让该基体的该非线路区有足够的结构强度抵抗，而不会随该承载片被剥除。

公开(公告)号：CN106298728A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510403793.6

申请日：2015-07-10

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 邱士超 ,  林俊贤 ,  白裕呈 ,  范植文 ,  陈嘉成 ,  洪祝宝 ,  何祈庆

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请揭示一种封装结构及其制法，该封装结构包括：介电层、嵌埋于该介电层中并外露于该介电层表面的第一线路层、设于该第一线路层上的多个导电凸块、以及形成于该介电层、导电凸块与该第一线路层上的第一绝缘保护层，且该导电凸块的部分表面外露于该第一绝缘保护层。藉由该第一线路层上形成有该导电凸块，使该导电凸块外露于该第一绝缘保护层，而该第一线路层仍受该第一绝缘保护层覆盖，故于接置电子元件后，可避免焊料与第一线路层发生桥接的问题，因而能提高产品良率。