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公开(公告)号:CN116845050A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202210355197.5
申请日:2022-04-06
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种电子封装件及其制法,包括于第一线路结构上形成多个导电柱及设置电子元件,再以包覆层包覆该多个导电柱及该电子元件,之后,形成第二线路结构于该包覆层上,以令该多个导电柱电性连接该第一线路结构与第二线路结构,且该电子元件电性连接该第一线路结构,其中,于该第一线路结构与第二线路结构中配置有扇出型线路重布层,且于该第二线路结构中配置有至少一接地层,该接地层包含多个阵列排设的片体,使每二相邻的该片体之间设置有至少一沟槽,以通过该接地层的片体及沟槽的设计,以提升该第二线路结构的挠性。
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公开(公告)号:CN110943071B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN201811181848.3
申请日:2018-10-11
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/60
Abstract: 一种线路化电容结构,包括:绝缘体、贯穿该绝缘体的第一导电通孔与第二导电通孔、嵌埋于该绝缘体中且电性连接该第二导电通孔的第一线路层、嵌埋于该绝缘体中且电性连接该第一导电通孔或第二导电通孔的第二线路层、设于该绝缘体上且电性连接该第一导电通孔或空间隔离该第一导电通孔的第三线路层、以及设于该绝缘体上且电性连接该第一导电通孔或第二导电通孔的第四线路层,以经由线路化设计以令该线路化电容结构作为直流阻流器,进而提供电子产品静电防护。
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公开(公告)号:CN106450659A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201510534096.4
申请日:2015-08-27
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01Q1/22
Abstract: 本申请公开了一种电子模块,包括相堆迭的第一封装件以及第二封装件。该第一封装件包含封装层及埋设于该封装层中的电子元件。该第二封装件包含绝缘层及设于该绝缘层上并延伸贯穿该绝缘层的天线结构,以令该绝缘层结合该封装层,使该天线结构电性连接该电子元件,故无需增加该第一封装件的布设区域,因而该第一封装件不需增加宽度,使该电子模块能达到微小化的需求。
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公开(公告)号:CN116682802A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202210252528.2
申请日:2022-03-11
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种电子封装件及其制法,其制法包括于一具有线路层的承载结构的相对两侧上分别配置一线路构件以及多个电子元件,以经由该线路层及该线路构件,使该多个电子元件的任二者相互电性导通,其中,该承载结构的垂直投影面积大于该线路构件的垂直投影面积,并使该线路构件未伸出该承载结构的侧面,以经由该线路构件取代该承载结构的部分线路层的配置层数,以降低该承载结构制作该线路层的困难度。
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公开(公告)号:CN115700906A
公开(公告)日:2023-02-07
申请号:CN202110837225.2
申请日:2021-07-23
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/56 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及一种电子封装件及其制法,包括于线路结构的相对第一侧与第二侧分别配置第一电子元件与第二电子元件,其中,该线路结构的第一侧与该第一电子元件之间形成有第一金属层,该第二电子元件的表面具有第二金属层,并将导热柱配置于该线路结构的第二侧上并延伸至该线路结构中,以热导通该第一金属层与该第二金属层,从而经由该导热柱而使该第一电子元件与该第二电子元件于运转时所产生的热,能快速散逸至外界环境而不会聚热。
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公开(公告)号:CN114628340A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202011516227.3
申请日:2020-12-21
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种电子封装件及其制法,包括一包覆层、至少一嵌埋于该包覆层中且具有多个导电穿孔的电子中介块、多个嵌埋于该包覆层中的导电柱以及至少一设于该包覆层上的电子元件,以通过将导电柱与该电子元件分开制作,以提升该电子封装件的可靠性。
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公开(公告)号:CN114597178A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202011478176.X
申请日:2020-12-15
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电子封装件及其制法,包括先于多个电子元件的至少其中一者的至少一侧面上形成斜面,再将该多个电子元件设于一承载结构上,以令两相邻的电子元件以其斜面构成一空间,再将封装层形成于该承载结构上并填入该空间中以包覆该两相邻的电子元件,从而经由该空间的设计,分散该电子元件所受的应力,避免因应力集中而发生破裂的问题。
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公开(公告)号:CN114256218A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202011068946.3
申请日:2020-09-30
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电子封装件及其制法,包括将第二电子元件及第三电子元件设于作为承载结构的第一电子元件上,因而无需配合现有封装基板的布线尺寸,故该第一电子元件能设计成尺寸较小的系统单芯片,以提高制程良率。
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公开(公告)号:CN111799242A
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN201910492840.7
申请日:2019-06-06
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/14 , H01L21/48
Abstract: 一种封装堆叠结构及其制法与载板组件,通过于多个有机材基板的最上侧者设置电子元件,而其它有机材基板未接置有芯片,以将预计层数的线路层分别布设于该些有机材基板中,以经由该些有机材基板分散热应力,以避免最下侧有机材基板与电路板之间因CTE不匹配而相分离的问题。
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公开(公告)号:CN106356356A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201510466893.3
申请日:2015-08-03
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及一种半导体结构及其制法,该半导体结构包括:绝缘层,其具有相对的第一表面与第二表面,且该绝缘层具有贯穿该第一表面与该第二表面的开口;第一线路层,其设置于该绝缘层的第一表面上,且令部分该第一线路层外露于该开口,另外可于该第一线路上进行置晶、封装及植球制程,免除现有在线路层上形成图案化的拒焊层,避免线路层及拒焊层间发生脱层问题。
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